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公开(公告)号:KR1020040108745A
公开(公告)日:2004-12-24
申请号:KR1020047016739
申请日:2003-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45502 , H01L21/02183 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L21/31662 , H01L21/31683 , H01L21/67017
Abstract: 본 발명에 의한 처리 장치는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 천장부에 설치되고, 상기 처리 용기의 내부측에 면하는 가스 분사면에 소정의 처리 가스를 상기 처리 용기내로 분출하는 복수의 가스 분사 구멍이 형성된 샤워 헤드 구조와, 상기 처리 용기내에 있어서 상기 샤워 헤드 구조에 대향하도록 배치된 탑재대를 구비한다. 상기 가스 분사면과 상기 탑재대 사이의 헤드 거리와 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가, 상기 헤드 거리를 가로축으로 하고 상기 가스 분출 속도를 세로축으로 한 평면 좌표계에 있어서, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 32 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 67 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 40 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 113 m/sec인 포인트를 사각형상으로 직선으로 연결하여 둘러싸이는 범위내로 설정되어 있다.
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公开(公告)号:KR100584191B1
公开(公告)日:2006-05-29
申请号:KR1020047016739
申请日:2003-04-22
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/455 , C23C16/45502 , H01L21/02183 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02337 , H01L21/31662 , H01L21/31683 , H01L21/67017
Abstract: 본 발명에 의한 처리 장치는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 천장부에 설치되고, 상기 처리 용기의 내부측에 면하는 가스 분사면에 소정의 처리 가스를 상기 처리 용기내로 분출하는 복수의 가스 분사 구멍이 형성된 샤워 헤드 구조와, 상기 처리 용기내에 있어서 상기 샤워 헤드 구조에 대향하도록 배치된 탑재대를 구비한다. 상기 가스 분사면과 상기 탑재대 사이의 헤드 거리와 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가, 상기 헤드 거리를 가로축으로 하고 상기 가스 분출 속도를 세로축으로 한 평면 좌표계에 있어서, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 32 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 67 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 40 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 113 m/sec인 포인트를 사각형상으로 직선으로 연결하여 둘러싸이는 범위내로 설정되어 있다.
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