公开(公告)号：KR101775203B1

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00

Abstract: 본발명에따르면성막방법이제공된다. 상기성막방법에서는, 챔버내에서기판상에서로반응하는제1 처리가스와제2 처리가스를순차공급함과함께, 상기제1 처리가스와제2 처리가스를 1회씩상기기판상에공급하는단계를 1 사이클로하고, 상기 1 사이클을반복함으로써상기기판상에상기복수의가스의반응생성물의원자층또는분자층을퇴적시켜성막한다. 상기사이클의사이클시간이 0.5초이하로설정된다.

公开(公告)号：KR1020150004286A

公开(公告)日：2015-01-12

申请号：KR1020140081847

申请日：2014-07-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/56 ,  H01L21/32051 ,  H01L28/00 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/205 ,  H01L2924/01002

Abstract: 본 발명에 따르면 성막 방법이 제공된다. 상기 성막 방법에서는, 챔버 내에서 기판 상에 서로 반응하는 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 순차 공급함과 함께, 상기 제1 처리 가스와 제2 처리 가스를 1회씩 상기 기판 상에 공급하는 단계를 1 사이클로 하고, 상기 1 사이클을 반복함으로써 상기 기판 상에 상기 복수의 가스의 반응 생성물의 원자층 또는 분자층을 퇴적시켜 성막한다. 상기 사이클의 사이클 시간이 0.5초 이하로 설정된다.

Abstract translation: 提供了一种沉积薄膜的方法。 在该方法中，顺序地供给彼此反应的第一处理气体和第二处理气体，其中将基板一次供给第一处理气体和第二处理的步骤定义为一个循环，使得 沉积多个气体的反应产物的原子层或分子层，并通过重复该一个循环在衬底上形成层。 循环的循环时间设定为等于或小于0.5秒。

公开(公告)号：KR101885411B1

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 기판에처리가스를공급하는공정과, 상기기판에분리가스를공급하는공정과, 상기기판에제1 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가제1 거리인상태에서제1 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에제2 플라즈마발생수단과상기회전테이블사이의거리가상기제1 거리보다작은제2 거리인상태에서제2 플라즈마처리용가스를공급하는공정과, 상기기판에상기분리가스를공급하는공정을갖는기판처리방법.

公开(公告)号：KR101658277B1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020140011672

申请日：2014-01-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  사토가오루 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/687 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/68771 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/68764

Abstract: 진공용기내에서기판에박막을성막하기위한성막장치는회전테이블과, 제1 처리가스를공급하는제1 처리가스공급부와, 제2 처리가스를공급하는가스노즐과, 상기가스노즐을덮도록설치된노즐커버와, 분리가스공급부를구비하고, 상기노즐커버는천장벽부와, 이천장벽부에있어서의상기회전테이블의회전방향상류측및 하류측의각각의테두리부로부터하방측을향해연신되는상류측벽부및 하류측벽부를구비하고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면은경사진경사면으로서형성되고, 상기상류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ1이, 상기하류측벽부에있어서의상기가스노즐측의내면이상기회전테이블의표면과의이루는각도θ2보다도작아지도록구성된다.

公开(公告)号：KR1020150001640A

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020140076618

申请日：2014-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45557 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/02274 ,  C23C16/50 ,  H01L21/0228

Abstract: 진공 용기 내에서 기판에 대해 박막을 형성하는 성막 방법으로, 가스를 플라즈마화하여 얻어진, 상기 박막의 품질에 관여하는 활성종을 기판에 공급하는 공정을 포함하고, 기판에 제1 막을 성막하는 제1 공정과, 가스를 플라즈마화하여 얻어진, 상기 박막의 품질에 관여하는 활성종을, 제어 파라미터를 조정함으로써, 단위 막 두께당 활성종의 공급량이 상기 제1 공정에 있어서의 단위 막 두께당 활성종의 제1 공급량보다도 많아지도록 기판에 공급하는 공정을 포함하고, 상기 제1 막 상에 당해 제1 막과 동일한 종별의 막인 제2 막을 성막하는 제2 공정을 구비하였다.

Abstract translation: 本发明涉及一种膜沉积方法，一种存储介质和一种成膜装置。 薄膜沉积方法是在真空室内的基板上沉积薄膜的方法。 该方法包括：将第一膜沉积在基板上的第一工艺，第一工艺包括提供通过将气体改变为等离子体获得的活性物质的过程，并且与薄膜的质量相关; 以及在第一膜上沉积与第一膜相同类型的第二膜的第二工艺，第二工艺包括向基板供应活性物质的过程，使得每个活性物质的供应量 通过调整受控参数，单位膜厚度大于第一工序中单位膜厚度的活性物质的第一供给量。

公开(公告)号：KR1020140083884A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: A method of forming a layer forms a layer using an atomic layer deposition (ALD) method by rotating a rotation table, which is provided in a chamber and is able to load a substrate (W) on a substrate loading part, so that a substrate passes through a first treatment region and a second treatment region, which supply different types of gas reacting with each other. The method includes a coating step of forming a layer on the rotation table while the substrate loading part is at a predetermined temperature by rotating the rotation table without loading the substrate on the substrate loading part; and a processing step of forming the layer on the substrate while the substrate loading part or the substrate is below the predetermined temperature by rotating the rotation table having the substrate loaded on the substrate loading part.

Abstract translation: 使用原子层沉积（ALD）方法形成层的方法通过旋转设置在室中的旋转台，并且能够将基板（W）加载在基板装载部上，从而使基板 通过第一处理区域和第二处理区域，其提供不同类型的气体彼此反应。 该方法包括：涂覆步骤，通过旋转旋转台而在衬底装载部分上加载衬底而在衬底装载部分处于预定温度的同时在旋转台上形成层; 以及处理步骤，通过旋转具有装载在基板装载部上的基板的旋转台，在基板装载部或基板低于预定温度的同时，在基板上形成该层。

公开(公告)号：KR100584191B1

公开(公告)日：2006-05-29

申请号：KR1020047016739

申请日：2003-04-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가키모토아키노부 ,  오시모겐타로 ,  마츠도마사히코

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45502 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/67017

Abstract: 본 발명에 의한 처리 장치는 처리 용기와, 상기 처리 용기의 천장부에 설치되고, 상기 처리 용기의 내부측에 면하는 가스 분사면에 소정의 처리 가스를 상기 처리 용기내로 분출하는 복수의 가스 분사 구멍이 형성된 샤워 헤드 구조와, 상기 처리 용기내에 있어서 상기 샤워 헤드 구조에 대향하도록 배치된 탑재대를 구비한다. 상기 가스 분사면과 상기 탑재대 사이의 헤드 거리와 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가, 상기 헤드 거리를 가로축으로 하고 상기 가스 분출 속도를 세로축으로 한 평면 좌표계에 있어서, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 32 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 15 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 67 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 40 m/sec인 포인트와, 상기 헤드 거리가 77 mm일 때에 있어서의 상기 가스 분사 구멍으로부터의 가스 분출 속도가 113 m/sec인 포인트를 사각형상으로 직선으로 연결하여 둘러싸이는 범위내로 설정되어 있다.

公开(公告)号：KR101774086B1

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：KR1020140076618

申请日：2014-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45557 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/32816

Abstract: 진공용기내에서기판에대해박막을형성하는성막방법으로, 가스를플라즈마화하여얻어진, 상기박막의품질에관여하는활성종을기판에공급하는공정을포함하고, 기판에제1 막을성막하는제1 공정과, 가스를플라즈마화하여얻어진, 상기박막의품질에관여하는활성종을, 제어파라미터를조정함으로써, 단위막 두께당활성종의공급량이상기제1 공정에있어서의단위막 두께당활성종의제1 공급량보다도많아지도록기판에공급하는공정을포함하고, 상기제1 막상에당해제1 막과동일한종별의막인제2 막을성막하는제2 공정을구비하였다.

Abstract translation: 1。一种在真空容器中的基板上形成薄膜的方法，所述方法包括：将通过等离子体形成气体获得的与薄膜的质量有关的活性物种供应到基板， 通过调节控制参数，以便可以控制涉及通过将气体转化为等离子体而获得的薄膜质量的活性物种，从而每单位膜厚度的每单位膜厚度的活性物种的量 1提供给基板以大于第一膜的供应量;以及第二步骤，在第一膜上形成与第一膜相同种类的膜。

公开(公告)号：KR101649783B1

公开(公告)日：2016-08-19

申请号：KR1020130159966

申请日：2013-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오시모겐타로 ,  고아쿠츠마사토 ,  사사키히로코 ,  이케가와히로아키

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/687 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45551 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/76841

Abstract: 챔버내에설치되고, 기판적재부에기판(W)을적재가능한회전테이블을회전시킴으로써, 서로반응하는다른종류의가스를공급하는제1 및제2 처리영역을통과시켜, 원자퇴적(ALD)법에의해성막을행하는성막방법이며, 상기기판적재부에상기기판을적재하지않고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부를소정온도로한 상태에서상기회전테이블상에상기성막을행하는코팅공정과, 상기기판적재부에상기기판을적재하고상기회전테이블을회전시켜, 상기기판적재부또는상기기판을상기소정온도이하로한 상태에서상기기판상에상기성막을행하는프로세스공정을갖는다.

公开(公告)号：KR1020150094533A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020150019333

申请日：2015-02-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  사토준 ,  무라타마사히로 ,  오시모겐타로 ,  스가노도모코 ,  미우라시게히로

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02315

Abstract: 기판에 처리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 분리 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제1 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 제1 거리인 상태에서 제1 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 제2 플라즈마 발생 수단과 상기 회전 테이블 사이의 거리가 상기 제1 거리보다 작은 제2 거리인 상태에서 제2 플라즈마 처리용 가스를 공급하는 공정과, 상기 기판에 상기 분리 가스를 공급하는 공정을 갖는 기판 처리 방법.

Abstract translation: 根据本发明的实施例的基板处理方法包括：向基板提供处理气体的过程; 将分离气体供给到基板的工序; 在第一等离子体产生装置和旋转台之间的距离是第一距离的同时向基板供应第一等离子体处理气体的过程; 在第二等离子体产生装置和旋转台之间的距离比第一距离短的第二距离的情况下，向基板供给第二等离子体处理气体的过程; 以及将分离气体供给到基板的工序。