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    반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체
    1.
    发明公开
    반도체 장치의 제조 방법 및 기억 매체 审中-实审
    半导体器件制造方法和存储介质

    公开(公告)号：KR1020170026165A

    公开(公告)日：2017-03-08

    申请号：KR1020160106197

    申请日：2016-08-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 챵,펑 ,  마츠모토,겐지 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238

    Abstract: MnOx막상에 Ru막을형성하고, 그위에 Cu막을형성하여, CMP를행할때, CMP에의한 Ru막제거의문제를해소한다. TiN막으로이루어지는하드마스크(203)를사용해서층간절연막(202)에트렌치(204)를형성하고, 하드마스크(203)를남긴채, MnOx막(205)을 ALD에의해형성하고, 계속해서, MnOx막(205)의표면에수소라디칼처리를실시하고, 계속해서, Ru막(207)을 CVD에의해형성하고, 계속해서, Cu계막(208)을 PVD에의해형성해서트렌치(204) 내에 Cu계막을매립하고, 계속해서, CMP를행한다. TiN막상의 MnOx막(205)은, MnTiO등으로되고, 수소라디칼처리에서는산화물인채로제1 Mn 함유막(206a)이며, Ru막은층간절연막(202)에대응하는표면이환원된제2 Mn 함유막(206b) 상에선택적으로형성된다.

    Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括制备具有层间绝缘膜和设置在层间绝缘膜上并具有预定图案的硬掩模的衬底，蚀刻层间绝缘膜以形成沟槽，通过ALD法形成MnO x膜 在硬掩模留在层间绝缘膜上的状态下，MnO x膜通过与层间绝缘膜反应而变成自形成阻挡膜，对MnO x膜进行氢自由基加工，形成Ru膜通过 CVD方法，通过PVD法形成Cu基膜或通过PVD法形成Cu种子，然后进行Cu电镀处理以将Cu基膜包埋在沟槽内，并进行CMP方法 以去除硬掩模并形成Cu布线。

    Cu 배선의 제조 방법 및 기억 매체
    5.
    发明授权
    Cu 배선의 제조 방법 및 기억 매체 有权
    Cu布线和存储介质的制造方法

    公开(公告)号：KR101846049B1

    公开(公告)日：2018-04-05

    申请号：KR1020150032466

    申请日：2015-03-09

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이시자카,다다히로 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무 ,  마츠모토,겐지 ,  챵,펑 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

    CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: 극히미세한오목부이어도충분한 Cu의매립성을확보할수 있는 Cu 배선의제조방법을제공한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대하여상기오목부를매립하는 Cu 배선을제조하는데있어서, 적어도오목부(203)의표면에, 층간절연막(202)과의반응으로자기정합배리어막이되는 MnOx막(204)을형성하는공정과, MnOx막(204)의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnOx막(204)의표면에 Ru보다도활성인금속(205)을존재시키는공정과, 그후, Ru막(206)을형성하는공정과, 그후, Ru막(206) 위에 Cu막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu막(207)을매립하는공정을갖는다.

    Abstract translation: 本发明提供即使在微小的凹部也能够确保Cu的充分的钎焊性的Cu布线的制造方法。 相对于所述基板（W），具有层间绝缘膜202用的凹部具有用于嵌入凹部，至少所述凹部203的表面中的Cu布线的制造中形成的表面上形成预定图案203，层间绝缘膜（ 响应于氢自由基处理而形成作为自匹配阻挡膜的MnO x膜204的步骤，对MnO x膜204的表面施加氢自由基处理的步骤， 通过PVD在Ru膜206上形成Cu膜207以在Ru膜206上形成凹部206， 203上具有Cu膜207。

    망간 실리케이트 막의 형성 방법, 처리 시스템, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 반도체 디바이스
    6.
    发明公开
    망간 실리케이트 막의 형성 방법, 처리 시스템, 반도체 디바이스의 제조 방법 및 반도체 디바이스 无效
    锰硅膜形成方法，加工系统，半导体器件制造方法和半导体器件

    公开(公告)号：KR1020140040000A

    公开(公告)日：2014-04-02

    申请号：KR1020130110224

    申请日：2013-09-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토,겐지 ,  하마다,타츠후미

    IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56

    CPC classification number: H01L21/76864 ,  C23C16/18 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76856 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    Abstract: The present invention provides a manganese silicate film forming method which makes silicate good even though the state (addend) of deposited manganese is any value. A manganese silicate film forming method according to one embodiment of the present invention includes a process of forming a metal manganese layer on an underlayer which includes silicon, by using a manganese compound gas, a process of annealing the metal manganese layer in an oxidation atmosphere after the metal manganese layer is formed, and a step of forming a metal silicate layer by annealing it in a reducing atmosphere after annealing it in the oxidation atmosphere. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Degassing process; (CC) Process 1; (DD) Metal manganese deposition process; (EE) Process 2; (FF) Oxidizing atmosphere annealing process; (GG) Process 3; (HH) Reducing atmosphere annealing process; (II) Process 4; (JJ) End

    Abstract translation: 本发明提供一种使硅酸盐良好的硅酸锰成膜方法，即使沉积的锰的状态（添加量）是任何值。 根据本发明的一个实施方案的硅酸锰膜形成方法包括通过使用锰化合物气体在包含硅的底层上形成金属锰层的方法，在氧化气氛中退火金属锰层之后的方法 形成金属锰层，通过在氧化气氛中退火后，在还原气氛中退火而形成金属硅酸盐层的工序。 （附图标记）（AA）开始; （BB）脱气过程; （CC）过程1; （DD）金属锰沉积工艺; （EE）过程2; （FF）氧化气氛退火工艺; （GG）过程3; （HH）还原气氛退火工艺; （二）工艺4; （JJ）结束

    구리 배선을 가진 기판을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법
    9.
    发明公开
    구리 배선을 가진 기판을 구비하는 반도체 장치의 제조 방법 有权
    制造具有铜相互连接的基板的半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020150108751A

    公开(公告)日：2015-09-30

    申请号：KR1020150031025

    申请日：2015-03-05

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토,겐지 ,  가와사키,히로아키 ,  나가이,히로유키

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/316

    CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/324 ,  H01L2924/01025

    Abstract: 본 발명은, 층간 절연막(11)의 표면에 노출된 구리 배선(14)의 표면을 박막에 의해 덮는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 구리 배선(14)의 표면에 망간 산화물의 층(25)을 형성하는 기술을 제공하는 것이다. 연마에 의해 층간 절연막(11)의 표면에 구리 배선(14)이 노출된 웨이퍼(W)를 어닐 장치에 반입해서 어닐 처리를 행하여, 연마 시에 사용된 슬러리에 포함되어 있던 BTA의 박층(23)을 구리 배선(14)의 표면으로부터 제거한다. 계속해서 웨이퍼(W)를 반송 용기(C)에 수용하여 대기에 노출시킴으로써 구리 배선(14)의 표면을 산화시켜 CuO
    x 층(24)을 형성한다. 그 후, 반송 용기(C)를, ALD 장치(5)를 구비한 진공 처리 장치에 반송하고, ALD 장치(5)에 있어서, 웨이퍼(W)에 아미드아미노알칸계 망간 화합물을 원료로 하는 원료 가스와 수증기를 교대로 공급하여, 구리 배선(14)의 표면에 망간 산화물의 층(25)을 형성하고 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于通过薄膜覆盖暴露于层间绝缘膜（11）的表面的铜互连（14）的表面的半导体器件的制造方法。 此外，本发明提供了在铜互连（14）的表面上形成氧化锰层（25）的技术。 通过退火作为晶片（W）从铜互连件（14）的表面除去在研磨中使用的浆料中所含的BTA的薄层（23），其中铜互连（14）暴露于 层间绝缘膜（11）通过抛光进入退火装置。 通过将晶片（W）连续地容纳在携带容器（C）中来使晶片（W）暴露于大气中，通过氧化铜互连（14）的表面来形成CuO_层（24）。 此后，携带容器（C）被携带到包括ALD装置（5）的真空处理装置中。 在ALD装置（5）中，将水蒸气和酰胺氨基烷烃锰化合物为原料的原料气体交替供给到晶片（W），由此形成氧化锰层（25）， 铜互连（14）的表面。

    망간 함유막의 형성 방법, 처리 시스템, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스
    10.
    发明公开
    망간 함유막의 형성 방법, 처리 시스템, 전자 디바이스의 제조 방법 및 전자 디바이스 有权
    包含膜的成膜方法，加工系统，电子装置制造方法和电子装置

    公开(公告)号：KR1020140085329A

    公开(公告)日：2014-07-07

    申请号：KR1020130161197

    申请日：2013-12-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 마츠모토,겐지

    IPC: H01L21/285 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/00

    Abstract: The present invention provides a method of forming a manganese-containing layer by a chemical growth scheme capable of forming a manganese-containing layer having at least one layer of manganese silicate and manganese oxide on an interface of a substrate having silicon and oxygen, and also having a satisfactory adhesion to an upper metal layer. The method of forming a manganese-containing layer according to an embodiment of the present invention includes the steps of degas-treating a substrate by a heat treatment of the substrate having silicon and oxygen; and forming a metal manganese layer by a chemical growth scheme on the degas-treated substrate by using a gas having a manganese compound. The layer forming temperature in the layer forming process is higher than the degas processing temperature in the degas treating process, and reductive reaction gas is further supplied in the layer forming process, thereby forming a manganese-containing layer including an interface layer having at least one of manganese silicate and manganese oxide formed on an interface with respect to the substrate and a metal manganese layer formed on the interface layer.

    Abstract translation: 本发明提供一种通过化学生长方案形成含锰层的方法，该方法能够在具有硅和氧的衬底的界面上形成具有至少一层硅酸锰和氧化锰的含锰层，并且还 对上层金属层具有令人满意的粘附性。 根据本发明的实施方案的形成含锰层的方法包括通过对具有硅和氧的基板进行热处理对基板进行脱气处理的步骤; 以及通过使用具有锰化合物的气体通过脱气处理的基板上的化学生长方案形成金属锰层。 层形成过程中的层形成温度高于脱气处理过程中的脱气处理温度，并且在层形成工艺中进一步供给还原反应气体，从而形成含有锰的层，其含有至少一个 在相对于衬底的界面上形成的硅酸锰和氧化锰以及在界面层上形成的金属锰层。

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