公开(公告)号：KR1020150131969A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：KR1020150063921

申请日：2015-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카,다다히로 ,  히라사와,다츠오 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/76882 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883

Abstract: 본발명은트렌치바닥에서의 Cu 덩어리의형성을억제하여매립불량을억제할수 있는 Cu 배선의제조방법및 기억매체를제공한다. 본발명의일 실시예에따른 Cu 배선의제조방법에따르면, 표면에소정패턴의트렌치가형성된층간절연막을갖는기판에대하여배리어막을형성하고, CVD에의해 Ru막을형성하고, 그위에 Cu막을형성하여트렌치를매립하여 Cu 배선을제조함에있어서, Cu막을형성할때에는, iPVD 장치를사용하여, 최초로, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막이플라즈마생성가스의이온작용에의해리스퍼터링되는조건에서처리를행하고, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막을리스퍼터링하면서트렌치의저부의코너부에 Cu막을형성하고, 계속해서, 기판의필드부에 Cu막이형성되고, 또한필드부의 Cu막이플라즈마생성가스의이온작용에의해트렌치내에리플로우되는조건에서, 트렌치내에 Cu막을매립한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种Cu丝制造方法和记录介质，其能够通过抑制沟槽地板上的Cu块的形成来抑制不良的再生。 根据本发明的一个实施方案，Cu线制造方法能够通过在表面上形成具有预定图案的沟槽的层间绝缘膜的基板的阻挡膜来形成Cu线，由Ru CVD，并在Ru膜上形成Cu膜以回收沟槽。 当形成Cu膜时，通过使用iPVD器件在通过等离子体产生气体的电离将Cu膜或Cu合金膜重新溅射的条件下，初始形成的Cu膜或Cu合金膜进行处理。 当形成的Cu膜或Cu合金膜被重新溅射时，Cu膜形成在沟槽底部的一个角部。 连续地，在基板的场部形成Cu膜，此外，通过等离子体产生电离，场地部分的Cu膜被回流到沟槽中的状态下，在沟槽中回收Cu膜 加油站。

公开(公告)号：KR101741896B1

公开(公告)日：2017-05-30

申请号：KR1020150063921

申请日：2015-05-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카,다다히로 ,  히라사와,다츠오 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/76882 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76883

Abstract: 본발명은트렌치바닥에서의 Cu 덩어리의형성을억제하여매립불량을억제할수 있는 Cu 배선의제조방법및 기억매체를제공한다. 본발명의일 실시예에따른 Cu 배선의제조방법에따르면, 표면에소정패턴의트렌치가형성된층간절연막을갖는기판에대하여배리어막을형성하고, CVD에의해 Ru막을형성하고, 그위에 Cu막을형성하여트렌치를매립하여 Cu 배선을제조함에있어서, Cu막을형성할때에는, iPVD 장치를사용하여, 최초로, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막이플라즈마생성가스의이온작용에의해리스퍼터링되는조건에서처리를행하고, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막을리스퍼터링하면서트렌치의저부의코너부에 Cu막을형성하고, 계속해서, 기판의필드부에 Cu막이형성되고, 또한필드부의 Cu막이플라즈마생성가스의이온작용에의해트렌치내에리플로우되는조건에서, 트렌치내에 Cu막을매립한다.

Abstract translation: 本发明提供Cu布线的方法和存储介质，其能够抑制沟槽底部的Cu簇的形成并抑制有缺陷的填充。 根据Cu线在根据本发明的一个实施例中，与具有中间层具有形成在阻挡膜的表面上形成预定图案的绝缘沟槽的衬底上形成的制造方法，以及通过CVD形成Ru膜，在其上形成的膜的Cu 根据以填充沟槽以制备Cu布线，Cu，形成膜时，使用iPVD的装置，首先，膜形成Cu膜或Cu合金膜是，解离等离子体生成气体的离子作用的溅射条件下进行处理， 而膜上形成Cu膜或溅射Li膜Cu合金膜在沟槽底部拐角部形成的Cu，并且随后，形成在基片的字段的部分中的Cu膜，并通过该等离子体生成气体的离子作用沟槽Cu膜场部 铜膜埋在沟槽中。

公开(公告)号：KR1020150108316A

公开(公告)日：2015-09-25

申请号：KR1020150032466

申请日：2015-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카,다다히로 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무 ,  마츠모토,겐지 ,  챵,펑 ,  나가이,히로유키

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28506 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00

Abstract: 극히 미세한 오목부이어도 충분한 Cu의 매립성을 확보할 수 있는 Cu 배선의 제조 방법을 제공한다. 표면에 소정 패턴의 오목부(203)가 형성된 층간 절연막(202)을 갖는 기판(W)에 대하여 상기 오목부를 매립하는 Cu 배선을 제조하는데 있어서, 적어도 오목부(203)의 표면에, 층간 절연막(202)과의 반응으로 자기 정합 배리어막이 되는 MnOx막(204)을 형성하는 공정과, MnOx막(204)의 표면에 수소 라디칼 처리를 실시하는 공정과, 수소 라디칼 처리 후의 MnOx막(204)의 표면에 Ru보다도 활성인 금속(205)을 존재시키는 공정과, 그 후, Ru막(206)을 형성하는 공정과, 그 후, Ru막(206) 위에 Cu막(207)을 PVD에 의해 형성하여 오목부(203) 내에 Cu막(207)을 매립하는 공정을 갖는다.

Abstract translation: 本发明提供即使在极细的凹部中也能够确保充分的Cu埋入性的Cu布线的制造方法。 制造用于埋设凹部（203）相对于具有层间绝缘膜（202）的基板（W）的Cu布线的方法，其中，在表面上形成具有预定图案的凹部（203），包括 ：在凹部（203）的至少表面形成通过与层间绝缘膜（202）发生反应而成为自对准阻挡膜的MnOx膜（204）的工序; 氢化自由基处理MnO x膜（204）的表面的步骤; 在氢自由基处理后，在MnOx膜（204）的表面配置比Ru更有活性的金属（205）的工序; 此后形成Ru膜（206）的步骤; 以及通过以后通过PVD在Ru膜（206）上形成Cu膜（207）将Cu膜（207）埋入凹部（203）内的步骤。

公开(公告)号：KR101846049B1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：KR1020150032466

申请日：2015-03-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시자카,다다히로 ,  사쿠마,다카시 ,  요코야마,오사무 ,  마츠모토,겐지 ,  챵,펑 ,  나가이,히로유키

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 극히미세한오목부이어도충분한 Cu의매립성을확보할수 있는 Cu 배선의제조방법을제공한다. 표면에소정패턴의오목부(203)가형성된층간절연막(202)을갖는기판(W)에대하여상기오목부를매립하는 Cu 배선을제조하는데있어서, 적어도오목부(203)의표면에, 층간절연막(202)과의반응으로자기정합배리어막이되는 MnOx막(204)을형성하는공정과, MnOx막(204)의표면에수소라디칼처리를실시하는공정과, 수소라디칼처리후의 MnOx막(204)의표면에 Ru보다도활성인금속(205)을존재시키는공정과, 그후, Ru막(206)을형성하는공정과, 그후, Ru막(206) 위에 Cu막(207)을 PVD에의해형성하여오목부(203) 내에 Cu막(207)을매립하는공정을갖는다.

Abstract translation: 本发明提供即使在微小的凹部也能够确保Cu的充分的钎焊性的Cu布线的制造方法。 相对于所述基板（W），具有层间绝缘膜202用的凹部具有用于嵌入凹部，至少所述凹部203的表面中的Cu布线的制造中形成的表面上形成预定图案203，层间绝缘膜（ 响应于氢自由基处理而形成作为自匹配阻挡膜的MnO x膜204的步骤，对MnO x膜204的表面施加氢自由基处理的步骤， 通过PVD在Ru膜206上形成Cu膜207以在Ru膜206上形成凹部206， 203上具有Cu膜207。

公开(公告)号：KR1020170080549A

公开(公告)日：2017-07-10

申请号：KR1020170080412

申请日：2017-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마,오사무 ,  한천수 ,  사쿠마,다카시 ,  야스무로,치아키 ,  히라사와,다츠오 ,  이시자카,다다히로 ,  스즈키,겐지

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28061 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명은오목부에 Cu 배선을형성할때에배선저항의상승이나공정의증가를억제하고, 또한충분한매립성을확보하면서, 일렉트로마이그레이션내성이높은 Cu 배선을얻을수 있는 Cu 배선의형성방법을제공한다. 본발명의일 실시예에따른 Cu 배선의형성방법은기판표면에존재하는절연막에형성된소정패턴의오목부에 Cu 배선을형성하는 Cu 배선의형성방법으로서, 적어도상기오목부의표면에 Cu 확산의배리어가되는배리어막을형성하는공정과, 상기배리어막위에 CVD에의해 Ru막을형성하는공정과, 상기 Ru막위에 PVD에의해 Cu 합금막을형성하여상기오목부내에상기 Cu 합금막을매립하는공정과, 상기오목부내의 Cu 합금막으로부터 Cu 배선을형성하는공정과, 상기 Cu 배선위에유전체막을형성하는공정을포함한다.

Abstract translation: 本发明抑制了上升或增加布线电阻的在形成在凹部中的Cu布线的过程中，并进一步提供了形成Cu布线，其中，同时确保足够的嵌入性，得到的抗电迁移性高的铜布线的方法 。 在根据本发明的一个实施方式，形成Cu布线的方法提供了一种形成Cu布线形成在形成于存在于基材表面上的绝缘膜，Cu扩散的在所述凹部的至少表面上的屏障图案的预定的凹部的Cu布线的方法 阻挡步骤，包埋在阻隔膜形成由Ru膜通过CVD的工序的一个步骤中，将膜通过Cu合金在Ru膜具有的膜，其中在所述凹部中的Cu合金中，凹部以形成膜形成用PVD该 在基板上由Cu合金膜形成Cu布线的工序;在Cu布线上形成电介质膜的工序。

公开(公告)号：KR1020150002508A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：KR1020140078414

申请日：2014-06-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 요코야마,오사무 ,  한천수 ,  사쿠마,다카시 ,  야스무로,치아키 ,  히라사와,다츠오 ,  이시자카,다다히로 ,  스즈키,겐지

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28061 ,  H01L2924/00

Abstract: 본 발명은 오목부에 Cu 배선을 형성할 때에 배선 저항의 상승이나 공정의 증가를 억제하고, 또한 충분한 매립성을 확보하면서, 일렉트로 마이그레이션 내성이 높은 Cu 배선을 얻을 수 있는 Cu 배선의 형성 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 Cu 배선의 형성 방법은 기판 표면에 존재하는 절연막에 형성된 소정 패턴의 오목부에 Cu 배선을 형성하는 Cu 배선의 형성 방법으로서, 적어도 상기 오목부의 표면에 Cu 확산의 배리어가 되는 배리어막을 형성하는 공정과, 상기 배리어막 위에 CVD에 의해 Ru막을 형성하는 공정과, 상기 Ru막 위에 PVD에 의해 Cu 합금막을 형성하여 상기 오목부 내에 상기 Cu 합금막을 매립하는 공정과, 상기 오목부 내의 Cu 합금막으로부터 Cu 배선을 형성하는 공정과, 상기 Cu 배선 위에 유전체막을 형성하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 提供一种形成铜（Cu）布线的方法，其中可以在抑制在凹槽中形成Cu布线并且确保足够的电路的同时抑制布线电阻的增加或加工过程中可以获得具有高耐迁移电阻的Cu布线 埋葬财产 根据本发明的实施方式的形成铜（Cu）布线的方法，其中在铜（Cu）布线中的衬底的表面上的绝缘膜中的预定图案的凹部中形成铜（Cu）布线的方法， 包括：至少在凹部的表面上形成阻挡膜，其中阻挡膜阻挡Cu的扩散; 通过化学机械沉积（CVD）在阻挡膜上形成Ru膜; 通过物理气相沉积（PVD）在Ru膜上形成Cu合金膜，以将Cu合金膜埋入凹槽中; 通过使用埋在凹部中的Cu合金膜形成Cu布线; 并在Cu布线上形成电介质膜。