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公开(公告)号：KR101709851B1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：KR1020150060528
申请日：2015-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카,다다히로
IPC: H01L21/314 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/06 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01L21/02107 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 종래보다도더욱양호한면내균일성을갖는막을성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. 처리용기내에설치된적재대의적재대본체에피처리기판을적재하고, 처리용기내를진공배기한상태에서, 적재대본체에설치된가열히터에의해피처리기판을가열하면서, 처리용기내에성막원료가스를공급하여, 피처리기판의표면에서성막원료가스를열분해또는반응시켜피처리기판상에소정의막을성막하는데에있어서, 성막원료가스의공급에앞서, 처리용기내에 H가스또는 He 가스를포함하는열전달가스를도입하여적재대본체의열을적재대본체의외측에열전달시킨다.
Abstract translation: 一种成膜方法，其中在将目标基底装载在安装在处理容器中的装载台的装载台体和处理容器的内部的状态下，将成膜材料气体供给到处理 容器，同时用安装在装载台主体中的加热器加热目标基板，在目标基板的表面上热分解或反应以在目标基板上形成预定的膜，包括引入含有H 2气体的传热气体或 在供给成膜材料气体之前，将He气体输送到加工容器中，以将装载台体的热量传递到装载台体的径向外侧。
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公开(公告)号：KR101807403B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160056957
申请日：2016-05-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카,다다히로
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L27/115 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/04 , C23C16/45523 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L29/42332
Abstract: 본발명은 CVD법에의해, 미세하면서도또한거의균등한분포로금속나노도트를형성하는방법을제공한다. 금속나노도트의형성방법은, CO 가스를수용하는 CO 가스용기(43)로부터, 원료로서고체상태의루테늄카르보닐을수용하는원료용기(41)에캐리어가스로서 CO 가스를공급함으로써, 루테늄카르보닐가스를 CO 가스와의혼합가스로서처리용기(1) 내에도입하고, 웨이퍼(W) 상에서루테늄카르보닐을분해시켜서금속나노도트를형성하는퇴적공정과, 처리용기(1) 내에의혼합가스의도입을정지한상태에서, CO 가스용기(43)로부터 CO 가스를처리용기(1) 내에직접도입해서웨이퍼(W)의표면에 CO 가스를접촉시키는 CO 가스도입공정을포함한다. 바람직하게는, 퇴적공정과 CO 가스도입공정을복수회반복한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种通过CVD形成精细且几乎均匀分布的金属纳米点的方法。 金属纳米点通过将含有CO气体的CO气体容器43的CO气体作为载气供给到含有固体羰基钌作为原料的原料容器41中以形成羰基钌 在处理容器1内导入作为CO气体的混合气体的气体，使晶片W上的羰基钌分解而形成金属纳米点，向处理容器1内导入混合气体的蒸镀工序 CO气体导入工序将CO气体容器43内的CO气体直接导入处理容器1内，使CO气体与晶片W的表面接触。 优选地，沉积过程和CO气体引入过程被重复多次。
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公开(公告)号：KR1020150101389A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020150023360
申请日：2015-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76867 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L21/7685 , H01L21/76841 , H01L2924/01044
Abstract: 종래보다도 더욱 양호한 스텝 커버리지로 루테늄막을 성막할 수 있는 기술을 제공한다. 처리 용기 내에 피처리 기판을 배치하고, 성막 원료로서 고체 상태의 루테늄카르보닐을 이용하고, 고체 상태의 루테늄카르보닐로부터 발생한 루테늄카르보닐 가스를, 캐리어 가스로서의 CO 가스와 함께 처리 용기 내에 공급하고, 루테늄카르보닐 가스와는 별개로 부가적인 CO 가스를 상기 처리 용기 내에 더 공급하고, 피처리 기판 위에서 루테늄카르보닐을 분해시켜서 루테늄막을 성막한다.
Abstract translation: 提供了能够形成具有比现有技术更好的台阶覆盖率的钌膜的技术。 将待处理的基板设置在处理容器中，并且使用固态的羰基钌作为膜沉积的原料。 由固体状态的羰基钌生成的钌羰基气体与CO气体一起作为载气供给到处理容器中，另外的CO气体与羰基钌羰基气体分开地供给到处理容器中。 然后，通过溶解羰基钌在待加工的基材上形成钌膜。
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公开(公告)号：KR101741896B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150063921
申请日：2015-05-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/76882 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76883
Abstract: 본발명은트렌치바닥에서의 Cu 덩어리의형성을억제하여매립불량을억제할수 있는 Cu 배선의제조방법및 기억매체를제공한다. 본발명의일 실시예에따른 Cu 배선의제조방법에따르면, 표면에소정패턴의트렌치가형성된층간절연막을갖는기판에대하여배리어막을형성하고, CVD에의해 Ru막을형성하고, 그위에 Cu막을형성하여트렌치를매립하여 Cu 배선을제조함에있어서, Cu막을형성할때에는, iPVD 장치를사용하여, 최초로, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막이플라즈마생성가스의이온작용에의해리스퍼터링되는조건에서처리를행하고, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막을리스퍼터링하면서트렌치의저부의코너부에 Cu막을형성하고, 계속해서, 기판의필드부에 Cu막이형성되고, 또한필드부의 Cu막이플라즈마생성가스의이온작용에의해트렌치내에리플로우되는조건에서, 트렌치내에 Cu막을매립한다.
Abstract translation: 本发明提供Cu布线的方法和存储介质，其能够抑制沟槽底部的Cu簇的形成并抑制有缺陷的填充。 根据Cu线在根据本发明的一个实施例中，与具有中间层具有形成在阻挡膜的表面上形成预定图案的绝缘沟槽的衬底上形成的制造方法，以及通过CVD形成Ru膜，在其上形成的膜的Cu 根据以填充沟槽以制备Cu布线，Cu，形成膜时，使用iPVD的装置，首先，膜形成Cu膜或Cu合金膜是，解离等离子体生成气体的离子作用的溅射条件下进行处理， 而膜上形成Cu膜或溅射Li膜Cu合金膜在沟槽底部拐角部形成的Cu，并且随后，形成在基片的字段的部分中的Cu膜，并通过该等离子体生成气体的离子作用沟槽Cu膜场部 铜膜埋在沟槽中。
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公开(公告)号：KR1020150129288A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：KR1020150060528
申请日：2015-04-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카,다다히로
IPC: H01L21/314 , H01L21/324 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/06 , C23C16/16 , C23C16/4412 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01L21/02107 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 종래보다도더욱양호한면내균일성을갖는막을성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공한다. 처리용기내에설치된적재대의적재대본체에피처리기판을적재하고, 처리용기내를진공배기한상태에서, 적재대본체에설치된가열히터에의해피처리기판을가열하면서, 처리용기내에성막원료가스를공급하여, 피처리기판의표면에서성막원료가스를열분해또는반응시켜피처리기판상에소정의막을성막하는데에있어서, 성막원료가스의공급에앞서, 처리용기내에 H가스또는 He 가스를포함하는열전달가스를도입하여적재대본체의열을적재대본체의외측에열전달시킨다.
Abstract translation: 提供了一种成膜方法和成膜装置，与现有的膜相比，能够在表面上形成具有高均匀性的膜。 将目标基板装载在安装在处理容器中的装载台的装载台体上。 当处理容器的内部被抽空到真空状态时，通过安装在装载台体中的加热器对目标基板进行加热，将成膜材料气体供给到处理容器中。 通过热分解或使成膜材料气体在目标基板的表面上反应，在目标基板上形成预定的膜。 在供给成膜材料气体之前，通过将包括H 2气体或He气体的传热气体引入到处理容器内，将装载台体的热量传递到装载台体的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150108316A
公开(公告)日：2015-09-25
申请号：KR1020150032466
申请日：2015-03-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/28568 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L21/3205 , H01L21/28506 , H01L2924/01029 , H01L2924/00
Abstract: 극히 미세한 오목부이어도 충분한 Cu의 매립성을 확보할 수 있는 Cu 배선의 제조 방법을 제공한다. 표면에 소정 패턴의 오목부(203)가 형성된 층간 절연막(202)을 갖는 기판(W)에 대하여 상기 오목부를 매립하는 Cu 배선을 제조하는데 있어서, 적어도 오목부(203)의 표면에, 층간 절연막(202)과의 반응으로 자기 정합 배리어막이 되는 MnOx막(204)을 형성하는 공정과, MnOx막(204)의 표면에 수소 라디칼 처리를 실시하는 공정과, 수소 라디칼 처리 후의 MnOx막(204)의 표면에 Ru보다도 활성인 금속(205)을 존재시키는 공정과, 그 후, Ru막(206)을 형성하는 공정과, 그 후, Ru막(206) 위에 Cu막(207)을 PVD에 의해 형성하여 오목부(203) 내에 Cu막(207)을 매립하는 공정을 갖는다.
Abstract translation: 本发明提供即使在极细的凹部中也能够确保充分的Cu埋入性的Cu布线的制造方法。 制造用于埋设凹部（203）相对于具有层间绝缘膜（202）的基板（W）的Cu布线的方法，其中，在表面上形成具有预定图案的凹部（203），包括 ：在凹部（203）的至少表面形成通过与层间绝缘膜（202）发生反应而成为自对准阻挡膜的MnOx膜（204）的工序; 氢化自由基处理MnO x膜（204）的表面的步骤; 在氢自由基处理后，在MnOx膜（204）的表面配置比Ru更有活性的金属（205）的工序; 此后形成Ru膜（206）的步骤; 以及通过以后通过PVD在Ru膜（206）上形成Cu膜（207）将Cu膜（207）埋入凹部（203）内的步骤。
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公开(公告)号：KR102096143B1
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：KR1020170083687
申请日：2017-06-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/3105 , H01L21/324
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公开(公告)号：KR101730229B1
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020150023360
申请日：2015-02-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76867 , C23C16/16 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 종래보다도더욱양호한스텝커버리지로루테늄막을성막할수 있는기술을제공한다. 처리용기내에피처리기판을배치하고, 성막원료로서고체상태의루테늄카르보닐을이용하고, 고체상태의루테늄카르보닐로부터발생한루테늄카르보닐가스를, 캐리어가스로서의 CO 가스와함께처리용기내에공급하고, 루테늄카르보닐가스와는별개로부가적인 CO 가스를상기처리용기내에더 공급하고, 피처리기판위에서루테늄카르보닐을분해시켜서루테늄막을성막한다.
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公开(公告)号：KR1020160137369A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：KR1020160056957
申请日：2016-05-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 이시자카,다다히로
IPC: H01L21/285 , H01L21/02 , H01L29/06 , H01L27/115 , H01L21/28
CPC classification number: C23C16/16 , C23C16/04 , C23C16/45523 , H01L21/28273 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L29/42332
Abstract: 본발명은 CVD법에의해, 미세하면서도또한거의균등한분포로금속나노도트를형성하는방법을제공한다. 금속나노도트의형성방법은, CO 가스를수용하는 CO 가스용기(43)로부터, 원료로서고체상태의루테늄카르보닐을수용하는원료용기(41)에캐리어가스로서 CO 가스를공급함으로써, 루테늄카르보닐가스를 CO 가스와의혼합가스로서처리용기(1) 내에도입하고, 웨이퍼(W) 상에서루테늄카르보닐을분해시켜서금속나노도트를형성하는퇴적공정과, 처리용기(1) 내에의혼합가스의도입을정지한상태에서, CO 가스용기(43)로부터 CO 가스를처리용기(1) 내에직접도입해서웨이퍼(W)의표면에 CO 가스를접촉시키는 CO 가스도입공정을포함한다. 바람직하게는, 퇴적공정과 CO 가스도입공정을복수회반복한다.
Abstract translation: 金属纳米点形成方法包括：将目标基板装载在处理装置的处理容器内; 在目标衬底的表面上沉积多个金属纳米点，其顺序为：将CO气体从存储有CO气体的CO气体容器供应到存储金属羰基化合物的原料容器中; 产生金属羰基化合物的气体; 将产生的含有CO气体的混合气体的羰基化合物的气体引入加工容器中; 并在目标基板上分解羰基金属化合物，并将CO气体从CO气体容器直接引入到处理容器中，在停止向处理容器中引入混合气体的状态下，CO气体为 与目标基板的表面上的金属纳米点接触。
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公开(公告)号：KR1020150131969A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：KR1020150063921
申请日：2015-05-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/768 , H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/76882 , H01L21/2855 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76883
Abstract: 본발명은트렌치바닥에서의 Cu 덩어리의형성을억제하여매립불량을억제할수 있는 Cu 배선의제조방법및 기억매체를제공한다. 본발명의일 실시예에따른 Cu 배선의제조방법에따르면, 표면에소정패턴의트렌치가형성된층간절연막을갖는기판에대하여배리어막을형성하고, CVD에의해 Ru막을형성하고, 그위에 Cu막을형성하여트렌치를매립하여 Cu 배선을제조함에있어서, Cu막을형성할때에는, iPVD 장치를사용하여, 최초로, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막이플라즈마생성가스의이온작용에의해리스퍼터링되는조건에서처리를행하고, 성막되는 Cu막또는 Cu 합금막을리스퍼터링하면서트렌치의저부의코너부에 Cu막을형성하고, 계속해서, 기판의필드부에 Cu막이형성되고, 또한필드부의 Cu막이플라즈마생성가스의이온작용에의해트렌치내에리플로우되는조건에서, 트렌치내에 Cu막을매립한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种Cu丝制造方法和记录介质，其能够通过抑制沟槽地板上的Cu块的形成来抑制不良的再生。 根据本发明的一个实施方案，Cu线制造方法能够通过在表面上形成具有预定图案的沟槽的层间绝缘膜的基板的阻挡膜来形成Cu线，由Ru CVD，并在Ru膜上形成Cu膜以回收沟槽。 当形成Cu膜时，通过使用iPVD器件在通过等离子体产生气体的电离将Cu膜或Cu合金膜重新溅射的条件下，初始形成的Cu膜或Cu合金膜进行处理。 当形成的Cu膜或Cu合金膜被重新溅射时，Cu膜形成在沟槽底部的一个角部。 连续地，在基板的场部形成Cu膜，此外，通过等离子体产生电离，场地部分的Cu膜被回流到沟槽中的状态下，在沟槽中回收Cu膜 加油站。
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