公开(公告)号：KR100619470B1

公开(公告)日：2006-09-08

申请号：KR1020047002874

申请日：2002-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카와시게미 ,  마츠시타미노루 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: A hole which is to be a part of an interconnection (wiring) hole (21) is formed penetrating through a second insulating layer (13) and a third insulating layer (14) made of porous silicon oxide film, by etching. Further, a second groove (23) is formed on the third insulating layer (14) using a second stopper film (20), by etching. Further, direct nitriding of a silicon oxide film applying an RLSA plasma processing deice is carried out on the side wall of the interconnection hole (21) and the second groove (23), and a barrier layer (25) made of SiN film is formed. Here, the second stopper film (20) and the bazrier layer (25) are formed by the same direct nitriding.

Abstract translation: 通过蚀刻，形成穿过由多孔氧化硅膜制成的第二绝缘层（13）和第三绝缘层（14）的将成为互连（布线）孔（21）的一部分的孔。 此外，利用第二阻挡膜（20）通过蚀刻在第三绝缘层（14）上形成第二凹槽（23）。 此外，在互连孔（21）和第二沟槽（23）的侧壁上进行应用RLSA等离子体处理设备的氧化硅膜的直接氮化，并且形成由SiN膜制成的阻挡层（25） 。 这里，第二阻挡膜（20）和阻挡层（25）通过相同的直接氮化形成。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020040031013A

公开(公告)日：2004-04-09

申请号：KR1020047002874

申请日：2002-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카와시게미 ,  마츠시타미노루 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76834 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 에칭에 의해, 다공질 실리콘 산화막으로 이루어지는 제 2 절연층(13) 및 제 3 절연층(14)을 관통하여, 접속 구멍(21)의 일부로 되는 구멍을 형성한다. 또한, 제 2 스토퍼막(20)을 이용하여, 제 3 절연층(14)에, 제 2 홈(23)을 에칭에 의해 형성한다. 또한, 접속 구멍(21) 및 제 2 홈(23)의 측벽에, RLSA형의 플라즈마 처리장치를 이용한 실리콘 산화막의 직접 질화를 실시하여, SiN막으로 이루어지는 배리어층(25)을 형성한다. 여기서, 제 2 스토퍼막(20)도 배리어층(25)과 동일한 직접 질화에 의해 형성되어 있다.