公开(公告)号：KR100856531B1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：KR1020060044607

申请日：2006-05-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와카미사토루 ,  무라카와시게미 ,  유아사미쯔히로 ,  혼고토시아키

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은, 반도체 제조방법 및 반도체 제조장치에 관한 것으로, 처리가스 환경하에서 규소를 주성분으로 하는 웨이퍼(W)에 복수의 슬릿을 가지는 평면안테나부재 RLSA(60)를 매개로 마이크로파를 조사함으로써 산소, 또는 질소, 또는 산소와 질소를 포함하는 플라스마를 형성하고, 이 플라스마를 이용하여 상기 웨이퍼(W) 표면에 직접적으로 산화, 질화, 또는 산질화를 실시하여 산화막 상당 환산막두께로 1nm 이하인 절연막(2)을 형성함으로써, 실리콘기판과 SiN막과의 계면에서의 막질제어를 성공적으로 수행할 수 있으며, 또한 단시간 내에 고품질의 SiN막을 형성할 수 있는 반도체 제조방법 및 제조장치를 얻을 수 있는 기술이 제시된다.

公开(公告)号：KR100631767B1

公开(公告)日：2006-10-09

申请号：KR1020037007141

申请日：2002-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카와시게미 ,  쿠마이도시카즈 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  Y10S438/954 ,  Y10S438/981

Abstract: A gate insulation film (104) of a MISFET (100) is constituted of a silicon oxide film (106), silicon nitride film (107), and high-permittivity film (108). The silicon oxide film (106) and silicon nitride film (107) are formed by microwave plasma processing with a radial line slot antenna.

公开(公告)号：KR1020030091973A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：KR1020037009815

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 우수한 절연층이나 반도체층을 구비한 고품질의 MOS형 반도체 등의 전자 디바이스 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 단결정 실리콘을 주성분으로 하는 피처리 기체 상에 CVD 처리를 실시하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 피처리 기체를, 복수의 슬롯이 있는 평면 안테나 부재(SPA)를 통해 처리 가스에 마이크로파를 조사함으로써 생성한 플라즈마에 노출시키고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 개질하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020030051883A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020037007141

申请日：2002-08-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카와시게미 ,  쿠마이도시카즈 ,  나카니시도시오

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  Y10S438/954 ,  Y10S438/981

Abstract: MISFET(100)의 게이트 절연막(104)을 실리콘 산화막(106)과, 실리콘 질화막(107)과, 고유전율막(108)으로 구성한다. 실리콘 산화막(106) 및 실리콘 질화막(107)은 레이디얼 라인 슬롯 안테나를 이용한 마이크로파 플라즈마 처리에 의해 형성된다.

Abstract translation: MISFET（100）的栅极绝缘膜（104）由氧化硅膜（106），氮化硅膜（107）和高介电常数膜（108）构成。 氧化硅膜（106）和氮化硅膜（107）通过利用径向线缝隙天线的微波等离子体处理形成。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR100994387B1

公开(公告)日：2010-11-16

申请号：KR1020097009583

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.
플라즈마, 게이트 절연막, 산화막, 산질화막, 반도체,

公开(公告)号：KR1020090085100A

公开(公告)日：2009-08-06

申请号：KR1020097011882

申请日：2007-11-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라카와시게미

IPC: H01L31/04 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/511 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: A solar cell having high energy conversion efficiency is produced. The surface layer of an n-type polycrystalline silicon layer formed on a p-type polycrystalline silicon substrate is oxidized by using a plasma, and then a silicon nitride film is deposited thereon by CVD, thereby forming a passivation film on the surface layer of the polycrystalline silicon layer. The plasma oxidation process is performed at a pressure within the range of 6.67-6.67 8 102 Pa at a temperature within the range of 200-600‹C by using a plasma of a sheath potential of not more than 10 eV. A microwave for exciting a plasma is supplied into a process chamber through a slot antenna, and a plasma is generated by the surface wave of the microwave. ® KIPO & WIPO 2009

Abstract translation: 产生具有高能量转换效率的太阳能电池。 通过使用等离子体对形成在p型多晶硅基板上的n型多晶硅层的表面层进行氧化，然后通过CVD在其上沉积氮化硅膜，从而在其表面层上形成钝化膜 多晶硅层。 通过使用护套电位不超过10eV的等离子体，在200-600℃的温度范围内，在6.67-6.67×828Pa的范围内进行等离子体氧化处理。 用于激发等离子体的微波通过缝隙天线供给到处理室中，并且通过微波的表面波产生等离子体。 ®KIPO＆WIPO 2009

公开(公告)号：KR1020080031705A

公开(公告)日：2008-04-10

申请号：KR1020080019058

申请日：2008-02-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 카와카미사토루 ,  무라카와시게미 ,  유아사미쯔히로 ,  혼고토시아키

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02249 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185

Abstract: A semiconductor fabrication method and semiconductor fabrication equipment are provided to form an insulating film having good electrical characteristics in a short time by forming the insulating film out of a first film having good electric characteristics and a second film having fast film formation speed. An apparatus for forming an insulating film comprises a conveyance room(31), a plasma processing unit(32), a heating unit, a load lock unit(34,35) and a cassette unit(44). The conveyance room comprises a first conveyance unit and conveys a substrate. The plasma processing unit is installed in the conveyance room, and treats the substrate by using plasma of oxidation, nitration or oxy-nitration. The heating unit is installed in the conveyance room, and heats the substrate. The load lock unit is installed in the conveyance room, and carries the substrate into the conveyance room. The cassette allocates the substrate.

Abstract translation: 提供半导体制造方法和半导体制造设备，通过从具有良好电特性的第一膜形成绝缘膜和具有快速成膜速度的第二膜，在短时间内形成具有良好电特性的绝缘膜。 用于形成绝缘膜的装置包括搬运室（31），等离子体处理单元（32），加热单元，装载锁定单元（34,35）和盒单元（44）。 输送室包括第一输送单元并输送基板。 等离子体处理单元安装在输送室中，并通过使用氧化，硝化或氧硝化等离子体处理基板。 加热单元安装在输送室中，并加热基板。 负载锁定单元安装在搬送室内，将基板搬送到搬送室内。 盒子分配衬底。

公开(公告)号：KR1020070116696A

公开(公告)日：2007-12-10

申请号：KR1020077026777

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: Method for fabricating the structure of an electronic device (e.g. a high-performance MOS semiconductor device) having good electric characteristics in which an SiO2 film and an SiON film are employed as an insulation film having an extremely small thickness (e.g. 2.5 nm or less) and polysilicon, amorphous silicon or SiGe is employed for an electrode. Under existence of a processing gas containing oxygen and a rare gas, a wafer W principally comprising Si is irradiated with microwave through a planar antenna member SPA to form a plasma containing oxygen and a rare gas (or a plasma containing nitrogen and a rare gas or a plasma containing nitrogen, a rare gas and hydrogen). An oxide film (or an oxide nitride film) is formed on the wafer surface using that plasma and an electrode of polysilicon, amorphous silicon or SiGe is formed, as required, thus forming the structure of an electronic device.

Abstract translation: 制造具有良好电气特性的电子器件（例如，高性能MOS半导体器件）的结构的方法，其中使用SiO 2膜和SiON膜作为具有极小厚度（例如2.5nm或更小）的绝缘膜， 并且多晶硅，非晶硅或SiGe用于电极。 在存在含有氧气和稀有气体的处理气体的情况下，通过平面天线构件SPA对主要包含Si的晶片W进行微波照射，以形成含有氧气和稀有气体的等离子体（或包含氮气和稀有气体的等离子体或 含有氮气，稀有气体和氢气的等离子体）。 根据需要，使用等离子体形成在晶片表面上的氧化膜（或氧化物氮化物膜），并且根据需要形成多晶硅，非晶硅或SiGe的电极，从而形成电子器件的结构。

公开(公告)号：KR100582481B1

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020037009815

申请日：2002-01-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 수가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 본 발명은 전기적 특성이 우수한 절연층이나 반도체층을 구비한 고품질의 MOS형 반도체 등의 전자 디바이스 재료의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 단결정 실리콘을 주성분으로 하는 피처리 기체 상에 CVD 처리를 실시하여 절연막을 형성하는 공정과, 상기 피처리 기체를, 복수의 슬롯이 있는 평면 안테나 부재(SPA)를 통해 처리 가스에 마이크로파를 조사함으로써 생성한 플라즈마에 노출시키고, 이 플라즈마를 이용하여 상기 절연막을 개질하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020090093885A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020090016960

申请日：2009-02-27

Applicant: 고쿠리츠 다이가쿠 호진 도호쿠 다이가쿠 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오미타다히로 ,  히라야먀마사키 ,  고토테츠야 ,  시라이야스유키 ,  기타노마사후미 ,  와타누키코헤이 ,  마츠오카타카아키 ,  무라카와시게미

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: A microwave plasma processing device, a dielectric window for the same, and a method for manufacturing the dielectric window are provided to form the dielectric window for the microwave plasma processing device by covering a ceramic surface in contact with the plasma with a planarization coating layer. A dielectric window(10) for a microwave plasma processing device is comprised of a ceramic member(12) made of Al2O3, a planarization coating insulation layer(14) coated on a surface of one side of the ceramic member, and a corrosion-resistant layer(16) coated on the planarization coating insulation layer. The corrosion-resistant layer is contacted with the plasma excitation space that is a process space. The surface of the process space among the ceramic member after cutting and polishing processes has an unevenness with a peak-to-valley of 1.78 um and Ra of 0.232 um. The planarization coating insulation layer is formed on the surface of the process space of the ceramic member and is made of SiCO coating layer. The dielectric window is formed by sintering the corrosion-resistant Y2O3 on the surface of the SiO2 layer.

Abstract translation: 提供微波等离子体处理装置，用于其的电介质窗和用于制造电介质窗的方法，以通过用平坦化涂层覆盖与等离子体接触的陶瓷表面来形成用于微波等离子体处理装置的电介质窗。 用于微波等离子体处理装置的电介质窗（10）包括由Al 2 O 3制成的陶瓷构件（12），涂覆在陶瓷构件的一侧的表面上的平坦化涂层绝缘层（14）和耐腐蚀的 层（16）涂覆在平坦化涂层绝缘层上。 耐腐蚀层与作为工艺空间的等离子体激发空间接触。 在切割和抛光工艺之后陶瓷构件中的处理空间的表面具有不均匀性，峰 - 谷为1.78μm，Ra为0.232μm。 平坦化涂层绝缘层形成在陶瓷构件的工艺空间的表面上，并由SiCO涂层制成。 电介质窗通过在SiO2层的表面上烧结耐蚀Y2O3而形成。