公开(公告)号：KR1020150020093A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020140103371

申请日：2014-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오타케히로토 ,  키타무라아키노리 ,  마츠오카히로노리 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

Abstract: 핀형 전계 효과 트랜지스터의 더미 게이트를 형성할 시, 선택비를 확보하면서 에칭의 가공 정밀도를 한층 향상시키는 에칭하는 방법을 제공한다. 피처리체를 이용하여 핀형 전계 효과 트랜지스터의 더미 게이트를 형성하기 위한 방법이다. 에칭 공정에서는, 표면파 플라즈마를 이용하여 복수의 핀의 사이에 퇴적된 게이트 재료를 에칭한다. 에칭 공정의 압력은 50 mTorr(6.67 Pa) 이상이다. 에칭 공정에서, 피처리체를 재치하는 재치대에 인가되는 전력은 주파수가 10 Hz 이상 200 Hz 이하이고, 펄스의 주기에서의 ON 시간의 비율인 듀티비가 50% 이하가 되도록 펄스 변조한다.

Abstract translation: 本发明提供了当形成针型场效应晶体管（FET）的伪栅极时，获得高选择性并提高蚀刻工艺的操作精度的蚀刻方法。 本发明涉及通过使用被处理物来形成pin型FET的伪栅极的方法。 在蚀刻工艺中，使用表面波等离子体来蚀刻层叠在多个销之间的栅极材料。 蚀刻工艺的压力大于或等于50mTorr（6.67Pa）。 在蚀刻工艺中，施加在保持待处理对象的保持器上的功率具有不低于10Hz且不高于200Hz的频率。 调制脉冲使得相对于脉冲周期的ON时间比的占空比不大于50％。

公开(公告)号：KR102149742B1

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：KR1020140103371

申请日：2014-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오타케히로토 ,  키타무라아키노리 ,  마츠오카히로노리 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020140124334A

公开(公告)日：2014-10-24

申请号：KR1020140044848

申请日：2014-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카히로노리 ,  오오타케히로토 ,  카리우코스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/31105

Abstract: Provided is an etching method which selectively etches a second region made of silicon oxide of an object to be processed with respect to a first region made of silicon of the object to be processed. The etching method according to an embodiment comprises: (a) a process of generating plasma of a first processing gas containing fluorocarbon and fluorinated hydrocarbon by using a microwave, and processing the object to be processed by using the plasma of the first processing gas; and (b) a process of generating plasma of a second processing gas containing fluorocarbon by using a microwave after the process of processing the object to be processed, and further processing the object to be processed by using the plasma of the second processing gas.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，其相对于由待处理物体的硅制成的第一区域选择性地蚀刻由待处理物体的氧化硅制成的第二区域。 根据一个实施方案的蚀刻方法包括：（a）通过使用微波产生含有碳氟化合物和氟化烃的第一处理气体的等离子体的处理，并且通过使用第一处理气体的等离子体来处理待处理物体; 和（b）在处理被处理物的处理之后，通过使用微波产生含有碳氟化合物的第二处理气体的等离子体的处理，以及利用第二处理气体的等离子体进一步处理待处理物体的处理。