公开(公告)号：KR1020140124334A

公开(公告)日：2014-10-24

申请号：KR1020140044848

申请日：2014-04-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠오카히로노리 ,  오오타케히로토 ,  카리우코스케

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J2237/3346 ,  H01L21/31105

Abstract: Provided is an etching method which selectively etches a second region made of silicon oxide of an object to be processed with respect to a first region made of silicon of the object to be processed. The etching method according to an embodiment comprises: (a) a process of generating plasma of a first processing gas containing fluorocarbon and fluorinated hydrocarbon by using a microwave, and processing the object to be processed by using the plasma of the first processing gas; and (b) a process of generating plasma of a second processing gas containing fluorocarbon by using a microwave after the process of processing the object to be processed, and further processing the object to be processed by using the plasma of the second processing gas.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，其相对于由待处理物体的硅制成的第一区域选择性地蚀刻由待处理物体的氧化硅制成的第二区域。 根据一个实施方案的蚀刻方法包括：（a）通过使用微波产生含有碳氟化合物和氟化烃的第一处理气体的等离子体的处理，并且通过使用第一处理气体的等离子体来处理待处理物体; 和（b）在处理被处理物的处理之后，通过使用微波产生含有碳氟化合物的第二处理气体的等离子体的处理，以及利用第二处理气体的等离子体进一步处理待处理物体的处理。

公开(公告)号：KR101810966B1

公开(公告)日：2017-12-20

申请号：KR1020150151575

申请日：2015-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타무라아키노리 ,  카리우코스케 ,  오즈토시히사 ,  이해우

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/47

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

Abstract: 하지층에대한데미지를억제하면서유기막을에칭한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서상기유기막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 처리용기내로수소가스및 질소가스를포함하는처리가스를공급하고, 처리가스의플라즈마를생성한다. 처리가스의유량에서차지하는수소가스의유량의비율은 35 % 이상또한 75 % 이하의비율로설정된다. 또한, 피처리체에이온을인입하기위한고주파바이어스전력이 50 W 이상또한 135 W 이하의범위의전력으로설정된다.

公开(公告)号：KR1020160051653A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020150151575

申请日：2015-10-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 키타무라아키노리 ,  카리우코스케 ,  오즈토시히사 ,  이해우

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/67 ,  H01L21/47

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/334 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02071 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136

Abstract: 하지층에대한데미지를억제하면서유기막을에칭한다. 일실시형태의방법은, 피처리체를수용한플라즈마처리장치의처리용기내에있어서상기유기막을에칭하는공정을포함한다. 이공정에서는, 처리용기내로수소가스및 질소가스를포함하는처리가스를공급하고, 처리가스의플라즈마를생성한다. 처리가스의유량에서차지하는수소가스의유량의비율은 35 % 이상또한 75 % 이하의비율로설정된다. 또한, 피처리체에이온을인입하기위한고주파바이어스전력이 50 W 이상또한 135 W 이하의범위의전력으로설정된다.

Abstract translation: 本发明涉及一种蚀刻有机膜的方法，蚀刻有机膜同时抑制对下层的损伤。 根据本发明的一个实施例，该方法包括在接收待加工物体的等离子体处理装置的处理容器内蚀刻有机膜的方法。 该方法将包含氢气和氮气的工艺气体提供到处理容器中并产生处理气体的等离子体。 处理气体流中的氢气流量的比例设定为35〜75％。 此外，用于将离子注入待处理物体的高频偏置功率设定在50〜135W的范围内。

公开(公告)号：KR1020150022703A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：KR1020140108856

申请日：2014-08-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오즈토시히사 ,  요시무라쇼타 ,  오오타케히로토 ,  카리우코스케 ,  츠카모토타카시

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4941 ,  H01L21/32137 ,  H01L29/66795

Abstract: 반도체 디바이스를 제조하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판, 이 기판으로부터 돌출되고 또한 간극을 구획 형성하도록 설치된 실리콘제의 영역, 이 영역을 덮도록 형성된 금속층, 이 금속층 상에 형성된 다결정 실리콘층, 및 이 다결정 실리콘층 상에 형성된 유기 마스크를 포함하는 피처리체가 수용된 처리 용기 내에서, HBr 가스 및 Cl
2 가스를 포함하는 처리 가스를 여기시키는 공정을 포함하고, Cl
2 가스는, 처리 가스 중의 HBr 가스의 유량에 대하여 5% 이상 10% 이하의 유량으로 공급된다.

Abstract translation: 在本发明中提供的是可以抑制多晶硅层残留在要去除的区域中的半导体器件制造方法，并且还抑制对下层金属层的损伤的发生。 该方法包括在容纳包含基板的待处理物体的处理容器中激发含有HBr气体和Cl_2气体的工艺气体的工序; 从基板突出并安装以分隔和形成间隙的硅材料区域; 形成为覆盖该区域的金属层; 形成在所述金属层上的多晶硅层; 以及形成在多晶硅层上的有机掩模。 相对于处理气体中的HBr气体的流量，以5-10％的流量供给Cl_2气体。