公开(公告)号：KR101430093B1

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.

公开(公告)号：KR1020150020093A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：KR1020140103371

申请日：2014-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오타케히로토 ,  키타무라아키노리 ,  마츠오카히로노리 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/6681

Abstract: 핀형 전계 효과 트랜지스터의 더미 게이트를 형성할 시, 선택비를 확보하면서 에칭의 가공 정밀도를 한층 향상시키는 에칭하는 방법을 제공한다. 피처리체를 이용하여 핀형 전계 효과 트랜지스터의 더미 게이트를 형성하기 위한 방법이다. 에칭 공정에서는, 표면파 플라즈마를 이용하여 복수의 핀의 사이에 퇴적된 게이트 재료를 에칭한다. 에칭 공정의 압력은 50 mTorr(6.67 Pa) 이상이다. 에칭 공정에서, 피처리체를 재치하는 재치대에 인가되는 전력은 주파수가 10 Hz 이상 200 Hz 이하이고, 펄스의 주기에서의 ON 시간의 비율인 듀티비가 50% 이하가 되도록 펄스 변조한다.

Abstract translation: 本发明提供了当形成针型场效应晶体管（FET）的伪栅极时，获得高选择性并提高蚀刻工艺的操作精度的蚀刻方法。 本发明涉及通过使用被处理物来形成pin型FET的伪栅极的方法。 在蚀刻工艺中，使用表面波等离子体来蚀刻层叠在多个销之间的栅极材料。 蚀刻工艺的压力大于或等于50mTorr（6.67Pa）。 在蚀刻工艺中，施加在保持待处理对象的保持器上的功率具有不低于10Hz且不高于200Hz的频率。 调制脉冲使得相对于脉冲周期的ON时间比的占空比不大于50％。

公开(公告)号：KR102149742B1

公开(公告)日：2020-08-31

申请号：KR1020140103371

申请日：2014-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오오타케히로토 ,  키타무라아키노리 ,  마츠오카히로노리 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065 ,  H01L29/78

公开(公告)号：KR1020120120400A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.