公开(公告)号：KR1020130061099A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：KR1020120137045

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미테루오미 ,  다나카사토루 ,  나가마츠타츠야 ,  스즈키히로유키 ,  가와부치요스케 ,  히라야마츠카사 ,  마츠키카츠후미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/04 ,  H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing a computer program for implementing the substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a processing speed by supplying a chemical solution to a wafer. CONSTITUTION: A chemical solution is supplied to a substrate. A rinsing solution is supplied to the substrate. The substrate is dried. The substrate is rotated with a first rotation number in a first drying process. The substrate is rotated with a second rotation number in a second drying process. The first rotation number is larger than the second rotation number. [Reference numerals] (AA) Revolution number(rpm); (BB) Rinse process; (CC) First drying process(surface substitution); (DD) Third drying process(overall substitution); (EE) Fourth drying process(IPA scattering); (FF) Second drying process(agitation); (GG) Time(sec)

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，存储用于实现基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，以通过向晶片提供化学溶液来提高处理速度。 构成：将化学溶液提供给基材。 向基板供给冲洗溶液。 将基材干燥。 在第一干燥过程中，基板以第一转数旋转。 在第二干燥过程中，基板以第二转数旋转。 第一转数大于第二转数。 （标号）（AA）转数（rpm）; （BB）冲洗过程; （CC）第一次干燥过程（表面取代）; （DD）第三次干燥过程（整体替代）; （EE）第四次干燥过程（IPA散射）; （FF）第二次干燥过程（搅拌）; （GG）时间（秒）

公开(公告)号：KR102012355B1

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：KR1020190007532

申请日：2019-01-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미테루오미 ,  다나카사토루 ,  나가마츠타츠야 ,  스즈키히로유키 ,  가와부치요스케 ,  히라야마츠카사 ,  마츠키카츠후미

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687

公开(公告)号：KR101942447B1

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：KR1020120137045

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미테루오미 ,  다나카사토루 ,  나가마츠타츠야 ,  스즈키히로유키 ,  가와부치요스케 ,  히라야마츠카사 ,  마츠키카츠후미

IPC: H01L21/302