Abstract:
본 발명은 에칭 공정에 있어서 에칭액을 반복 사용하는 경우에도 피처리 기판에 대한 에칭율이 증가하는 일이 없고, 더욱이 건조 후 피처리 기판의 표면에 파티클이나 워터마크가 형성되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 기록 매체를 제공하는 것을 과제로 한다. 우선, 챔버 내에 제1 가스를 채운 상태에서 처리액을 챔버 내의 웨이퍼 표면에 공급하여 그 웨이퍼를 표면 처리한다. 이때, 챔버로부터 배출되는 처리액을 처리액 공급부로 되돌리도록 한다. 그 후, 챔버 내에 제1 가스보다도 습도가 낮은 제2 가스를 채운 상태에서 액막 형성용 유체를 챔버 내의 웨이퍼 표면에 공급함으로써 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하여 이 웨이퍼의 표면을 건조한다.
Abstract:
A substrate processing method, a substrate processing device, and a recording medium are provided to restrain moisture sinking into a dry fluid which is supplied into a substrate by replacing a first gas into a second gas having low humidity within a chamber. A first-gas supplying step is performed for supplying a first gas from a first-gas supplying part into a chamber. When the chamber is filled with the first gas, a substrate processing step is performed for supplying a process liquid from a process-liquid supplying part onto a surface of a substrate to be processed in the chamber, so as to process the surface of the substrate to be processed, while the process liquid discharged from the chamber is returned to the process-liquid supplying part by a process-liquid collecting line. A second gas supplying step is performed for supplying a second gas whose humidity is lower than that of the first gas, from a second gas supplying part into the chamber, so as to replace the first gas in the chamber with the second gas. When the chamber is filled with the second gas, a drying step is performed for supplying a drying fluid from a drying-fluid supplying part onto the surface of the substrate to be processed, so as to dry the surface of the substrate to be processed.
Abstract:
간소한 방법으로, 행해지는 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하는 것이 가능한 액처리 장치 등을 제공한다. 하우징 내의 처리 공간(21)에서 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치(2)에서, 회전 보지부(33, 341)는 피처리 기판(W)을 보지(保持)하여 수직축을 중심으로 회전시키고, 처리액 공급 노즐(35)은 회전하는 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급한다. 제 1 기체 공급부(23)는, 상기 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하기 위하여, 피처리 기판(W)의 표면 전체를 흘러, 컵(31)으로 유입하는 제 1 기체의 하강류를 형성하고, 제 2 기체 공급부(22)는 이 제 1 기체의 하강류의 외방 영역에, 상기 제 1 기체와는 상이한 제 2 기체의 하강류를 형성한다. 그리고, 제 1 기체 공급부(23) 및 제 2 기체 공급부(22)는, 상기 처리 공간(21)을 이루는 하우징의 천장부에 설치되어 있다.
Abstract:
본 발명은 적어도 기판 단부면에 부착된 부착물을 스폰지형 브러시에 의해 효과적으로 제거할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 기판 세정 장치(1)는 기판(W)을 회전 가능하게 유지하는 스핀척(3)과, 스핀척(3)에 유지되어 있는 기판(W)을 회전시키는 모터(4)와, 스핀척(3)에 유지되어 있는 기판(W)에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구(10)와, 세정 기구를 구비하고 있다. 세정 기구는, 세정시에 기판(W)의 적어도 단부면에 접촉되며 스폰지형 수지로 이루어진 브러시(21)와, 브러시(21)를 압축하는 브러시 압축 기구(23a, 23b, 24)를 갖고 있다. 브러시(21)는 압축 기구(23a, 23b, 24)에 의해 압축된 상태가 되어 적어도 기판(W)의 단부면을 세정한다.
Abstract:
PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing a computer program for implementing the substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a processing speed by supplying a chemical solution to a wafer. CONSTITUTION: A chemical solution is supplied to a substrate. A rinsing solution is supplied to the substrate. The substrate is dried. The substrate is rotated with a first rotation number in a first drying process. The substrate is rotated with a second rotation number in a second drying process. The first rotation number is larger than the second rotation number. [Reference numerals] (AA) Revolution number(rpm); (BB) Rinse process; (CC) First drying process(surface substitution); (DD) Third drying process(overall substitution); (EE) Fourth drying process(IPA scattering); (FF) Second drying process(agitation); (GG) Time(sec)