公开(公告)号：KR102237507B1

公开(公告)日：2021-04-06

申请号：KR1020140065736

申请日：2014-05-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가이요시히로 ,  이케다요시노리 ,  시노하라가즈요시 ,  오다데츠야 ,  다나카사토루 ,  요시다유키 ,  아이바라메이토쿠

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은세정성능을향상시키고아울러소형화를도모하는것을특징으로한다. 실시형태에따른기판처리장치는, 기판에처리액을토출하는제1 노즐및 제2 노즐과, 제1 노즐과제2 노즐을이동시키는이동기구와, 적어도제2 노즐을세정하는노즐세정장치를구비한다. 노즐세정장치는, 세정조와, 오버플로조를구비한다. 세정조는, 적어도제2 노즐을세정하기위한세정액을저류하는저류부와, 정해진수위를초과한세정액을저류부로부터배출하는오버플로부를구비한다. 오버플로조는, 세정조에인접하여배치되고, 오버플로부로부터배출되는세정액을받아외부에배출한다.

公开(公告)号：KR1020160022336A

公开(公告)日：2016-02-29

申请号：KR1020160016384

申请日：2016-02-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토루 ,  오리이다케히코 ,  마루야마히로타카 ,  미나미데루오미 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은휘발성을갖는건조액을이용하여기판을건조시킬때에, 기판표면에워터마크가발생하여미세한파티클이부착되는것을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판을처리액으로액처리한후에휘발성처리액으로건조처리하는기판처리방법및 기판처리장치에있어서, 상기기판에처리액을공급하여처리하는공정과, 상기처리액의액막이형성된상기기판을가열하는공정과, 상기처리액의액막이형성된기판에휘발성처리액을공급하는공정과, 상기기판에의상기휘발성처리액의공급을정지하는공정과, 상기휘발성처리액을제거하여기판을건조하는공정을가지며, 상기기판을가열하는공정은상기휘발성처리액을공급하는공정보다이전에시작되고, 상기기판의표면이상기휘발성처리액에노출되는것보다이전에, 상기기판의표면온도가노점온도보다높아지도록상기기판이가열되는것으로하였다.

Abstract translation: 本发明是为了防止在使用具有挥发性的干燥液干燥基板时，防止产生水痕而使细颗粒附着于基板的表面。 根据本发明，提供了一种在用处理液处理基板之后用挥发性处理液干燥基板的基板处理方法和基板处理装置。 基板处理方法包括以下处理：通过向其提供处理液来处理基板; 加热形成处理液的液膜的基板; 将挥发性处理液供给到形成处理液的液膜的基板上; 停止向所述基板供应所述挥发性处理液; 并通过除去挥发性处理液来干燥基材。 在提供挥发性处理液的过程之前开始加热基材的过程，并且在基板的表面暴露于挥发性处理液体之前加热基板以使基板的表面温度高于露点温度。

公开(公告)号：KR1020150055590A

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：KR1020140157077

申请日：2014-11-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가네코미야코 ,  타노우치케이지 ,  오리이타케히코 ,  칸노이타루 ,  아이바라메이토쿠 ,  다나카사토루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/0206 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

Abstract: 기판의표면에영향을주지않고, 기판에부착한입자직경이작은불요물을제거하는것이다. 실시예에따른기판세정방법은, 성막처리액공급공정과, 박리처리액공급공정과, 용해처리액공급공정을포함한다. 성막처리액공급공정은, 휘발성분을포함하고기판상에막을형성하기위한성막처리액을기판에공급한다. 박리처리액공급공정은, 휘발성분이휘발함으로써성막처리액이기판상에서고화또는경화되어이루어지는처리막에대하여, 처리막을기판으로부터박리시키는박리처리액을공급한다. 용해처리액공급공정은, 박리처리액공급공정후, 처리막에대하여처리막을용해시키는용해처리액을공급한다.

Abstract translation: 本发明的目的是除去具有小粒径的不需要的材料，并且附着在基板上而不影响基板的表面。 根据本发明实施方案的基材清洗方法包括成膜溶液供应过程，剥离溶液供应过程和熔融溶液供应过程。 成膜溶液供给工序提供具有挥发性成分的成膜溶液，在基板上形成膜。 汽提溶液供应过程提供一种汽提溶液，用于去除在基材上形成的工艺膜，使其随着挥发成分蒸发而使成膜溶液凝固或固化。 熔解液供给工序在剥离溶液供给工序之后，提供熔融溶液，使其处理膜熔融。

公开(公告)号：KR101061931B1

公开(公告)日：2011-09-02

申请号：KR1020070099728

申请日：2007-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  사이토유스케 ,  이시하라아키라 ,  다나카사토루 ,  무라카미유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

Abstract: 본 발명은 에칭 공정에 있어서 에칭액을 반복 사용하는 경우에도 피처리 기판에 대한 에칭율이 증가하는 일이 없고, 더욱이 건조 후 피처리 기판의 표면에 파티클이나 워터마크가 형성되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 및 기록 매체를 제공하는 것을 과제로 한다.
우선, 챔버 내에 제1 가스를 채운 상태에서 처리액을 챔버 내의 웨이퍼 표면에 공급하여 그 웨이퍼를 표면 처리한다. 이때, 챔버로부터 배출되는 처리액을 처리액 공급부로 되돌리도록 한다. 그 후, 챔버 내에 제1 가스보다도 습도가 낮은 제2 가스를 채운 상태에서 액막 형성용 유체를 챔버 내의 웨이퍼 표면에 공급함으로써 웨이퍼의 표면에 액막을 형성하여 이 웨이퍼의 표면을 건조한다.

Abstract translation: 基板，其上本发明不发生在重复使用在蚀刻过程中增加蚀刻溶液的情况下目标衬底的蚀刻速率，并且进一步能够防止颗粒或所述基板的表面上的水痕，并干燥以形成 处理方法，基板处理装置和记录介质。

公开(公告)号：KR1020080031799A

公开(公告)日：2008-04-11

申请号：KR1020070099728

申请日：2007-10-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카모리미츠노리 ,  사이토유스케 ,  이시하라아키라 ,  다나카사토루 ,  무라카미유지

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

Abstract: A substrate processing method, a substrate processing device, and a recording medium are provided to restrain moisture sinking into a dry fluid which is supplied into a substrate by replacing a first gas into a second gas having low humidity within a chamber. A first-gas supplying step is performed for supplying a first gas from a first-gas supplying part into a chamber. When the chamber is filled with the first gas, a substrate processing step is performed for supplying a process liquid from a process-liquid supplying part onto a surface of a substrate to be processed in the chamber, so as to process the surface of the substrate to be processed, while the process liquid discharged from the chamber is returned to the process-liquid supplying part by a process-liquid collecting line. A second gas supplying step is performed for supplying a second gas whose humidity is lower than that of the first gas, from a second gas supplying part into the chamber, so as to replace the first gas in the chamber with the second gas. When the chamber is filled with the second gas, a drying step is performed for supplying a drying fluid from a drying-fluid supplying part onto the surface of the substrate to be processed, so as to dry the surface of the substrate to be processed.

Abstract translation: 提供基板处理方法，基板处理装置和记录介质，以通过将第一气体替换为室内具有低湿度的第二气体来抑制被供应到基板中的干燥流体的水分。 执行第一气体供给步骤，用于将第一气体从第一气体供应部件供应到室中。 当腔室填充有第一气体时，执行基板处理步骤，用于将处理液体从处理液体供应部件供应到在室中待处理的基板的表面上，以便处理基板的表面 待处理时，从室排出的处理液通过处理液收集管路返回到处理液供给部。 进行第二气体供给步骤，用于将第二气体的第二气体从第二气体供给部供给到室内，以将第二气体的湿度从第一气体的第二气体供给到第二气体中。 当腔室填充有第二气体时，执行干燥步骤，用于将干燥流体供给部件的干燥流体供给到待加工基板的表面上，以便干燥被处理基板的表面。

公开(公告)号：KR101934924B1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：KR1020130140482

申请日：2013-11-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아이우라카즈히로 ,  이토노리히로 ,  나카오히데토시 ,  시노하라카즈요시 ,  다나카사토루 ,  요시다유우키 ,  아이바라메이토쿠

IPC: H01L21/302

公开(公告)号：KR101601341B1

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：KR1020110118816

申请日：2011-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다나카사토루 ,  오리이다케히코 ,  마루야마히로타카 ,  미나미데루오미 ,  나카모리미츠노리

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67028 ,  H01L21/67051

Abstract: 본발명은휘발성을갖는건조액을이용하여기판을건조시킬때에, 기판표면에워터마크가발생하여미세한파티클이부착되는것을방지하는것을목적으로한다. 본발명에서는, 기판을처리액으로액처리한후에휘발성처리액으로건조처리하는기판처리방법및 기판처리장치에있어서, 상기기판에처리액을공급하여처리하는공정과, 상기처리액의액막이형성된상기기판을가열하는공정과, 상기처리액의액막이형성된기판에휘발성처리액을공급하는공정과, 상기기판에의상기휘발성처리액의공급을정지하는공정과, 상기휘발성처리액을제거하여기판을건조하는공정을가지며, 상기기판을가열하는공정은상기휘발성처리액을공급하는공정보다이전에시작되고, 상기기판의표면이상기휘발성처리액에노출되는것보다이전에, 상기기판의표면온도가노점온도보다높아지도록상기기판이가열되는것으로하였다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是防止当通过使用挥发性干燥液干燥基底以粘附微细颗粒时在基底表面上产生水印。 通过供应处理溶液到基底上，所述处理液的形成的液体膜的基板。根据本发明，在基板至处理液体溶液处理hanhue挥发性衬底处理方法和衬底处理设备，用于处理的步骤的液体干燥处理 向形成有处理液的液膜的基板供给挥发性处理液的工序，停止向基板供给挥发性处理液的工序，通过除去挥发性处理液而使基板干燥的工序 其中，在提供挥发性处理液的步骤之前和在基板表面暴露于挥发性处理液之前，基板的表面温度高于露点温度之前，加热基板的步骤开始， 以便衬底被加热。

公开(公告)号：KR101464613B1

公开(公告)日：2014-11-24

申请号：KR1020120025403

申请日：2012-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시켄지 ,  다케시타카즈히로 ,  오가타노부히로 ,  다나카사토루 ,  미조타쇼고

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708

Abstract: 간소한 방법으로, 행해지는 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하는 것이 가능한 액처리 장치 등을 제공한다. 하우징 내의 처리 공간(21)에서 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급하여 액처리를 행하는 액처리 장치(2)에서, 회전 보지부(33, 341)는 피처리 기판(W)을 보지(保持)하여 수직축을 중심으로 회전시키고, 처리액 공급 노즐(35)은 회전하는 피처리 기판(W)의 표면으로 처리액을 공급한다. 제 1 기체 공급부(23)는, 상기 액처리에 적합한 처리 분위기를 형성하기 위하여, 피처리 기판(W)의 표면 전체를 흘러, 컵(31)으로 유입하는 제 1 기체의 하강류를 형성하고, 제 2 기체 공급부(22)는 이 제 1 기체의 하강류의 외방 영역에, 상기 제 1 기체와는 상이한 제 2 기체의 하강류를 형성한다. 그리고, 제 1 기체 공급부(23) 및 제 2 기체 공급부(22)는, 상기 처리 공간(21)을 이루는 하우징의 천장부에 설치되어 있다.

Abstract translation: 提供了一种能够以简单的方式形成适合于液体处理的处理气氛的液体处理装置等。 在向壳体内的处理空间21内的基板W的表面供给处理液而进行液体处理的液体处理装置2中，为了保持被处理基板W而设置有旋转保持部33,341 并且，处理液供给喷嘴35将处理液供给到被处理基板W的表面而旋转。 第一气体供应单元23流动基板W的整个表面以形成流入杯31中的第一气体的向下流动，以形成适于液体处理的处理气氛， 第二气体供给部22在第一气体的下游侧以外的区域形成与第一气体不同的第二气体的下游。 第一气体供给部23和第二气体供给部22设置在构成处理空间21的壳体的顶部。

公开(公告)号：KR101276488B1

公开(公告)日：2013-06-18

申请号：KR1020120077737

申请日：2012-07-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 모우리노부히코 ,  다나카사토루

IPC: H01L21/304 ,  B08B3/04 ,  B08B1/02

CPC classification number: B08B3/04 ,  A46B9/005 ,  A46B13/02 ,  B08B1/04

Abstract: 본 발명은 적어도 기판 단부면에 부착된 부착물을 스폰지형 브러시에 의해 효과적으로 제거할 수 있는 기판 세정 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판 세정 장치(1)는 기판(W)을 회전 가능하게 유지하는 스핀척(3)과, 스핀척(3)에 유지되어 있는 기판(W)을 회전시키는 모터(4)와, 스핀척(3)에 유지되어 있는 기판(W)에 세정액을 공급하는 세정액 공급 기구(10)와, 세정 기구를 구비하고 있다. 세정 기구는, 세정시에 기판(W)의 적어도 단부면에 접촉되며 스폰지형 수지로 이루어진 브러시(21)와, 브러시(21)를 압축하는 브러시 압축 기구(23a, 23b, 24)를 갖고 있다. 브러시(21)는 압축 기구(23a, 23b, 24)에 의해 압축된 상태가 되어 적어도 기판(W)의 단부면을 세정한다.

公开(公告)号：KR1020130061099A

公开(公告)日：2013-06-10

申请号：KR1020120137045

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미나미테루오미 ,  다나카사토루 ,  나가마츠타츠야 ,  스즈키히로유키 ,  가와부치요스케 ,  히라야마츠카사 ,  마츠키카츠후미

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B08B3/04 ,  H01L21/67034

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing a computer program for implementing the substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a processing speed by supplying a chemical solution to a wafer. CONSTITUTION: A chemical solution is supplied to a substrate. A rinsing solution is supplied to the substrate. The substrate is dried. The substrate is rotated with a first rotation number in a first drying process. The substrate is rotated with a second rotation number in a second drying process. The first rotation number is larger than the second rotation number. [Reference numerals] (AA) Revolution number(rpm); (BB) Rinse process; (CC) First drying process(surface substitution); (DD) Third drying process(overall substitution); (EE) Fourth drying process(IPA scattering); (FF) Second drying process(agitation); (GG) Time(sec)

Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，存储用于实现基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，以通过向晶片提供化学溶液来提高处理速度。 构成：将化学溶液提供给基材。 向基板供给冲洗溶液。 将基材干燥。 在第一干燥过程中，基板以第一转数旋转。 在第二干燥过程中，基板以第二转数旋转。 第一转数大于第二转数。 （标号）（AA）转数（rpm）; （BB）冲洗过程; （CC）第一次干燥过程（表面取代）; （DD）第三次干燥过程（整体替代）; （EE）第四次干燥过程（IPA散射）; （FF）第二次干燥过程（搅拌）; （GG）时间（秒）