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公开(公告)号：KR100417271B1
公开(公告)日：2004-03-19
申请号：KR1019980038364
申请日：1998-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: A drying treatment apparatus for drying cleaned semiconductor wafers comprises drying gas producing means (41) connected to a drying treating unit (30) through a drying gas supplying pipe line (32). A flowrate controlling diaphragm pump (50) is provided in an isopropyl alcohol (IPA) supplying pipe line (32) that connects an IPA tank (48) and the drying gas producing means (41). An N2 gas supply source (52) is provided for supplying nitrogen gas into the drying gas producing means (41), and a heater (44) is disposed within the drying gas producing means to produce a drying gas. As a result of this, the amount of the IPA supplied to the drying gas producing means (41) by the diaphragm pump (50) is controllable, thus enabling the concentration of the IPA contained in the drying gas to be maintained at a value within a range of from 3% to 80%, inclusive, and enabling the temperature of the drying gas to be maintained at a value within a range of from 80 DEG to 150 DEG , inclusive, due to the heating by the heater (44). The above feature enables improvement of the drying efficiency and reduction in the amount of consumption of the drying gas.
Abstract translation: 用于干燥已清洁的半导体晶片的干燥处理装置包括通过干燥气体供应管线（32）连接到干燥处理单元（30）的干燥气体生成装置（41）。 在连接IPA罐（48）和干燥气体生成装置（41）的异丙醇（IPA）供应管路（32）中设置有流量控制隔膜泵（50）。 为了向干燥气体生成装置（41）供给氮气而设置N2气体供给源（52），在干燥气体生成装置内配置加热器（44），生成干燥气体。 其结果是，由隔膜泵50向干燥气体生成装置41供给的IPA的量可以控制，因此能够将干燥气体中含有的IPA的浓度维持在 由于加热器（44）的加热，使得干燥气体的温度保持在80-150℃的范围内，该范围为3％至80％（包括端值）。 上述特征可以提高干燥效率并减少干燥气体的消耗量。 ＆lt;图像＆GT;
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公开(公告)号：KR101526264B1
公开(公告)日：2015-06-05
申请号：KR1020100055594
申请日：2010-06-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: 새로운방법을이용하여기판의표면으로부터막을제거하는액처리장치등을제공한다. 제 1 막의상층에제 2 막이형성된기판으로부터제 1 막및 제 2 막을제거하는액처리장치(3)에서, 제 1 약액공급부(51)는기판(W)으로제 1 막을용해시키기위한제 1 약액을공급하고, 제 2 약액공급부(51)는제 2 막의강도를저하시키기위한제 2 약액을공급하고, 충격공여부로서의기능을겸하는유체공급부(52)는제 2 막에물리적충격을주어당해제 2 막을파괴하고또한, 파괴된제 2 막의파편을흘려보내기위한유체를공급한다. 제어부(7)는제 2 약액을공급하고, 이어서유체공급부(52)로부터유체를공급한후 제 1 약액을공급하도록각 부를제어한다.
Abstract translation: 使用新方法从基板表面去除膜的液体处理装置等。 在第一膜和用于从衬底上形成的第一膜，在上层中，第一化学液体供给单元51的第二薄膜包括用于溶解权利要求1的膜作为基材的第一化学（W）去除所述第二膜中的液体处理装置（3） 供给，并且所述第二化学液体供给部51 neunje 2膜的强度，和用于减小，也服务于用作休克施主流体源52 neunje给出在第二薄膜上第二销毁膜的物理性冲击的技术供应第二液体药剂 并且还提供用于流动破碎的第二膜的碎片的流体。 控制单元7控制各个单元以供应第二药液，然后从流体供应单元52供应流体，然后供应第一药液。
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3.发明公开기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 审中-实审基板处理方法，用于实施基板处理方法和基板处理装置的存储式存储计算机程序
公开(公告)号：KR1020130061099A
公开(公告)日：2013-06-10
申请号：KR1020120137045
申请日：2012-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/04 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing a computer program for implementing the substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to improve a processing speed by supplying a chemical solution to a wafer. CONSTITUTION: A chemical solution is supplied to a substrate. A rinsing solution is supplied to the substrate. The substrate is dried. The substrate is rotated with a first rotation number in a first drying process. The substrate is rotated with a second rotation number in a second drying process. The first rotation number is larger than the second rotation number. [Reference numerals] (AA) Revolution number(rpm); (BB) Rinse process; (CC) First drying process(surface substitution); (DD) Third drying process(overall substitution); (EE) Fourth drying process(IPA scattering); (FF) Second drying process(agitation); (GG) Time(sec)
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，存储用于实现基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，以通过向晶片提供化学溶液来提高处理速度。 构成：将化学溶液提供给基材。 向基板供给冲洗溶液。 将基材干燥。 在第一干燥过程中，基板以第一转数旋转。 在第二干燥过程中，基板以第二转数旋转。 第一转数大于第二转数。 （标号）（AA）转数（rpm）; （BB）冲洗过程; （CC）第一次干燥过程（表面取代）; （DD）第三次干燥过程（整体替代）; （EE）第四次干燥过程（IPA散射）; （FF）第二次干燥过程（搅拌）; （GG）时间（秒）
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4.发明公开기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 审中-实审基板处理方法，用于执行基板处理方法和基板处理装置的存储中央存储计算机程序
公开(公告)号：KR1020110137728A
公开(公告)日：2011-12-23
申请号：KR1020110054905
申请日：2011-06-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/67051 , B08B3/04 , H01L21/02054 , H01L21/67034
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing computer program for executing substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to suppress particle in the surface of a wafer by substituting deionized water with an IPA solution rapidly. CONSTITUTION: In a substrate processing method, a storage medium storing computer program for executing substrate processing method and a substrate processing apparatus, a substrate holding part(20) preserves a substrate(W) performing rinsing. A rotation driving(25) rotates the substrate holding part. A liquid medicine supply apparatus(40) supplies the liquid medicine to the substrate. A rinse supply apparatus(50) supplies a rinse solution to the substrate. A dry solution supply apparatus(60) supplies a dry solution to the substrate.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，存储用于执行基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，以通过用IPA溶液快速取代去离子水来抑制晶片表面中的颗粒。 构成：在基板处理方法中，存储用于执行基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，基板保持部（20）保持执行冲洗的基板（W）。 旋转驱动（25）使基板保持部旋转。 药液供给装置（40）将药液供给到基材。 冲洗供给装置（50）将冲洗溶液供给到基板。 干溶液供给装置（60）将干溶液供给到基板。
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公开(公告)号：KR1019990029868A
公开(公告)日：1999-04-26
申请号：KR1019980038364
申请日：1998-09-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 예를 들어 반도체웨이퍼나 LCD용유리기판 등의 피처리체를 건조가스에 접촉시켜 건조하는 건조처리방법 및 건조처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 반도체웨이퍼의 세정후에 건조를 행하는 건조처리장치에서는, 건조가스 공급관로(32)를 매개로 건조처리부(30)과 접속되는 건조가스생성기(41)과, 이소프로필알코올(IPA) 탱크(48)과 건조가스생성기(41)을 접속하는 IPA의 공급관로(32)에 설치된 유량조절용의 다이어프램펌프(50)과, 건조가스생성기(41)에 N2가스를 공급하는 N2가스공급원(52)와, 건조가스생성기(41)내에 배치되고 건조가스를 생성하는 히터(44)를 구비한다. 이로써 상기 다이어프램펌프(50)으로 건조가스생성기(41)에 공급되는 IPA의 양을 조절하고, 건조가스중에 포함되는 IPA농도를 3% ~ 80%의 범위내로 유지할 수 있도록 하고, 또한 히터(44)이 가열에 의해 건조가스의 온도를 80℃ ~ 150℃의 범위내로 유지할 수 있도록 한다.
이로써, 반도체웨이퍼의 건조효율을 향상시키고 건조가스의 소비량을 저감할 수 있는 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101942447B1
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：KR1020120137045
申请日：2012-11-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
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公开(公告)号：KR101806191B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020110054905
申请日：2011-06-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/02052 , H01L21/67051
Abstract: 기판의표면에파티클이발생하는것을억제할수 있는기판처리방법을제공한다. 본발명에따른기판처리방법에서는, 먼저기판(W)이약액처리된다. 이어서, 기판(W)을회전시키면서기판(W)으로린스액이공급되어린스처리공정이행해진다. 그후, 기판(W)을회전시키면서기판(W)으로린스액보다휘발성이높은건조액이공급되어건조처리공정이행해진다. 건조처리공정에서, 기판(W)으로건조액을공급하기전에린스액을공급하며, 린스액을공급할때에는, 기판(W)의회전수를저하시켜기판(W)의회전수가소정의회전수까지저하된후, 기판(W)으로린스액을공급하는린스액공급위치를기판(W)의중심부에서주연부를향해이동시키면서기판(W)으로린스액을공급한다.
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9.发明授权
公开(公告)号：KR101596750B1
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020110054906
申请日：2011-06-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/67051
Abstract: 기판의표면에파티클이발생하는것을억제할수가있고또한웨이퍼의건조처리를신속하게행하여건조액의사용량을저감시킬수 있는기판처리방법을제공한다. 본발명에따른기판처리방법에서는, 먼저약액처리된기판(W)으로린스액이공급되고, 이때세정액노즐(30)을기판(W)의중심부에대응되는위치에서주연부에대응되는위치로이동시킨다. 이어서기판(W)으로건조액이공급되고, 이때건조액노즐(31)을기판(W)의중심부에대응되는위치에서기판(W)의주연부에대응되는위치로이동시키는제 1 공정과, 이제 1 공정후 건조액노즐(31)을기판(W)의중심부에대응되는위치에소정시간정지시키는제 2 공정이행해진다. 그후 기판(W)으로불활성가스가공급되고, 이때가스노즐(32)을기판(W)의중심부에대응되는위치에서기판(W)의주연부에대응되는위치로이동시킨다.
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10.发明公开기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 有权基板处理方法，用于执行基板处理方法和基板处理装置的存储中央存储计算机程序
公开(公告)号：KR1020110139645A
公开(公告)日：2011-12-29
申请号：KR1020110054906
申请日：2011-06-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67028 , H01L21/67051
Abstract: PURPOSE: A substrate processing method, a storage medium storing computer program for executing substrate processing method and a substrate processing apparatus are provided to reduce the amount of dry solution by performing drying of a substrate in rapid. CONSTITUTION: In a substrate processing method, a storage medium storing computer program for executing substrate processing method and a substrate processing apparatus, a substrate is processed by a medical solution A rinse solution is supplied to the substrate. A dry solution is supplied to the substrate. The dry solution has higher volatility than the rinse solution. An inactive gas is supplied to the substrate. A rinse solution nozzle supplies rinse solution to the center of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供基板处理方法，存储用于执行基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，以通过快速干燥基板来减少干燥溶液的量。 构成：在基板处理方法中，存储用于执行基板处理方法的计算机程序的存储介质和基板处理装置，基板由药液处理。将冲洗溶液供给到基板。 将干溶液供应到基底。 干溶液的挥发性高于冲洗溶液。 将惰性气体供应到基底。 冲洗溶液喷嘴将冲洗溶液提供到基材的中心。
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