公开(公告)号：KR101427505B1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：KR1020127028853

申请日：2011-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  이가라시요시키 ,  나리시게가즈키 ,  무카와다카히토

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 반사 방지막 상에 형성된 포토 레지스트막으로 이루어지는 제 1 라인부를 마스크로 해서 상기 반사 방지막을 에칭하는 것에 의해서, 상기 포토 레지스트막과 상기 반사 방지막으로 이루어지는 제 2 라인부를 갖는 패턴을 형성하는 제 1 패턴 형성 공정과, 상기 포토 레지스트막에 전자를 조사하는 조사 공정과, 상기 제 2 라인부를 등방적으로 피복하도록 산화 실리콘막을 성막하는 산화 실리콘막 성막 공정과, 상기 산화 실리콘막을 상기 제 2 라인부의 상부에서 제거하고 상기 제 2 라인부의 측벽부로서 잔존하도록, 상기 산화 실리콘막을 에치백하는 에치백 공정과, 상기 제 2 라인부를 애싱하는 것에 의해서, 상기 산화 실리콘막으로 이루어지고 상기 측벽부로서 잔존하는 제 3 라인부를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 제 2 패턴 형성 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법이 제공된다..

公开(公告)号：KR1020120132693A

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：KR1020127028853

申请日：2011-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 야에가시히데타미 ,  이가라시요시키 ,  나리시게가즈키 ,  무카와다카히토

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31138 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32139

Abstract: 반사 방지막 상에 형성된 포토 레지스트막으로 이루어지는 제 1 라인부를 마스크로 해서 상기 반사 방지막을 에칭하는 것에 의해서, 상기 포토 레지스트막과 상기 반사 방지막으로 이루어지는 제 2 라인부를 갖는 패턴을 형성하는 제 1 패턴 형성 공정과, 상기 포토 레지스트막에 전자를 조사하는 조사 공정과, 상기 제 2 라인부를 등방적으로 피복하도록 산화 실리콘막을 성막하는 산화 실리콘막 성막 공정과, 상기 산화 실리콘막을 상기 제 2 라인부의 상부에서 제거하고 상기 제 2 라인부의 측벽부로서 잔존하도록, 상기 산화 실리콘막을 에치백하는 에치백 공정과, 상기 제 2 라인부를 애싱하는 것에 의해서, 상기 산화 실리콘막으로 이루어지고 상기 측벽부로서 잔존하는 제 3 라인부를 포함하는 마스크 패턴을 형성하는 제 2 패턴 형성 공정을 포함하는 마스크 패턴의 형성 방법이 제공된다..