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    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    1.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 审中-实审
    基板处理装置及基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020170134287A

    公开(公告)日：2017-12-06

    申请号：KR1020170156290

    申请日：2017-11-22

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

    IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/683

    Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

    Abstract translation: 当安装安装目标外延处理衬底并且衬底被处理气体处理时，进一步确保了均匀性。 用于在作为真空气氛下的被处理基板的晶片W上进行处理气体的处理的基板处理装置5包括：被保持在真空气氛下且用于接收晶片W的腔室40， 用于将含有处理气体的气体导入腔室40内的气体导入部件42和用于将晶片W载置于腔室40内的气体导入部件42， 在上腔室41内的包含晶圆W的区域形成划分处理空间S的隔壁的隔壁构件44，以及使隔壁构件44升降的升降工具45。

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
    5.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
    基板处理装置和基板处理方法

    公开(公告)号：KR1020160012942A

    公开(公告)日：2016-02-03

    申请号：KR1020150104285

    申请日：2015-07-23

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

    IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

    CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

    Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

    Abstract translation: 本发明是为了在将待处理的基板安装在安装单元上以通过使用处理气体处理基板时确保优异的均匀性。 一种用于在真空气氛下作为待处理基板的晶片（W）上使用处理气体进行预设处理的基板处理装置（5）包括容纳在真空下支撑的晶片（W）的室（40） 将所述晶片（W）放置在所述室（40）内的基板安装单元（41），将包括处理气体的气体供给到所述室（40）内的气体导入部件（42），隔壁部件 44），其在所述基板安装单元（41）的上部中形成用于限定包括所述晶片（W）的区域中的处理空间（S）的分隔壁;以及升降装置（45），其用于 使分隔壁构件（44）上下移动。

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