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    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
    3.
    发明授权
    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
    基板处理方法及基板处理装置

    公开(公告)号：KR101787814B1

    公开(公告)日：2017-10-18

    申请号：KR1020140139283

    申请日：2014-10-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시히로유키 ,  권태춘

    IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  F04D19/04 ,  H01L21/60

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253

    Abstract: 기판을수용하는처리챔버와, 처리챔버에처리가스를공급하는처리가스공급유닛과, 처리챔버내를배기하는터보분자펌프를갖는가스배기유닛을포함하는기판처리장치를이용하여, 처리챔버내에처리가스를공급하고, 처리챔버내의기판상에서처리가스를반응시켜서기판을처리하는기판처리방법에제공된다. 상기방법은, 처리가스의반응에의해처리가스보다분자량이큰 부생성물이생성되는경우에, 처리챔버내의압력을사전결정된값으로유지하면서, 터보분자펌프의회전속도를조절함으로써, 처리의균일성을조절한다.

    Abstract translation: 在处理腔室使用的基板处理装置，其包括具有涡轮分子泵和处理室容纳基板的排气装置，以及将处理气体供应到所述处理室中的处理气体供给单元和排出处理腔室的内部，该过程 本发明提供一种基板处理方法，用于通过供给气体来处理基板，并使处理气体在处理室内的基板上反应。 的方法，如在的情况下更工艺气体是更大的副产物的分子量通过工艺气体的反应而产生，维持在处理室中，以一个预定值的压力，通过控制涡轮分子泵的旋转速度，处理性的均匀性 进行调整。

    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
    4.
    发明公开
    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
    基板加工方法和基板加工装置

    公开(公告)号：KR1020160100847A

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：KR1020160017030

    申请日：2016-02-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시히로유키 ,  오기와라도모아키 ,  아베다쿠야 ,  도미타마사히코 ,  가츠키지로

    IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/60

    Abstract: 본발명은산화막제거처리의스루풋을높여, 생산성을향상시킬수 있는기판처리방법을제공한다. 표면에폴리실리콘막(202)이형성된웨이퍼 W를챔버(40)에수용하고, 챔버(40) 내에불화수소가스와암모니아가스를공급하여폴리실리콘막(202)을반응생성물(AFS)로변질시키는 COR 공정과, 챔버(40) 내로의불화수소가스의공급을정지함과아울러챔버(40) 내에질소가스를공급하는것에의해, COR 공정에서생성한반응생성물을승화시켜웨이퍼 W로부터제거하는 PHT 공정을, 복수회반복하여실행한다.

    Abstract translation: 能够通过提高氧化膜去除处理的生产率来提高生产率的基板加工方法。 一种在室（40）中接收在其表面上形成有多晶硅层（202）的晶片W并且向所述室（40）供应氟化氢气体和氨气以改变多晶硅层（202）的COR处理 ）和反应产物（AFS）的PHT过程，以及向室（40）供应氮气同时停止向室（40）供应氟化氢气体以使在COR过程中产生的反应产物升华的PHT过程，因此 从晶片W中除去反应产物重复多次。

    기판 위치 결정 장치, 기판 위치 결정 방법 및 프로그램이기억된 기억 매체
    5.
    发明公开
    기판 위치 결정 장치, 기판 위치 결정 방법 및 프로그램이기억된 기억 매체 有权
    基板定位装置，基板定位方法和程序记录介质

    公开(公告)号：KR1020060105528A

    公开(公告)日：2006-10-11

    申请号：KR1020060028559

    申请日：2006-03-29

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 오사다게이지 ,  니시나카야마야스히코 ,  이케다가쿠 ,  다카하시히로유키

    IPC: H01L21/68

    CPC classification number: G03F9/7011 ,  H01L21/681

    Abstract: 예컨대 포화 데이터 등의 이상 데이터에 기인하는 노이즈 부분을 기판 주연부에 형성된 절결 마크로 오판정하는 것을 방지하는 동시에 절결 마크의 판정 정밀도를 향상시킨다.
    회전 적재대(210)에 적재된 웨이퍼(W)의 주연부를 광 투과형 센서(250)에 의해 검출하고, 그 검출값을 기판 주연부 형상 데이터로서 취득하며, 기판 주연부 형상 데이터로부터 돌발적인 이상 데이터를 검출하여 검출된 돌발적인 이상 데이터를 삭제하고, 그 부분에 그 주변 데이터에 기초하여 얻어지는 예측 데이터를 보간하는 노이즈 저감 처리와, 노이즈 저감 처리 후의 기판 주연부 형상 데이터로부터 절결 마크 후보를 검출하여, 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군을 곡선 근사(曲線近似)하여 얻어지는 근사 곡선과 상기 절결 마크 후보에 해당하는 부분의 데이터군의 오차가 소정의 판정 조건을 만족하는지의 여부를 판정하는 절결 마크 판정 처리와, 소정의 판정 조건을 만족하는 절결 마크에 기초하여 상기 기판을 위치 결정하는 기판 위치 결정 처리를 행한다.

    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
    7.
    发明公开
    기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 有权
    基板加工方法和基板加工装置

    公开(公告)号：KR1020150044816A

    公开(公告)日：2015-04-27

    申请号：KR1020140139283

    申请日：2014-10-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 다카하시히로유키 ,  권태춘

    IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  F04D19/04 ,  H01L21/60

    CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/0273 ,  F04D19/042 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/205 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L2021/60187 ,  H05H1/46

    Abstract: 기판을수용하는처리챔버와, 처리챔버에처리가스를공급하는처리가스공급유닛과, 처리챔버내를배기하는터보분자펌프를갖는가스배기유닛을포함하는기판처리장치를이용하여, 처리챔버내에처리가스를공급하고, 처리챔버내의기판상에서처리가스를반응시켜서기판을처리하는기판처리방법에제공된다. 상기방법은, 처리가스의반응에의해처리가스보다분자량이큰 부생성물이생성되는경우에, 처리챔버내의압력을사전결정된값으로유지하면서, 터보분자펌프의회전속도를조절함으로써, 처리의균일성을조절한다.

    Abstract translation: 提供一种基板处理方法，其通过使用包括存储基板的处理室的基板处理装置，在处理室内供给处理气体来处理基板; 处理气体供给单元，其向所述处理室供给处理气体; 以及涡轮分子泵，其在所述处理室内部排气，并使处理气体在所述处理室中的所述基板上反应。 在根据处理气体的反应产生具有比处理气体高的分子量的副产物的情况下，该方法将处理室内的压力保持为预定值，并且控制涡轮分子泵的转速以控制均匀性 的过程。

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