公开(公告)号：KR1020160012942A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：KR1020150104285

申请日：2015-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

Abstract translation: 本发明是为了在将待处理的基板安装在安装单元上以通过使用处理气体处理基板时确保优异的均匀性。 一种用于在真空气氛下作为待处理基板的晶片（W）上使用处理气体进行预设处理的基板处理装置（5）包括容纳在真空下支撑的晶片（W）的室（40） 将所述晶片（W）放置在所述室（40）内的基板安装单元（41），将包括处理气体的气体供给到所述室（40）内的气体导入部件（42），隔壁部件 44），其在所述基板安装单元（41）的上部中形成用于限定包括所述晶片（W）的区域中的处理空间（S）的分隔壁;以及升降装置（45），其用于 使分隔壁构件（44）上下移动。

公开(公告)号：KR1020170134287A

公开(公告)日：2017-12-06

申请号：KR1020170156290

申请日：2017-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/683

Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

Abstract translation: 当安装安装目标外延处理衬底并且衬底被处理气体处理时，进一步确保了均匀性。 用于在作为真空气氛下的被处理基板的晶片W上进行处理气体的处理的基板处理装置5包括：被保持在真空气氛下且用于接收晶片W的腔室40， 用于将含有处理气体的气体导入腔室40内的气体导入部件42和用于将晶片W载置于腔室40内的气体导入部件42， 在上腔室41内的包含晶圆W的区域形成划分处理空间S的隔壁的隔壁构件44，以及使隔壁构件44升降的升降工具45。

公开(公告)号：KR100960411B1

公开(公告)日：2010-05-28

申请号：KR1020080044646

申请日：2008-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마슈지 ,  오비카네다다시 ,  스즈키마사루 ,  야마모토야스히토 ,  야노가즈야 ,  아사카와유지 ,  야마가타가즈미 ,  나카무라시게키 ,  마츠자와에이이치 ,  오자와가즈히로 ,  가가미후미토 ,  고지마신지

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2893

Abstract: 프로브 카드를 이용하여 웨이퍼 상의 IC 칩의 전기적 특성을 조사하는 프로브 장치에 있어서, 소형화 및 고스루풋화를 도모한다.
서로 마주 향하도록 2개의 캐리어를 각기 탑재하기 위한 제 1 및 제 2 로드 포트(11, 12)와, 이들 로드 포트(11, 12)의 중간 위치에 회전 중심을 가지는 웨이퍼 반송 기구(3)와, 이들 로드 포트(11, 12)의 나열에 따라 배치되고 또한 서로 대칭인 제 1 및 제 2 검사부(21A, 21B)를 마련하고, 그리고 상기 캐리어와 검사부(21A)(또는 21B)의 웨이퍼 척(4A)(또는 4B)의 사이에서 웨이퍼 반송 기구(3)에 의해 웨이퍼의 수수를 직접 실행하도록 구성한다. 또한 웨이퍼 반송 기구(3)에 3개의 아암을 갖게 하여, 캐리어로부터 2장씩 웨이퍼를 반출하도록 한다.

公开(公告)号：KR101850255B1

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR1020170156290

申请日：2017-11-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

公开(公告)号：KR101805256B1

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：KR1020150104285

申请日：2015-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아사카와유지 ,  미도리카와요헤이 ,  도다사토시 ,  다카하시히로유키

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/68792

Abstract: 탑재대상에피처리기판을탑재해서처리가스에의해기판처리를실시할때에, 한층더 균일성을확보한다. 진공분위기하에서피처리기판인웨이퍼(W)에처리가스에의해소정의처리를실시하는기판처리장치(5)는, 진공분위기에보지되어웨이퍼(W)가수용되는챔버(40)와, 챔버(40) 내에서웨이퍼(W)를탑재하는기판탑재대(41)와, 챔버(40) 내에처리가스를포함한가스를도입하는가스도입부재(42)와, 승강가능하게마련되고, 기판탑재대(41)의상방의웨이퍼(W)를포함한영역에처리공간(S)을규정하는격벽을형성하기위한격벽부재(44)와, 격벽부재(44)를승강시키는승강기구(45)를구비한다.

公开(公告)号：KR1020080101708A

公开(公告)日：2008-11-21

申请号：KR1020080044646

申请日：2008-05-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아키야마슈지 ,  오비카네다다시 ,  스즈키마사루 ,  야마모토야스히토 ,  야노가즈야 ,  아사카와유지 ,  야마가타가즈미 ,  나카무라시게키 ,  마츠자와에이이치 ,  오자와가즈히로 ,  가가미후미토 ,  고지마신지

IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R31/2893

Abstract: A probe apparatus is provided to improve the test efficiency of the substrate by directly performing the transfer between the carrier and the substrate mounting table. A probe apparatus comprises the first and the second load port(11,12) for respectively mounting two carriers in order to be confronted; the wafer return apparatus(3) having the center of rotation in the intermediate position of load ports; the first and the second testing station(21A, 21B) which is symmetry and is arranged according to the list of load ports. The wafer return apparatus has three arms and carries out two wafers from the carrier.

Abstract translation: 提供探针装置，通过直接执行载体和基板安装台之间的转移来提高基板的测试效率。 探针装置包括用于分别安装两个载体以便面对的第一和第二负载端口（11,12） 所述晶片返回装置（3）在所述装载口的中间位置具有旋转中心; 第一和第二测试台（21A，21B），其是对称的并且根据负载端口列表来布置。 晶片返回装置具有三个臂并从载体执行两个晶片。