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公开(公告)号：KR1020100109449A
公开(公告)日：2010-10-08
申请号：KR1020100027761
申请日：2010-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32697
Abstract: PURPOSE: The plasma processing apparatus and plasma processing method is provided so that the edge class of the plasma density distribution processing uniformity can be materialized. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus and plasma processing method. The first conductor(74), and second conductor(76) is included. The first conductor is electrically connected about the power of the first radio frequency to the rear side of the microwave electrode. The second conductor has the second connection unit electrically connected to the conductivity ground member nearby electrically grounded of the microwave electrode.
Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，使得能够实现等离子体密度分布处理均匀性的边缘等级。 构成：等离子体处理装置和等离子体处理方法。 包括第一导体（74）和第二导体（76）。 第一导体围绕第一射频的功率电连接到微波电极的后侧。 第二导体具有电连接到微波电极的电接地附近的导电性接地部件的第二连接单元。
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公开(公告)号：KR101687565B1
公开(公告)日：2016-12-19
申请号：KR1020100027761
申请日：2010-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01J37/32697
Abstract: 플라즈마밀도분포제어의성능및 자유도를대폭개선하여플라즈마밀도분포및 프로세스특성의가급적인균일성향상을실현시킨다. 용량결합형플라즈마처리장치는, 서셉터(12) 상의플라즈마밀도분포를제어하기위한툴로서챔버하부실(25)에플라즈마밀도분포제어기(72)를설치하고있다. 이플라즈마밀도분포제어기(72)는서셉터(12)의배면의원하는부위에상면을향하여배치되는도체판(제 1 도체)(74)과, 이도체판(74)을그 아래에서보지하고, 또한전기적으로접지하는도체봉(제 2 도체)(76)을가진다. 도체봉(76)의상단(제 1 접속부)은도체판(74)의하면의임의의부위에고착되어있다. 도체봉(76)의하단(제 2 접속부)은챔버(10)의저벽(10b)에고착또는접촉되어설치된다.
Abstract translation: 通过大大提高性能和控制等离子体密度分布的自由度，提高了等离子体密度分布和工艺特性的均匀性。 电容耦合等离子体处理装置包括安装在室下室中的等离子体密度分布控制器，用于控制基座上的等离子体密度分布。 等离子体密度分布控制器包括导电板（第一导体），该导电板（第一导体）被放置在基座的后表面处于与基座相对的特定位置处;以及导电棒（第二导体），其将导电板向上支撑并电接地。 导电棒的上端（第一连接部）固定在导电板的底面的某一部分上，导电棒的下端（第二连接部）固定在底部 一个房间的墙壁
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