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公开(公告)号：KR1020150139779A
公开(公告)日：2015-12-14
申请号：KR1020150072999
申请日：2015-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6875
Abstract: 정전척의적재면에부착되는수분을저감시킨다. 냉각처리장치는, 처리용기, 정전척, 냉각기구및 램프가열장치를포함하고있다. 정전척은, 그위에피처리체가적재되는적재면을갖고있으며, 처리용기내에설치되어있다. 냉각기구는, 정전척을냉각하도록구성되어있다. 램프가열장치는, 적재면에부착된수분을제거하도록구성되어있다.
Abstract translation: 冷却处理装置减少附着在静电卡盘的安装表面上的水分。 冷却处理装置包括：处理容器; 静电吸盘; 冷却机构; 和灯加热装置。 静电卡盘具有安装被加工物体的安装面。 冷却机构被配置为冷却静电卡盘。 灯加热装置构造成去除附着在安装表面上的水分。
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公开(公告)号：KR1020150023263A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：KR1020147032123
申请日：2013-03-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J37/3447 , H01J37/3452 , H01J2237/332
Abstract: 본 발명은, 자성 재료로 이루어지는 타깃을 사용하여 마그네트론 스퍼터를 행함에 있어서, 장치의 생산성을 높게 할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 기판 위에서, 당해 기판의 중심축으로부터 상기 기판의 면을 따른 방향으로 그 중심축이 편이하여 배치되고, 자성 재료로 이루어지는 타깃인 원통체와, 이 원통체를 당해 원통체의 축 둘레로 회전시키는 회전 기구와, 상기 원통체의 공동부 내에 설치된 마그네트 배열체와, 상기 원통체에 전압을 인가하는 전원부를 구비하는 장치를 구성한다. 그리고, 상기 마그네트 배열체의 상기 원통체의 축과 직교하는 단면 형상은, 원통체의 둘레 방향에서의 양단부보다 중앙부가 당해 원통체의 주면측으로 돌출되어 있다. 이에 의해, 두께가 비교적 큰 타깃을 사용해도, 타깃으로부터 누설되는 자장의 강도의 저하를 억제하고, 또한 에로젼의 국소적인 진행을 억제할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101717322B1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020130131269
申请日：2013-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: F16K51/02 , H01L21/67201 , Y10T137/86083
Abstract: 본발명은간이한구성으로신속하게고진공을실현할수 있는로드로크장치를제공한다. 로드로크장치(LL1)는대기분위기및 진공실에연통하는챔버(1)와, 챔버(1) 내에배치되어, 반도체웨이퍼(W)를보유지지함과함께, 챔버(1) 내를상하방향으로이동가능하게설치된보유지지부(3)와, 보유지지부(3)를상하방향으로승강시키는승강기구(5)와, 챔버(1)와보유지지부(3)에의해구획형성되는공간(S1)을진공화하는압력조정기구(7)를포함하고, 승강기구(5)는보유지지부(3)에연결되고, 상하방향을따라설치되는적어도 2개의샤프트(24)와, 승강축부재를승강시키는구동부를포함하고, 챔버(1)의천장부(1b)에는공간(S1)과연통하는개구부(O1)가형성되어있고, 2개의샤프트(24)는개구부(O1)를사이에두는위치에배치되어있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种能够以简单的结构快速实现高真空的负载锁定装置。 装载锁定装置LL1包括：与大气气氛连通的腔室1和真空腔室;负载锁定装置LL2，其配置在腔室1内并保持半导体晶片W; 并且由腔室1和保持部分3形成的空间S1被抽空至真空状态，使得腔室1可被抽真空 升降机构5包括至少两个与保持部分3连接并沿垂直方向设置的轴24和用于升降升降轴部件的驱动部分 并且，在腔室1的腔室部1b形成有与空间S1连通的开口部O1。两个轴24配置在夹着开口部O1的位置。
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公开(公告)号：KR1020140133513A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：KR1020147021919
申请日：2013-02-12
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3411 , C23C14/165 , C23C14/3471 , H01J37/32082 , H01J37/3408 , H01J37/3438 , H01J37/345 , H01J2237/332 , H01L21/67011 , C23C14/34 , H01L21/02266 , H01L21/02631 , H01L21/203
Abstract: 기판 상에 있어서의 성막 속도에 대하여 높은 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 스퍼터 장치를 제공하는 것이다. 진공 용기(1) 내의 적재부(8) 상에 적재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타깃(21)을 배치하여, 적재부(8)를 대향 전극으로서 구성한다. 타깃(21)에 고주파 전력의 공급과 부의 직류 전압의 인가를 행하고, 이에 의해 타깃(21)과 적재부(8) 사이에 전계를 형성한다. Ar 가스는 이 전계에 의해 플라즈마화되어, 균일성이 높은 고밀도 플라즈마가 형성되고, 플라즈마 중의 Ar 이온이 타깃(21)에 충돌하여 스퍼터 입자가 방출된다. 이와 같은 플라즈마가 생성되기 때문에, 타깃(21)과 적재부(8)의 거리가 30㎜ 이하로 가까워짐으로써, 기판 상의 성막 속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101781262B1
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：KR1020150072999
申请日：2015-05-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/324 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67109 , H01L21/67115 , H01L21/6875
Abstract: 정전척의적재면에부착되는수분을저감시킨다. 냉각처리장치는, 처리용기, 정전척, 냉각기구및 램프가열장치를포함하고있다. 정전척은, 그위에피처리체가적재되는적재면을갖고있으며, 처리용기내에설치되어있다. 냉각기구는, 정전척을냉각하도록구성되어있다. 램프가열장치는, 적재면에부착된수분을제거하도록구성되어있다.
Abstract translation: 由此减少粘附到静电吸盘的安装表面上的湿气。 冷却处理装置包括处理容器，静电吸盘，冷却机构和灯加热装置。 静电卡盘具有载置被加工物的载置面，并设置在处理容器内。 冷却机构构造成冷却静电卡盘。 灯加热装置构造成去除附着到安装表面的湿气。
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公开(公告)号：KR1020150027053A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020147032117
申请日：2013-04-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/203 , C23C14/35 , H01L21/28
CPC classification number: H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01L21/203 , H01L21/28061
Abstract: 본 발명은, 마그네트론 스퍼터링에 의해 기판의 면 내에 균일성 높게 성막을 행할 수 있는 기술을 제공하는 것이다. 진공 용기 내의 적재부에 적재된 기판을 향하도록 배치된 타깃과, 이 타깃의 배면측에 설치되고, 마그네트를 배열하여 이루어지는 마그네트 배열체를 구비한 마그네트론 스퍼터링 장치에 있어서, 상기 진공 용기 내에 플라즈마 발생용 가스를 공급하기 위한 가스 공급부와, 상기 적재부를 회전시키기 위한 회전 기구와, 상기 타깃에 전압을 인가하는 전원부와, 상기 마그네트 배열체를, 제1 영역과 이 제1 영역보다 타깃의 외측 테두리부측으로 치우친 제2 영역의 사이에서 이동시키기 위한 이동 기구와, 상기 마그네트 배열체의 평균 이동 속도가 상기 제1 영역과 제2 영역의 사이에서 상이하도록 제어 신호를 출력하는 제어부를 구비하도록 장치를 구성한다.
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公开(公告)号：KR101726031B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020147032112
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/203 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/58
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12
Abstract: 본발명은, 기판에대하여금속산화막을성막함에있어서, 기판간에서금속산화막의저항값을안정화시키는처리장치및 처리방법을제공하는것이다. 플라즈마스퍼터처리가가능한진공용기(2) 내부에산소를흡수하는부재로이루어지는타깃(31a)과금속으로이루어지는타깃(31b)을배치하고, 진공용기(2) 내부에기판(S)을반입한다. 커버플레이트(43)로기판(S)을덮고, 타깃(31a)을스퍼터하여진공용기(2) 내부에성막하여, 당해막에진공용기(2) 내부의산소를흡착시킨다. 그리고커버플레이트(43)를기판(S) 위로부터이동시키고, 타깃(31b)을스퍼터해서기판(S) 위에금속막을성막한다. 다시기판(S) 위로이동시킨커버플레이트(43)로부터산소를필요량만큼공급하여, 금속막을금속산화막으로한다. 그리고타깃(31a)을스퍼터하여진공용기(2) 내부의산소를흡착시킨뒤에, 금속산화막이형성된기판(S)을진공용기(2) 내부로부터반출한다.
Abstract translation: 本发明中，如在成膜金属氧化物膜为基材，以提供用于稳定基片之间的金属氧化物层的电阻值的处理装置和处理方法。 放置一个目标（31A），一个目标（31B）形成为包括吸收该等离子体溅射过程可能真空容器（2）内部的氧的部件的充电，并提请在真空容器（2）的基板（S）。 用盖板43覆盖基板S，溅射靶材31a，在真空容器2的内部形成膜，将真空容器2内的氧吸附到膜上。 接着，使盖板43从基板S的上方移动，通过溅射靶材31b而在基板S上形成金属膜。 从在基板S上移动的盖板43向基板S供给必要量的氧气，并将该金属膜用作金属氧化物膜。 在靶31a被溅射以吸附真空容器2中的氧之后，将其上形成有金属氧化物膜的基板S从真空容器2的内部取出。
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公开(公告)号：KR1020150016945A
公开(公告)日：2015-02-13
申请号：KR1020147032112
申请日：2013-04-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L21/203 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/58
CPC classification number: C23C14/5853 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/3464 , C23C14/352 , C23C14/564 , H01J37/34 , H01J37/3405 , H01J37/3426 , H01J37/3429 , H01J37/3447 , H01J2237/3322 , H01L43/12 , H01L21/203
Abstract: 본 발명은, 기판에 대하여 금속 산화막을 성막함에 있어서, 기판간에서 금속 산화막의 저항값을 안정화시키는 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 것이다. 플라즈마 스퍼터 처리가 가능한 진공 용기(2) 내부에 산소를 흡수하는 부재로 이루어지는 타깃(31a)과 금속으로 이루어지는 타깃(31b)을 배치하고, 진공 용기(2) 내부에 기판(S)을 반입한다. 커버 플레이트(43)로 기판(S)을 덮고, 타깃(31a)을 스퍼터하여 진공 용기(2) 내부에 성막하여, 당해 막에 진공 용기(2) 내부의 산소를 흡착시킨다. 그리고 커버 플레이트(43)를 기판(S) 위로부터 이동시키고, 타깃(31b)을 스퍼터해서 기판(S) 위에 금속막을 성막한다. 다시 기판(S) 위로 이동시킨 커버 플레이트(43)로부터 산소를 필요량만큼 공급하여, 금속막을 금속 산화막으로 한다. 그리고 타깃(31a)을 스퍼터하여 진공 용기(2) 내부의 산소를 흡착시킨 뒤에, 금속 산화막이 형성된 기판(S)을 진공 용기(2) 내부로부터 반출한다.
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公开(公告)号：KR1020140059727A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020130131269
申请日：2013-10-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: F16K51/02 , H01L21/67201 , Y10T137/86083 , H01L21/67389 , H01L21/67739 , H01L21/68714 , H01L21/68742
Abstract: Provided is a load lock device capable of achieving a high degree of vacuum rapidly with simple configuration. The load lock device (LL1) comprises: a chamber (1) configured to communicate with a vacuum chamber at an air atmosphere; a holding unit (3) arranged within the chamber (1) to hold semiconductor wafers (W) and installed to be able to vertically move within the chamber (3); an elevation mechanism (5) configured to move the holding unit (3) up and down; and a pressure regulating mechanism (7) configured to evacuate a space (S1) defined by the chamber (1) and the holding unit (3), wherein the elevation mechanism (5) includes at least two shafts (24) connected to the holding unit (3) and installed vertically and a drive unit configured to vertically move elevation shaft members, an opening (O1) communicating with the space (S1) is formed in a ceiling portion (1b) of the chamber (1), and the at least two shafts (24) are arranged opposite each other with the opening (O1) interposed therebetween.
Abstract translation: 提供能够以简单的结构快速实现高真空度的负载锁定装置。 负载锁定装置（LL1）包括：室（1），其构造成在空气气氛下与真空室连通; 保持单元（3），其布置在所述腔室（1）内以保持半导体晶片（W）并且被安装成能够在所述腔室（3）内垂直移动; 升降机构（5），被配置为使所述保持单元（3）上下移动; 以及压力调节机构（7），其构造成抽空由所述室（1）和所述保持单元（3）限定的空间（S1），其中所述升降机构（5）包括至少两个连接到所述保持部 单元（3）并且竖直安装的驱动单元和垂直移动升降轴构件的驱动单元，在所述室（1）的顶部（1b）中形成有与所述空间（S1）连通的开口（O1） 至少两个轴（24）彼此相对布置，其间插入有开口（O1）。
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