公开(公告)号：KR1020090094363A

公开(公告)日：2009-09-04

申请号：KR1020097014154

申请日：2008-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  미야타니코타로 ,  호리토시야스 ,  히로세시게카즈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76835

Abstract: Provided is an etching method wherein a fluorine-added carbon film formed on a substrate is etched by plasma. The method includes a first step of performing etching with plasma of an oxygen-containing treatment gas, and a second step of performing etching with plasma of a fluorine-containing treatment gas.

Abstract translation: 提供了一种蚀刻方法，其中通过等离子体蚀刻在基板上形成的添加氟的碳膜。 该方法包括用含氧处理气体的等离子体进行蚀刻的第一步骤，以及利用含氟处理气体的等离子体进行蚀刻的第二步骤。

公开(公告)号：KR1020130041120A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：KR1020137001515

申请日：2011-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야타니코타로 ,  네모토타케나오 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

Abstract: 기계적 강도 및 내흡습성이 우수한 저(低)유전율의 층간 절연층을 형성할 수 있는 층간 절연층 형성 방법을 제공한다. 또한, 배선 지연을 저감시킨 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치의 층간 절연층을 플라즈마 CVD법으로 형성하는 방법에 있어서, 감압된 처리 용기 내로 기판을 반입하는 공정과, 상기 기판으로부터 이격된 제1 공간(1a)에 플라즈마 생성 가스를 공급하는 공정과, 상기 제1 공간(1a)에서 상기 플라즈마 생성 가스를 여기하는 공정과, 상기 제1 공간(1a)과 상기 기판과의 사이의 제2 공간(1b)에, 적어도 수소기 또는 탄화수소기를 포함하는 보론 화합물을 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정을 갖는다. 또한, 붕소, 탄소 및 질소를 포함하는 어모퍼스 구조가 형성된 층간 절연층을 통하여 다층 배선된 반도체 장치에 있어서, 상기 층간 절연층에, 육방정 및 입방정(立方晶)의 질화 붕소를 포함하는 어모퍼스 구조 중에 탄화수소기 또는 알킬아미노기를 혼재시킨다.

公开(公告)号：KR101179111B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020097014154

申请日：2008-02-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와토시히사 ,  미야타니코타로 ,  호리토시야스 ,  히로세시게카즈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76835

Abstract: 기판 상에 형성된 불소 첨가 카본막을 플라즈마에 의해 에칭하는 에칭 방법은, 산소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 제1 단계와, 불소를 포함하는 처리 가스의 플라즈마에 의해 에칭을 행하는 제2 단계를 갖는다.
불소, 플라즈마, 산소, 에칭