公开(公告)号：KR1020110105847A

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：KR1020117017379

申请日：2010-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호리고메마사히로 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  마츠오카타카아키 ,  노자와토시히사

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/203

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76864

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법은, 절연층을 어닐링하는 단계 및 그 절연층 위에 금속 원소를 포함하는 배리어층을 형성하는 단계를 구비한다. 절연층은 탄화불소(CFx)막을 포함한다. 배리어층은 어닐링 단계 이후에 고온 스퍼터링 공정에 의하여 형성된다.

公开(公告)号：KR100944557B1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：KR1020087029165

申请日：2005-08-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  다이요 닛산 가부시키가이샤 ,  오미 다다히로

Inventor： 고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  가메시마다카토시 ,  이사키류이치로 ,  신리키마나부

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/0212 ,  C23C16/26 ,  C23C16/4402 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3127

Abstract: 적외선 레이저 흡광방식에 의해 측정된 수분 함유량이 60×10
-9 체적비 이하인 C
5 F
8 가스를 이용하여, 불소첨가 카본막을 성막함으로써, 열적 안정성이 뛰어난 불소첨가 카본막을 얻는 것을 목적으로 한다. C
5 F
8 가스의 공급원(1)과 웨이퍼(W)에 대해 C
5 F
8 가스를 플라즈마화시켜 불소첨가 카본막을 성막하는 성막처리부(3)의 사이에, 친수성 또는 환원 작용이 있는 표층을 구비한 물질을 충전한 정제기(2)를 설치하고, C
5 F
8 가스를 정제기(2)에 통기시킴으로써, C
5 F
8 가스의 수분을 제거하여, 예를 들면 수분 함유량이 20×10
-9 체적비 정도의 C
5 F
8 가스를 성막처리부(3)에 도입하여, 불소첨가 카본막을 성막한다. 이렇게 하면, 성막된 불소첨가 카본막에 받아들여지는 수분량이 극히 적어져, 다음의 가열 공정에서 막중의 수분에 기인하는 불소의 이탈이 발생하기 어려워져서, 막의 열적 안정성을 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR100762031B1

公开(公告)日：2007-09-28

申请号：KR1020067003117

申请日：2004-08-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  오미 다다히로 ,  제온 코포레이션

Inventor： 고바야시야스오 ,  가와무라고헤이 ,  오미다다히로 ,  데라모토아키노부 ,  스기모토다쓰야 ,  야마다도시로 ,  다나카기미아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3127 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3146

Abstract: 본 발명은, 420℃ 이하의 열이력을 거친 불소 첨가 카본막으로 이루어진 절연막을 구비한 반도체 장치에 관한 것이다. 본 발명의 특징은, 상기 불소 첨가 카본막중의 수소 원자의 함유량이, 상기 열이력을 거치기 전에 3원자% 이하인 것에 있다.

公开(公告)号：KR100666018B1

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：KR1020027001692

申请日：2000-08-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  요시오카마사오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 활성 가스종을 피처리체의 산화막에 반응시켜 생성막을 형성하는 저온 공정과, 피처리체를 소정의 온도로 가열함으로써 생성막을 기화시키는 가열 공정을 교대로 연속해서 행하는 것이 가능한 처리 장치 및 처리 방법을 제공한다. 이 처리 장치(12)는 피처리체(W)와 투과창(28) 사이에 끼웠다 뺐다할 수 있는 차폐판(103)을 마련하며, 이 차폐판(103)이 닫힌 상태에서, 투과창(28)으로부터의 방사열을 차단하는 상태로 피처리체의 표면에 형성된 자연 산화막에 NF
3 가스의 활성 가스종을 저온 상태로 반응시켜 생성막을 형성하며, 그 후에, 차폐판(103)이 개방된 상태에서, 가열 램프(36)로부터의 방사열을 투과창(28)을 통과시켜 생성막에 가하여, 자연 산화막을 제거하도록 되어 있다. 또, 저온에서 자연 산화막에 NF
3 를 반응시키는 저온 처리실(207)과 생성막을 가열하는 가열실(209)을 별도로 구비하고 있다.

公开(公告)号：KR1020010080114A

公开(公告)日：2001-08-22

申请号：KR1020017004594

申请日：1999-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 등의 제조 공정에 이용한 경우에, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표면 처리 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 표면 처리 방법은 피처리물(W)을 처리 용기(10)에 반입하고, 세정 가스로서 ClF
3 가스를 공급부(26)로부터 처리 용기(10) 내부에 도입하고, ClF
3 가스를 피처리물(W) 표면에 흡착시키고, 처리 용기(10)에 ClF
3 가스 도입을 정지하며, 피처리물(W) 표면에 흡착된 ClF
3 가스에 의해서 피처리물 표면이 세정된다. 계속해서, 환원 가스를 처리 용기(W) 내에 도입하여 피처리물(W) 표면에서 ClF
3 가스로부터 발생하는 염소를 제거한 후, 환원 가스 도입을 정지하고, 세정 후의 피처리물(W)을 처리 용기(10)에서 반출한다. 또한, 표면 처리 장치(1)와 다른 처리 장치를 서로 진공 반송이 가능하도록 배치하여 클러스터 장치를 구성한다.

公开(公告)号：KR1020150064690A

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：KR1020140170322

申请日：2014-12-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  이와사키마사히데 ,  야마기시고지

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32513 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32522 ,  H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67126

Abstract: 플라즈마처리장치와반송챔버사이의단열성을손상시키는일없이, 플라즈마처리장치내부로부터의마이크로파의누설을효율적으로방지한다. 인접하는챔버와의사이에서상기피처리체를반입출시키기위한개구부를갖는처리용기와, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는마이크로파도입기구와, 상기처리용기를진공상태로하는배기장치와, 상기개구부근방에마련되는게이트밸브에있어서, 상기게이트밸브의외면과상기처리용기에인접하는챔버사이에설치되는단열부재를구비하고, 상기단열부재에는, 적어도상기단열부재와상기게이트밸브의외면의대향면, 상기단열부재와상기처리용기에인접하는챔버의대향면, 및상기단열부재의외기에노출되는면에서도전성피막이피복되어있는, 플라즈마처리장치.

Abstract translation: 可以有效地防止来自等离子体处理装置的内部的微波的泄漏，而不损害等离子体处理装置与返回室之间的绝缘性能。 等离子体处理装置包括具有用于在相邻室之间取出物体的开口部的处理容器; 微波感应工具，在工艺容器中引起微波; 制造处理容器的排气装置被抽真空; 以及绝缘构件，其安装在围绕所述开口部分形成的闸阀的外表面和与所述处理容器相邻的所述室之间，其中，在绝缘构件的至少外表面的相对表面上涂覆有导电涂膜， 闸门，与绝缘构件相邻的腔室的面对表面和处理容器，以及暴露于绝缘构件的外部空气的表面。

公开(公告)号：KR100743745B1

公开(公告)日：2007-07-27

申请号：KR1020067015357

申请日：2005-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  가메시마다카토시 ,  마쓰오카다카아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76832

Abstract: 기판 위에 CF로 이루어지는 절연막(91)을 성막한다. 이 절연막(91) 위에, SiCN막(93)을 포함하여 이루어지는 보호층을 형성한다. 이 보호층 위에, 규소, 탄소 및 산소의 활성종을 포함한 플라즈마에 의해, SiCO로 이루어지는 하드 마스크용의 박막(94)을 성막한다. 보호층을 형성할 때에는, 규소 및 탄소의 활성종을 포함한 플라즈마에 의해, 절연막(91) 위에 SiC막(92)을 성막한 후, 규소, 탄소 및 질소의 활성종을 포함한 플라즈마에 의해 SiC막(92) 위에 SiCN막(93)을 성막한다.

公开(公告)号：KR1020070021323A

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020077001738

申请日：2004-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와무라고헤이 ,  고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  데라이야스히로 ,  아사노아키라

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3065

Abstract: 성막 방법은, F첨가 탄소막을, C와 F를 포함하는 원료 가스를 사용하여 형성하는 공정과, 형성된 상기 F첨가 탄소막을 래디컬에 의해 개질하는 공정과, 상기 F첨가 탄소막을 개질하는 공정을 포함하고, 상기 원료 가스는, 원료 가스 분자내에 있어서의 F원자 수와 C원자 수의 비 F/C가 1보다도 크고 2보다도 작은 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020060127109A

公开(公告)日：2006-12-11

申请号：KR1020067015357

申请日：2005-01-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  니시자와겐이치 ,  가메시마다카토시 ,  마쓰오카다카아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76832

Abstract: An insulating film (91) composed of CF is formed on a substrate. A protective film including an SiCN film (93) is formed on the insulating film (91). A thin film (94) for hard mask which is composed of SiCO is formed on the protective film using a plasma containing active species of silicon, carbon and oxygen. During the formation of the protective film, an SiC film (92) is formed on the insulating film (91) using a plasma containing active species of silicon and carbon, and then an SiCN film (93) is formed on the SiC film (92) using a plasma containing active species of silicon, carbon and nitrogen.

Abstract translation: 在基板上形成由CF构成的绝缘膜（91）。 在绝缘膜（91）上形成有包含SiCN膜（93）的保护膜。 使用含有活性物质的硅，碳和氧的等离子体，在保护膜上形成由SiCO构成的用于硬掩模的薄膜（94）。 在形成保护膜的过程中，使用含有活性物质的硅和碳的等离子体在绝缘膜（91）上形成SiC膜（92），然后在SiC膜（92）上形成SiCN膜 ）使用含有活性物质的硅，碳和氮的等离子体。

公开(公告)号：KR100605884B1

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：KR1019990049242

申请日：1999-11-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고바야시야스오 ,  미야타니고타로 ,  마에카와가오루

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/31116

Abstract: 그 표면에 산화막이 발생하고 있는 피처리체(W)는, 진공 분위기로 유지되는 처리 용기(10)내에 반입되고, N
2 가스와 H
2 가스의 혼합 가스가 플라즈마 발생부(30)에 도입되어 여기서 플라즈마화되고 각각의 활성화 가스종이 형성된다. 활성화 가스종은 피처리체를 향하여 유동되고, 이 유동에 NF
3 가스가 첨가되고 NF
3 가스가 활성화되어 활성화된 가스가 형성된다. 피처리체(W)는 냉각 수단(2)에 의해 소정의 온도 이하로 냉각되고 NF
3 가스의 활성화된 가스에 노출되며, 상기 가스와 반응하여 산화막은 변질되고 반응막이 형성된다. N
2 가스, H
2 가스 및 NF
3 가스의 처리 용기(10)로의 공급이 정지되고, 가열 수단(19)에서 피처리체를 소정의 온도로 가열하여 반응막이 승화되어 제거된다. 이상과 같은 피처리체로부터 산화막을 제거하는 표면 처리 방법과 그 장치가 개시된다. 또한, 본 발명의 표면 처리 장치와 다른 처리 장치 사이에서 피처리체가 비반응성 분위기중에서 반송가능하게, 이들 장치를 배치하는 클러스터 장치가 개시된다.