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    층간 절연층 형성 방법 및 반도체 장치
    1.
    发明公开
    층간 절연층 형성 방법 및 반도체 장치 无效
    层间绝缘层形成方法和半导体器件

    公开(公告)号：KR1020130041120A

    公开(公告)日：2013-04-24

    申请号：KR1020137001515

    申请日：2011-07-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미야타니코타로 ,  네모토타케나오 ,  구로토리타쿠야 ,  고바야시야스오 ,  노자와토시히사

    IPC: H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

    CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

    Abstract: 기계적 강도 및 내흡습성이 우수한 저(低)유전율의 층간 절연층을 형성할 수 있는 층간 절연층 형성 방법을 제공한다. 또한, 배선 지연을 저감시킨 반도체 장치를 제공한다. 반도체 장치의 층간 절연층을 플라즈마 CVD법으로 형성하는 방법에 있어서, 감압된 처리 용기 내로 기판을 반입하는 공정과, 상기 기판으로부터 이격된 제1 공간(1a)에 플라즈마 생성 가스를 공급하는 공정과, 상기 제1 공간(1a)에서 상기 플라즈마 생성 가스를 여기하는 공정과, 상기 제1 공간(1a)과 상기 기판과의 사이의 제2 공간(1b)에, 적어도 수소기 또는 탄화수소기를 포함하는 보론 화합물을 포함하는 원료 가스를 공급하는 공정을 갖는다. 또한, 붕소, 탄소 및 질소를 포함하는 어모퍼스 구조가 형성된 층간 절연층을 통하여 다층 배선된 반도체 장치에 있어서, 상기 층간 절연층에, 육방정 및 입방정(立方晶)의 질화 붕소를 포함하는 어모퍼스 구조 중에 탄화수소기 또는 알킬아미노기를 혼재시킨다.

    밸브 및 당해 밸브를 구비한 처리 장치
    3.
    发明授权
    밸브 및 당해 밸브를 구비한 처리 장치 有权
    带阀的阀和加工装置

    公开(公告)号：KR101141068B1

    公开(公告)日：2012-06-26

    申请号：KR1020097022762

    申请日：2008-04-30

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와토시히사

    IPC: F16K3/18 ,  F16K3/00 ,  F16K51/02 ,  F16K27/04

    CPC classification number: F16K3/06

    Abstract: 내부를 감압으로 유지 가능한 챔버와, 당해 챔버 내를 배기하는 배기 장치와의 사이에 형성되는 밸브가 개시된다. 이 밸브는, 챔버와 배기 장치의 사이의 기체의 연통을 허용하는 제1 개구 및 제2 개구를 포함하는 제1 밸브 본체와, 제1 밸브 본체 내에 배치되고, 제1 밸브 본체의 제2 개구에 접근 및 이탈하여 당해 제2 개구를 개폐하는 봉지(封止)용 밸브체와, 봉지용 밸브체에 형성되어, 봉지용 밸브체가 제1 밸브 본체의 제2 개구를 닫았을 때에 당해 제2 개구를 시일하는 시일 부재와, 제1 밸브 본체의, 제2 개구로부터 떨어진 내벽부에 형성되어, 봉지용 밸브체가 당해 제2 개구로부터 이반(離反)하여 이동했을 때에, 제1 밸브 본체의 내부 공간으로부터 시일 부재를 차폐(遮蔽)하는 밸브 퇴피부(退避部)와, 봉지용 밸브체를 회동하여 제1 밸브 본체의 제2 개구 및 밸브 퇴피부의 한쪽에 배치될 수 있도록 하는 제1 회동축을 갖는다.

    마이크로파 플라즈마 처리 장치의 천판, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    4.
    发明授权
    마이크로파 플라즈마 처리 장치의 천판, 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 有权
    微波等离子体处理装置，等离子体处理装置和等离子体处理方法

    公开(公告)号：KR101157143B1

    公开(公告)日：2012-06-22

    申请号：KR1020107018236

    申请日：2009-02-10

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 티엔차이쫑 ,  이시바시키요타카 ,  노자와토시히사

    IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32238

    Abstract: 플라즈마 처리 장치의 플라즈마 발생실은 천판(天板)(3)에 의해 밀봉되어 있다. 천판(3)은 플라즈마 발생실측을 향하는 면에 오목부(3A)를 설치하고 반대측의 면에 중심부의 오목부(3B)를 구비한다. 천판(3) 상에는 안테나가 결합되어 있다. 안테나에는 도파관이 접속되어 있다. 도파관으로부터 마이크로파를 공급하면, 공급된 마이크로파는 안테나 간을 직경 방향으로 전파하여 안테나의 슬롯으로부터 방사된다. 마이크로파는 천판(3)을 전파하여 편파면(偏波面)을 가지며, 전체적으로 원편파(圓偏波)를 형성한다. 이 때, 천판(3)에 구비된 오목부(3A)의 측면에서 마이크로파의 공명 흡수가 일어나, 오목부(3A)의 내부에서는 단일 모드로 전파한다. 다수 있는 오목부(3A) 각각의 내부에서 강한 플라즈마가 형성되어 천판(3)에 안정된 플라즈마 모드가 생긴다.

    플라즈마 처리 장치
    6.
    发明授权
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子处理设备

    公开(公告)号：KR100991164B1

    公开(公告)日：2010-11-02

    申请号：KR1020087012912

    申请日：2006-11-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 티엔차이쫑 ,  니시즈카테츠야 ,  노자와토시히사

    IPC: C23C16/00

    CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244

    Abstract: 본 발명은, 천장부가 개구되어 내부가 진공 배기 가능하게 이루어진 처리 용기와, 피처리체를 재치하기 위해 상기 처리 용기 내에 설치된 재치대와, 상기 천장부의 개구에 기밀하게 장착되어 마이크로파를 투과하는 유전체로 이루어진 천판과, 상기 천판의 상면에 설치되어 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하기 위한 평면 안테나 부재와, 상기 평면 안테나 부재의 중심부에 접속된 중심 도체를 갖는 마이크로파 공급을 위한 동축 도파관을 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서, 상기 중심 도체와 상기 평면 안테나 부재의 중심부와 상기 천판의 중심부를 관통하도록 가스 통로가 형성되어 있고, 상기 천판의 중심 영역의 상면측에, 해당 천판의 중심부의 전계 강도를 감쇠시키기 위한 전계 감쇠용 오목부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치이다.

    Abstract translation: 本发明是在电介质而完成到天花板部分和开口是由使真空排气，至机智待治疗的受试者的处理容器内部被气密地连接到安装台的开口部和顶棚部被安装在处理容器通过微波 包括具有连接到所述平面天线构件的中心的中心导体的微波供给，和平面天线构件的同轴波导管的等离子体处理装置也可以在顶板和顶板的用于将微波引入所述的处理容器的上表面上安装的 在可以中心导体和中心和气体通道，从而以穿透平面天线构件的上板的中央部在顶板的中心区域的上表面侧形成，所述电场衰减衰减的电场强度在顶板的中心 其特征在于凹部 做一个处理装置。

    플라즈마 처리 시스템
    9.
    发明公开
    플라즈마 처리 시스템 失效
    等离子体处理系统

    公开(公告)号：KR1020090084651A

    公开(公告)日：2009-08-05

    申请号：KR1020080115648

    申请日：2008-11-20

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와토시히사 ,  기타하라토시후미

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683 ,  H01L21/677

    CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/3065

    Abstract: A plasma processing system is provided to prevent the slide of substrate at the upper side of the transfer arm by not transferring the coating material at the upper side of transfer arm. The process gas becomes plasma and is supplied within a process chamber. A plasma processing apparatus(5) processes the substrate which is inside the process chamber. A transfer arm(11) moves the substrate in and out from the process chamber of the plasma processing apparatus. A loading table putting the substrate on the upper side is formed within the process chamber. The concave part is formed in the region of the loading table corresponding to the holding position of substrate. A coating film is formed on the inner surface of the process chamber. The loading table comprises the thermostat for temperature-controlling substrate.

    Abstract translation: 提供等离子体处理系统，以防止在传送臂的上侧不传送涂层材料而在传送臂的上侧滑动基板。 工艺气体变成等离子体并且在处理室内被供应。 等离子体处理装置（5）处理处理室内的基板。 传送臂（11）将基板移入和移出等离子体处理装置的处理室。 在处理室内形成有将基板放置在上侧的装载台。 该凹部形成在与基板的保持位置对应的装载台的区域。 在处理室的内表面上形成涂膜。 装载台包括用于温度控制基板的恒温器。

    처리 장치, 처리 방법 및 그 처리 장치를 제어하는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체
    10.
    发明公开
    처리 장치, 처리 방법 및 그 처리 장치를 제어하는 컴퓨터 프로그램을 기억하는 기억 매체 有权
    加工设备和加工方法

    公开(公告)号：KR1020080037704A

    公开(公告)日：2008-04-30

    申请号：KR1020087005619

    申请日：2007-04-06

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와토시히사 ,  코타니코지 ,  타나카코우지

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: F17D1/04 ,  C23C16/45502 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J2237/1825 ,  Y10T137/0368

    Abstract: A processing apparatus (40) is provided with a process container (42) wherein a placing table is arranged for placing a subject to be processed; an exhaust system (64), which has vacuum pumps (70, 72) and a pressure control valve (68) for exhausting atmosphere in the process container (42); a gas jetting means (98), which is arranged inside the process container (42) and has a gas jetting port (102); and a gas supply means (100) for supplying a process gas to the gas jetting means (98). The entire processing apparatus (40) is controlled by a control means (114). The control means (114) controls the exhaust system (64) and the gas supply means (100). At the time of starting prescribed processing, the process gas of a flow quantity larger than a prescribed flow quantity is supplied for a short time, while exhausting the atmosphere in the process container (42) by the exhaust system (64), and then, the process gas of a prescribed flow quantity is supplied.

    Abstract translation: 一种处理装置（40）设置有处理容器（42），其中放置台布置用于放置待处理的对象; 排气系统（64），其具有用于排出处理容器（42）中的气氛的真空泵（70,72）和压力控制阀（68）; 气体喷射装置（98），其布置在处理容器（42）的内部并具有气体喷射口（102）; 以及用于向气体喷射装置（98）供给处理气体的气体供给装置（100）。 整个处理装置（40）由控制装置（114）控制。 控制装置（114）控制排气系统（64）和气体供给装置（100）。 在开始规定处理时，通过排气系统（64）排出大于规定流量的流量的处理气体，同时排出处理容器（42）中的气氛， 供给规定流量的处理气体。

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