플라즈마 처리 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020160073305A

    公开(公告)日:2016-06-24

    申请号:KR1020150173217

    申请日:2015-12-07

    Abstract: 피처리기판의에칭레이트의균일성을향상시키는것. 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리용기내에처리가스를공급하는가스공급부와, 처리용기내에마련되며, 피처리기판이배치되는배치대와, 배치대의상방에마련된상부전극과, 상부전극및 배치대중 적어도어느한쪽에고주파전력을공급함으로써, 처리용기내에있어서처리가스의플라즈마를생성하는플라즈마생성부와, 처리용기의측벽과, 배치대의측면에의해형성된배기유로와, 배기유로에마련되며, 배기유로에의해처리용기의외부로배출되는처리가스의흐름을조정하는도전성의정류판과, 배기유로에있어서의정류판보다높은위치로서, 배치대에배치된피처리기판보다낮은위치에상부전극중 적어도일부와대향하도록배치되며, 피처리기판의피처리면에대한높이방향의거리가미리정해진범위내로설정된도전체를구비하였다.

    Abstract translation: 本发明的目的是提高待处理衬底的蚀刻速率的均匀性。 一种等离子体处理装置,包括:处理容器; 处理气体供应单元,用于将处理气体供应到处理容器中; 设置在处理容器中并具有安装在其上的待处理基板的安装台; 设置在安装台上方的上电极; 等离子体产生单元,用于通过向上电极和安装台中的任一个或两者提供高频电力来产生处理容器中的处理气体的等离子体; 由处理容器的侧壁和安装台的侧面形成的排气流路; 设置在所述排气流路上的导电整流板,并且通过所述排气流路调整排出到所述处理容器外部的处理气体的流量; 布置在比排气流路上的整流板高的位置并且比安装在安装台上的被处理基板低的面向至少一部分上电极的导体,其中导体的高度 被处理基板的被处理面的方向被设定在预定范围内。

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