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公开(公告)号：KR1020160149151A
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020160073526
申请日：2016-06-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32477 , H01J37/32504 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32633 , H05H1/46
Abstract: 본발명은, 플라즈마처리방법을제공하는것을목적으로한다. 일실시형태의플라즈마처리방법은, 플라즈마처리장치의처리용기의내벽면에보호막을형성하는보호막형성공정과, 처리용기내에있어서피처리체에대한처리를실행하는처리공정을포함한다. 보호막형성공정에서는, 배치대와처리용기의측벽사이의공간의위쪽으로부터보호막형성용가스가공급되어, 플라즈마가생성된다. 처리공정에서는, 배치대의위쪽으로부터피처리체의처리용가스가공급되어, 플라즈마가생성된다.
Abstract translation: 公开了一种等离子体处理方法。 该方法包括在等离子体处理装置的处理容器的内壁表面上形成保护膜; 对处理容器内的工件进行处理。 当形成保护膜时，从安装台和处理容器的侧壁之间的空间的上侧供应保护膜形成气体，从而产生等离子体。 当执行处理时，从安装台的上侧供给工件处理气体，从而产生等离子体。
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公开(公告)号：KR100638917B1
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：KR1020057005918
申请日：2001-05-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: A processing device in which maintenance can be easily carried out and a burden on a worker can be reduced, and a method of maintaining the device are provided. An upper electrode unit 106 structuring a ceiling portion of a processing chamber 102 of an etching device 100 is structured from a lower assembly 128 at a processing chamber 102 side including an upper electrode 130, and an upper assembly 128 at a power supply side including an electro-body 144. A lock mechanism 156 is released, and after the upper assembly 126 is independently raised and removed by a lift mechanism 164, maintenance of the upper assembly 126 and/or the lower assembly 128 is carried out. The lock mechanism 156 is locked, and after the upper and lower assemblies 126, 128 are integrally raised and removed by the lift mechanism 164, maintenance of an interior of the processing chamber 102 is carried out.
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公开(公告)号：KR100638916B1
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：KR1020027015433
申请日：2001-05-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: A processing device in which maintenance can be easily carried out and a burden on a worker can be reduced, and a method of maintaining the device are provided. An upper electrode unit 106 structuring a ceiling portion of a processing chamber 102 of an etching device 100 is structured from a lower assembly 128 at a processing chamber 102 side including an upper electrode 130, and an upper assembly 128 at a power supply side including an electro-body 144. A lock mechanism 156 is released, and after the upper assembly 126 is independently raised and removed by a lift mechanism 164, maintenance of the upper assembly 126 and/or the lower assembly 128 is carried out. The lock mechanism 156 is locked, and after the upper and lower assemblies 126, 128 are integrally raised and removed by the lift mechanism 164, maintenance of an interior of the processing chamber 102 is carried out.
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公开(公告)号：KR1020150004326A
公开(公告)日：2015-01-12
申请号：KR1020147026466
申请日：2013-04-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67161 , B25J11/0095 , H01J37/32091 , H01J37/32899 , H01L21/67126 , H01L21/6719 , H01L21/67196 , H01L21/67703 , H01L21/67733 , H01L21/67736
Abstract: 복수의 처리 챔버를 구비하는 경우에 있어서, 작업 스페이스를 포함한 기판 처리 장치의 배치 스페이스를 유효 이용할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버, 반송 챔버, 프레임 구조체 및 승강부를 구비한다. 제 1 처리 챔버 및 제 2 처리 챔버는 본체부 및 덮개부를 구비하고, 처리 공간을 내부에 형성한다. 반송 챔버는 제 1 처리 챔버 및 제 2 처리 챔버와 접속되고, 기판을 반송하기 위한 반송 기구가 수용되어 있다. 프레임 구조체는 한쌍의 지주부, 및 한쌍의 지주부의 정부에 지지된 비임부를 구비한다. 승강부는 비임부에 수평 방향으로 이동 가능하게 장착되고, 덮개부를 수직 방향으로 이동시킨다. 비임부는 제 1 처리 챔버, 제 2 처리 챔버 및 반송 챔버의 상방을 횡단해서 연장한다.
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公开(公告)号：KR1020130101056A
公开(公告)日：2013-09-12
申请号：KR1020137009396
申请日：2011-10-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C02F1/02 , B01J3/006 , B01J19/006 , B01J19/0066 , B01J19/121 , B01J19/1812 , B01J19/2415 , B01J2219/00153 , B01J2219/0877 , C02F1/30 , C02F1/441 , C02F11/086 , C02F2101/30 , C02F2301/066 , C02F2303/08
Abstract: 본 발명은, 피처리수에 포함되는 유기물을 분해함으로써, 후류의 여과 장치에서의 부하를 경감시킬 수 있고, 게다가 배관 등의 부식을 회피할 수 있는 수처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 이러한 수처리 장치(12)는, 유기물을 함유하는 피처리수(15a)를 소정의 압력으로 가압하는 대구경 유로(22), 소구경 유로(23) 및 가압 펌프(24)와, 가압된 피처리수(15a)에 레이저광(27)을 조사하여 소정 온도로 가열하는 레이저 광원(25) 및 집광 렌즈(26)를 가지며, 레이저 광원(25)으로부터 조사된 레이저광(27)을, 가압된 피처리수(15a)가 유통되는 소구경 유로(23)에 있어서 해당 유로 내의 유로벽으로부터 이격된 영역(29)에 집광 렌즈(26)에 의해 집광시켜, 이 영역(29) 내의 피처리수(15a)를 가열하며 초임계수 또는 아임계수를 생성시키고, 피처리수(15a) 중의 유기물을 분해한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160078332A
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020167007979
申请日：2014-10-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67103 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/324 , H01L21/67098 , H01L22/12
Abstract: 기판을탑재하는정전척을세분화한복수의영역의각각에대응하여적어도 1세트씩마련된복수세트의히터및 사이리스터와, 상기복수세트의사이리스터로부터히터에전류를공급하는하나의전원과, 상기하나의전원으로부터상기복수의히터에전력을공급하는전원라인에마련되고, 그전원에인가되는고주파전력을제거하는적어도 1세트의필터를갖는온도제어기구가제공된다.
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公开(公告)号：KR1020160073305A
公开(公告)日：2016-06-24
申请号：KR1020150173217
申请日：2015-12-07
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67017 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L21/6719
Abstract: 피처리기판의에칭레이트의균일성을향상시키는것. 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리용기내에처리가스를공급하는가스공급부와, 처리용기내에마련되며, 피처리기판이배치되는배치대와, 배치대의상방에마련된상부전극과, 상부전극및 배치대중 적어도어느한쪽에고주파전력을공급함으로써, 처리용기내에있어서처리가스의플라즈마를생성하는플라즈마생성부와, 처리용기의측벽과, 배치대의측면에의해형성된배기유로와, 배기유로에마련되며, 배기유로에의해처리용기의외부로배출되는처리가스의흐름을조정하는도전성의정류판과, 배기유로에있어서의정류판보다높은위치로서, 배치대에배치된피처리기판보다낮은위치에상부전극중 적어도일부와대향하도록배치되며, 피처리기판의피처리면에대한높이방향의거리가미리정해진범위내로설정된도전체를구비하였다.
Abstract translation: 本发明的目的是提高待处理衬底的蚀刻速率的均匀性。 一种等离子体处理装置，包括：处理容器; 处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理容器中; 设置在处理容器中并具有安装在其上的待处理基板的安装台; 设置在安装台上方的上电极; 等离子体产生单元，用于通过向上电极和安装台中的任一个或两者提供高频电力来产生处理容器中的处理气体的等离子体; 由处理容器的侧壁和安装台的侧面形成的排气流路; 设置在所述排气流路上的导电整流板，并且通过所述排气流路调整排出到所述处理容器外部的处理气体的流量; 布置在比排气流路上的整流板高的位置并且比安装在安装台上的被处理基板低的面向至少一部分上电极的导体，其中导体的高度 被处理基板的被处理面的方向被设定在预定范围内。
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公开(公告)号：KR1020160033594A
公开(公告)日：2016-03-28
申请号：KR1020150118717
申请日：2015-08-24
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 센자키시게루
IPC: H01L21/02 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32834 , H01J37/32082 , H01J37/32477
Abstract: 본발명은플라즈마를안정시키면서, 배치대에배치되는기판의표면높이이상으로파티클이확산되는것을억제하는것을과제로한다. 플라즈마처리를행하는반응용기의내부에가스를도입하고, 그반응용기에전자파의에너지를인가하여상기가스로부터플라즈마를생성하여, 기판에플라즈마처리를행하는플라즈마처리장치로서, 상기반응용기의내부에기판을배치하는배치대를가지며, 상기반응용기에는, 플라즈마가생성되는영역(A)과, 배기영역(Ex)과, 상기영역(A)과상기배기영역(Ex) 사이의영역이자플라즈마가생성되는영역(B)이형성되고, 상기반응용기의내벽중 상기영역(A)과접하는부분은기화재로형성되고, 상기영역(B) 내의입자가상기영역(A) 내의입자와비교하여이동속도가커지도록, 상기배치대의기판의표면보다하류측에, 기화재에의해형성된복수매의칸막이부재를상기영역(A)과상기영역(B)을구획하도록배치하여, 상기영역(B)에존재하는파티클이상기영역(A)으로비산되지않도록하는플라즈마처리장치가제공된다.
Abstract translation: 本发明是为了稳定等离子体，防止在布置在放置台上的基板的表面高度上扩散粒子。 提供了一种等离子体处理装置，其将气体引入进行等离子体处理的反应容器中，通过向反应容器施加电磁波的能量，从气体产生等离子体，并对基板进行等离子体处理。 等离子体处理装置包括具有布置在反应容器内部的基板的放置台，其中产生等离子体的区域（A），排气区域（Ex）和区域（B） （A）和排气区域（Ex），并且在等离子体中产生。 反应容器的内壁与区域（A）接触的部分由蒸发材料形成。 由蒸发材料形成的多个分隔构件设置在除了布置在放置台上的基板的表面之外的下游侧，以便将区域（A）与区域（B）分离，使得移动速度 区域（B）中的颗粒与区域（A）中的颗粒相比增加。 因此，存在于区域（B）中的粒子不会散射到区域（A）。
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公开(公告)号：KR1020140029359A
公开(公告)日：2014-03-10
申请号：KR1020137011945
申请日：2011-11-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: B01D67/0023 , B01D61/025 , B01D67/0034 , B01D67/0062 , B01D69/10 , B01D71/022 , B01D71/024 , B01D2323/225 , B01D2323/24 , B01D2323/283 , B01D2325/02 , B01D2325/08 , B01D2325/48 , Y10T156/10
Abstract: 상수나 담수를 손쉽게 얻을 수 있는 여과용 필터의 제조 방법을 제공한다.
실리콘으로 이루어지는 기판(1)을, 상기 기판(1)의 표면 상에 형성된 상기 표면의 일부를 노출시키는 다수의 개구부를 갖는 마스크막을 사용하여 에칭하여 기판(1)에 직경이 약 100㎚인 다수의 둥근 구멍(2)을 형성하고, 형성된 둥근 구멍(2)의 내표면에 산화규소막(3)을 퇴적시켜 산화규소막(3)에 의해 축소되는 둥근 구멍(2)의 개구부 근방의 최소 직경부(4)에 있어서의 직경 D1을 1㎚∼100㎚로 조정한다.
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