公开(公告)号：KR1020160002356A

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：KR1020150086389

申请日：2015-06-18

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후나쿠보다카오 ,  하가히로후미 ,  고즈카신이치 ,  오자와와타루 ,  사카모토아키히로 ,  다니구치나오키 ,  츠지모토히로시 ,  오노구미코

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/3299

Abstract: [과제] 스텝전환후에신속하게플라즈마를안정시키고, 적절한플라즈마처리가가능한플라즈마처리장치및 플라즈마처리방법을제공한다. [해결수단] 제어장치(16)는, 제1 스텝에있어서고주파발생원(1)을제1 에너지조건으로구동시키고, 제2 스텝에있어서고주파발생원(1)을제2 에너지조건으로구동시킨다. 제1 스텝과제2 스텝의전환시각보다먼저, 가스공급시스템(11)으로부터처리용기(8) 내에공급되는가스종을전환하고, 전환직후의초기기간의가스유량을초기기간경과후의안정기간에서의가스유량보다크게설정한다.

Abstract translation: 提供了一种用于处理等离子体的装置，其能够在移位步骤和等离子体的正确处理之后快速稳定等离子体及其方法。 控制装置（16）在第一步骤中在第一能量条件下驱动高频发生源（1），并且在第二步骤中在第二能量条件下驱动高频发生源（1）。 在第一步骤和第二步骤之间的切换时间之前，切换从气体供应系统（11）供应到处理容器（8）中的一种类型的气体，并且在开关之后的初始阶段中的气体通量设定得更高 比在初始阶段之后的稳定期间的气体通量。

公开(公告)号：KR1020160078910A

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：KR1020150185257

申请日：2015-12-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하가히로후미 ,  나카오노부타카 ,  야쿠시지히데아키

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67069 ,  A61L2/14 ,  A61L2/24 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/67017 ,  Y10T137/0379 ,  Y10T137/86002 ,  Y10T137/86027 ,  Y10T137/86083

Abstract: 수분을응고시키지않도록진공처리실내를소정의압력까지강압시키는것을목적으로한다. 진공처리실을갖는진공처리장치의진공배기방법으로서, 상기진공처리실과배기장치를접속하는밸브를개방하고, 그배기장치에의해제1 소정시간그 진공처리실내를진공배기하는제1 공정과, 상기제1 공정후에상기밸브를폐쇄하고, 제2 소정시간방치하여진공처리실(11) 내의승압을촉진하는제2 공정을가지며, 상기진공처리실내의수분을응고시키지않고상기진공처리실내의압력이 6.7 Pa∼13.3×10Pa가될 때까지강압하는진공배기방법이제공된다.

Abstract translation: 本发明的目的是将真空处理室内的压力降低至不凝结水分的预定压力。 提供一种具有真空处理室的真空排气方法，该真空处理室包括：打开用于将排气装置与真空处理室连接的阀的第一过程，以及在第一预定时间段内通过排气排出真空处理室内的真空 仪器; 以及在第一处理之后关闭阀的第二过程，并且通过将阀关闭第二预定时间段来加速真空处理室（11）内的压力，从而降低真空处理室内的压力，直到 压力变为6.7-13.3×10 -2 Pa，而不会使真空处理室内的水分凝结。

公开(公告)号：KR1020160073305A

公开(公告)日：2016-06-24

申请号：KR1020150173217

申请日：2015-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미야타아키노리 ,  센자키시게루 ,  하가히로후미 ,  나카오노부타카

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01L21/6719

Abstract: 피처리기판의에칭레이트의균일성을향상시키는것. 플라즈마처리장치는, 처리용기와, 처리용기내에처리가스를공급하는가스공급부와, 처리용기내에마련되며, 피처리기판이배치되는배치대와, 배치대의상방에마련된상부전극과, 상부전극및 배치대중 적어도어느한쪽에고주파전력을공급함으로써, 처리용기내에있어서처리가스의플라즈마를생성하는플라즈마생성부와, 처리용기의측벽과, 배치대의측면에의해형성된배기유로와, 배기유로에마련되며, 배기유로에의해처리용기의외부로배출되는처리가스의흐름을조정하는도전성의정류판과, 배기유로에있어서의정류판보다높은위치로서, 배치대에배치된피처리기판보다낮은위치에상부전극중 적어도일부와대향하도록배치되며, 피처리기판의피처리면에대한높이방향의거리가미리정해진범위내로설정된도전체를구비하였다.

Abstract translation: 本发明的目的是提高待处理衬底的蚀刻速率的均匀性。 一种等离子体处理装置，包括：处理容器; 处理气体供应单元，用于将处理气体供应到处理容器中; 设置在处理容器中并具有安装在其上的待处理基板的安装台; 设置在安装台上方的上电极; 等离子体产生单元，用于通过向上电极和安装台中的任一个或两者提供高频电力来产生处理容器中的处理气体的等离子体; 由处理容器的侧壁和安装台的侧面形成的排气流路; 设置在所述排气流路上的导电整流板，并且通过所述排气流路调整排出到所述处理容器外部的处理气体的流量; 布置在比排气流路上的整流板高的位置并且比安装在安装台上的被处理基板低的面向至少一部分上电极的导体，其中导体的高度 被处理基板的被处理面的方向被设定在预定范围内。