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公开(公告)号：KR1020090037821A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：KR1020080099372
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: A method for forming a poly-silicon film is provided to perform a process of growing a film by using a diameter control gas including an element promoting a poly-silicon film fine. A wafer boat(20) is heated by a heater(4), and a wafer boat is received from a down opening of a reaction tube(10) inside a platform(16). The forming gas supply source(25) supplies a forming gas to an inner tube(12) through a gas pipe line(26). A doping gas source(29) supplies the doping gas to the inner tube through the gas pipe line(30). The diameter control gas source(33) supplies the gas to the inner tube through the gas pipe line(34). An amorphous silicon film is accumulated by performing processes of growing a film with it, and a purge gas is supplied to a reaction tube from the gas pipe line. The amorphous silicon film is transformed to the polysilicon layer through an annealing process.
Abstract translation: 提供一种形成多晶硅膜的方法，以通过使用包括促进多晶硅膜的元素的直径控制气体来进行膜生长的工艺。 晶片舟（20）由加热器（4）加热，晶片舟从平台（16）内的反应管（10）的向下开口接收。 成形气体供给源（25）通过气体管线（26）向内管（12）供给成形气体。 掺杂气体源（29）通过气体管线（30）将掺杂气体供应到内管。 直径控制气体源（33）通过气体管线（34）将气体供给到内管。 通过利用其生长膜的过程来积累非晶硅膜，并且从气体管线向反应管供给净化气体。 通过退火工艺将非晶硅膜转变成多晶硅层。
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公开(公告)号：KR101196576B1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：KR1020080099372
申请日：2008-10-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/28035 , C23C16/24 , C23C16/56 , H01L21/0257 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02667
Abstract: 본 발명은 인 또는 붕소가 도프된 폴리실리콘막을 형성하는 폴리실리콘막의 형성 방법은, 반응 용기 내에 피처리 기판을 배치하고, 피처리 기판을 감압 분위기 하에서 가열하면서, 실리콘 성막용 가스와, 인 또는 붕소를 막 중에 도프하기 위한 가스와, 폴리실리콘 결정의 주상화를 막고 폴리실리콘 결정의 미세화를 촉진하는 성분을 포함하는 입경 조정용 가스를 상기 반응 용기 내에 도입하고, 상기 피처리 기판 상에 인 또는 붕소가 도프된 실리콘막을 퇴적하는 공정을 구비한다.
인, 붕소, 폴리실리콘막, 피처리 기판, 반응 용기
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