公开(公告)号：KR101018493B1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：KR1020060116244

申请日：2006-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은 상기 성막 장치의 반응실의 내면에 부착하는 부생성물막을 클리닝 가스에 의해 제거하는 공정과, 다음에 상기 반응실의 상기 내면을 평탄화 가스에 의해 화학적으로 평탄화하는 공정을 포함한다. 상기 반응실의 상기 내면은 석영, 탄화규소로 이루어지는 군으로부터 선택된 재료를 주성분으로 한다. 제거하는 공정은 상기 반응실 내에 상기 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 클리닝 가스가 활성화하는 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 평탄화하는 공정은 상기 반응실 내에 상기 평탄화 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 평탄화 가스가 활성화하는 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다. 상기 평탄화 가스는 불소 가스와 수소 가스를 포함한다.
히터, 회전 테이블, 웨이퍼 보트, 회전 지지 기둥, 회전 기구

公开(公告)号：KR101133341B1

公开(公告)日：2012-04-06

申请号：KR1020070099213

申请日：2007-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미즈나가사또시 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S134/902

Abstract: 반도체 처리용 성막 장치의 사용 방법은, 상기 성막 장치의 반응실의 내면으로부터 부생성물막을 제1 클리닝 가스에 의해 제거하는 제1 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제1 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제1 클리닝 가스가 활성화하는 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 상기 사용 방법은 또한, 상기 반응실의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제2 클리닝 가스에 의해 제거하는 제2 클리닝 처리를 포함한다. 여기서, 상기 반응실 내에 상기 제2 클리닝 가스를 공급하는 동시에, 상기 반응실 내를 상기 제2 클리닝 가스가 활성화하는 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다. 상기 제2 클리닝 가스는 염소 함유 가스를 포함한다.
열처리 장치, 덮개 부재, 히터, 웨이퍼 보트, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR1020090037821A

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：KR1020080099372

申请日：2008-10-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  미야하라다까히로 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28035 ,  C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667

Abstract: A method for forming a poly-silicon film is provided to perform a process of growing a film by using a diameter control gas including an element promoting a poly-silicon film fine. A wafer boat(20) is heated by a heater(4), and a wafer boat is received from a down opening of a reaction tube(10) inside a platform(16). The forming gas supply source(25) supplies a forming gas to an inner tube(12) through a gas pipe line(26). A doping gas source(29) supplies the doping gas to the inner tube through the gas pipe line(30). The diameter control gas source(33) supplies the gas to the inner tube through the gas pipe line(34). An amorphous silicon film is accumulated by performing processes of growing a film with it, and a purge gas is supplied to a reaction tube from the gas pipe line. The amorphous silicon film is transformed to the polysilicon layer through an annealing process.

Abstract translation: 提供一种形成多晶硅膜的方法，以通过使用包括促进多晶硅膜的元素的直径控制气体来进行膜生长的工艺。 晶片舟（20）由加热器（4）加热，晶片舟从平台（16）内的反应管（10）的向下开口接收。 成形气体供给源（25）通过气体管线（26）向内管（12）供给成形气体。 掺杂气体源（29）通过气体管线（30）将掺杂气体供应到内管。 直径控制气体源（33）通过气体管线（34）将气体供给到内管。 通过利用其生长膜的过程来积累非晶硅膜，并且从气体管线向反应管供给净化气体。 通过退火工艺将非晶硅膜转变成多晶硅层。

公开(公告)号：KR1020070055368A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：KR1020060116244

申请日：2006-11-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes removing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus, and then chemically planarizing the inner surface of the reaction chamber by a planarizing gas. The inner surface contains as a main component quartz or silicon carbide. The removing is performed while supplying the cleaning gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a first temperature and first pressure to activate the cleaning gas. The planarizing is performed while supplying the planarizing gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a second temperature and second pressure to activate the planarizing gas. The planarizing gas contains fluorine gas and hydrogen gas.

公开(公告)号：KR100513781B1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1019980045270

申请日：1998-10-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오승호 ,  이시이가츠토시 ,  니시무라도시하루 ,  다카하시유타카

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명에 의한 종형처리장치는 내부에 개구부가 형성된 고리형상의 하단면(37)을 갖춘 원통형상의 처리용기(2)와, 고리형상의 하단면(37)에 대응하는 고리형상의 접합부(32) 및 고리형상의 접합부(32)의 내측에 형성된 탑재면(6p)을 갖춘 원판형상의 캡(6)을 구비하고 있다. 캡(6)의 탑재면(6p)에는 피처리체(W)를 지지하는 웨이퍼보트(8)가 탑재된다. 캡(6)의 접합부(32)에는 링형상 홈(34A)이 형성되어 있다. 링형상 홈(34A)에는 링형상 홈(34A) 내로 불활성가스를 도입하는 불활성가스 도입로(38)가 공급헤더(16)를 매개로 연통해 있다. 링형상 홈(34A)의 안쪽둘레측에는 링형상 홈(34A) 내와 처리용기(2) 내부를 연통하는 불활성가스 분사용 개구(36)가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100248563B1

公开(公告)日：2000-03-15

申请号：KR1019940023395

申请日：1994-09-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  도오교오에레구토론도오호쿠가부시끼가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  니시무라도시하루

IPC: C30B29/06

CPC classification number: C23C16/24

Abstract: 다수의 반도체 웨이퍼를 간격을 두고 수직방향으로 겹친상태에서 웨이퍼보트에 유지하고, 이 웨이퍼 보트를 종형 열처리장치의 프로세스 챔버내에 반입하고, 프로세스 챔버 내를 감압 분위기로 유지한 상태에서 300-530℃로 가열하고, 프로세스 챔버 내에 디실란 가스의 유량이 300 SCCM이상이 되도록 디실란가스를 포함하는 처리가스를 공급하여 실리콘막의 성막을 한다.

公开(公告)号：KR101309930B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020120137159

申请日：2012-11-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도미따마사히꼬 ,  우메자와고오따 ,  손량 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 반도체 처리용 처리 장치의 사용 방법은, 제품용 피처리 기판을 수용하지 않는 상기 처리 장치의 처리 용기 내에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 공정과, 상기 처리 용기 내에 있어서, 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스가 활성화하는 제1 환경하에서 상기 산화성 가스 및 상기 환원성 가스를 반응시켜 활성종을 발생시키는 공정과, 상기 활성종을 사용하여 상기 처리 용기의 상기 내면으로부터 오염 물질을 제거하는 공정을 포함한다.

Abstract translation: 使用用于半导体处理的处理设备的方法包括以下步骤：将氧化气体和还原气体供应到处理设备的处理容器中，该处理设备不包含待处理产品的基板; 在活化物质被活化的第一环境下使氧化气体和还原气体反应以产生活性物质;以及使用活性物质从处理容器的内表面去除污染物。

公开(公告)号：KR101139078B1

公开(公告)日：2012-04-30

申请号：KR1020080043927

申请日：2008-05-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  다까기사또시 ,  손량 ,  도미따마사히꼬 ,  도네가와야마또 ,  니시무라도시하루

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B08B5/00 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605 ,  Y10S438/905

Abstract: A method for using a film formation apparatus for a semiconductor process includes setting an idling state where a reaction chamber of the film formation apparatus accommodates no product target substrate therein, and then, performing a purging process of removing a contaminant present in an inner surface of the reaction chamber by causing radicals to act on the inner surface of the reaction chamber. The radicals are generated by activating a purging process gas containing oxygen and hydrogen as elements.

公开(公告)号：KR1020060053275A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050096766

申请日：2005-10-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  엔도오아쯔시 ,  니시무라도시하루 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/304

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리 장치 내에 부착된 반응 생성물을 효율적으로 제거할 수 있는 박막 형성 장치의 세정 방법 및 박막 형성 장치를 제공한다. 열처리 장치(1)의 제어부(100)는 반응관(2) 내를 400 ℃ 내지 700 ℃로 가열하는 동시에, 처리 가스 도입관(17)으로부터 불소와 불화수소를 포함하는 클리닝 가스를 공급하여 부착물을 제거한다.
열처리 장치, 반응관, 배기구, 진공 펌프, 덮개

公开(公告)号：KR1020060044813A

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020050025304

申请日：2005-03-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오까다미쯔히로 ,  니시무라도시하루 ,  엔도오아쯔시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/3185

Abstract: A method of using a film formation apparatus for a semiconductor process includes removing by a cleaning gas a by-product film deposited on an inner surface of a reaction chamber of the film formation apparatus, and then chemically planarizing the inner surface of the reaction chamber by a planarizing gas. The inner surface contains as a main component quartz or silicon carbide. The removing is performed while supplying the cleaning gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a first temperature and first pressure to activate the cleaning gas. The planarizing is performed while supplying the planarizing gas into the reaction chamber, and setting the reaction chamber at a second temperature and second pressure to activate the planarizing gas. The planarizing gas contains fluorine and hydrogen fluoride. The second temperature is within a range of from 300 to 800° C.