公开(公告)号：KR102255939B1

公开(公告)日：2021-05-24

申请号：KR1020140095793

申请日：2014-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 바셋데릭더블유 ,  프린츠월리스피 ,  고시겐타로 ,  가와노히사시 ,  가이요시히로

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

Abstract: 본원에는, 기판표면전체에걸쳐실질적으로일정한온도가유지되도록복수의화학유체로기판을처리하는화학유체처리장치및 화학유체처리방법이기재되어있다. 상기화학유체처리장치는, 기판의앞면에제1 온도의제1 화학유체를공급하는기판상의토출노즐과, 기판의앞면또는뒷면에상기제1 온도보다높은제2 온도의제2 화학유체를공급하는기판의반경방향으로배향된바아노즐을포함하고, 상기바아노즐은기판의앞면또는뒷면에있어서기판의중앙으로부터서로다른거리를두고위치해있는복수의접촉장소에제2 화학유체를토출하는복수의출구를포함한다.

公开(公告)号：KR1020150013089A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：KR1020140095793

申请日：2014-07-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 바셋데릭더블유 ,  프린츠월리스피 ,  고시겐타로 ,  가와노히사시 ,  가이요시히로

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/32134

Abstract: 본원에는, 기판 표면 전체에 걸쳐 실질적으로 일정한 온도가 유지되도록 복수의 화학 유체로 기판을 처리하는 화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법이 기재되어 있다. 상기 화학 유체 처리 장치는, 기판의 앞면에 제1 온도의 제1 화학 유체를 공급하는 기판 상의 토출 노즐과, 기판의 앞면 또는 뒷면에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 제2 화학 유체를 공급하는 기판의 반경방향으로 배향된 바아 노즐을 포함하고, 상기 바아 노즐은 기판의 앞면 또는 뒷면에 있어서 기판의 중앙으로부터 서로 다른 거리를 두고 위치해 있는 복수의 접촉 장소에 제2 화학 유체를 토출하는 복수의 출구를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种化学流体处理装置和化学流体处理方法，用于利用多种化学流体处理基板，使得跨越基板表面保持基本上恒定的温度。 该设备包括：设置在基板上方的排出喷嘴，以将第一温度下的第一化学流体提供到基板的前表面; 在所述基板的径向方向上定向的棒状喷嘴，以将第二温度下的第二化学流体提供给所述基板的前表面或背面，所述第二温度高于所述第一温度。 棒状喷嘴包括多个出口，用于将第二化学流体排放到基板的前表面或背表面上的与基板中心不同的距离处的多个接触位置。