기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
    1.
    发明公开
    기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 审中-实审
    基板处理方法基板处理装置和存储介质

    公开(公告)号:KR1020170007122A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:KR1020160082257

    申请日:2016-06-30

    Abstract: 본발명은초임계처리중에사용해야할 불소함유유기용제의종류를낮게억제하는것을목적으로한다. 기판처리방법은, 액처리유닛(2)의외측챔버(21) 내에있어서, 웨이퍼(W) 에대해불소를함유하지않는유기용제를공급하는공정과, 유기용제와상온에서용해되지않으나용해온도이상에서용해되는건조방지용의불소함유유기용제를공급하는공정을포함한다. 유기용제와불소함유유기용제는가열되어용해되고, 유기용제가불소함유유기용제로치환된다.

    Abstract translation: 公开了一种基板处理方法,包括:向工件供给包含无氟有机溶剂的第一溶剂; 在常温下供给含有与第一溶剂不溶解的含氟有机溶剂的第二溶剂,并在高于常温的温度下与第一溶剂溶解; 并用第二溶剂代替第一溶剂,同时通过将第一溶剂和第二溶剂加热至第一溶剂和第二溶剂至溶解温度或更高。

    기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치, 및 기억 매체
    2.
    发明公开
    기판 액처리 방법, 기판 액처리 장치, 및 기억 매체 审中-实审
    基板液体处理方法,基板液体处理装置和记录介质

    公开(公告)号:KR1020160036488A

    公开(公告)日:2016-04-04

    申请号:KR1020150130594

    申请日:2015-09-15

    CPC classification number: H01L21/67051 B08B3/02 H01L21/02052

    Abstract: 보다적은처리액의사용량으로, 기판의피처리영역을처리액의액막으로덮을수 있는기술을제공한다. 기판(W)을수평자세로하여연직축선을중심으로회전시키면서, 제1 노즐(400)로부터, 기판(W)의표면의중앙부에제1 처리액을제1 유량으로공급하고, 제1 처리액의액막(L)이적어도피처리영역에형성된상태에서, 제2 노즐(600)로부터, 기판(W)의중앙부에제2 처리액을공급한다. 그후, 기판(W) 주변부에제2 처리액의공급을행하면서, 기판의중앙부에제1 처리액을제1 유량보다적은제2 유량으로공급한다.

    Abstract translation: 提供一种能够利用处理流体少的处理流体的液膜覆盖基板的被处理区域的基板液体处理方法。 基板液体处理方法包括以下步骤:当基板(W)围绕垂直轴线水平旋转时,将第一处理流体以第一量的液体供应到基板(W)的表面上的中心部分; 用第二量的液体将第二处理流体从第二喷嘴(600)供应到所述基板(W)的中心部分; 当第一处理流体的液膜(L)至少形成在待处理的区域中时,用第二量的液体将第一处理流体提供给基板(W)的中心部分; 以及在将所述第二处理流体供给到所述基板(W)的相邻部分的同时,将所述第一处理流体供给到所述第二流体的第二量的第一量的流体。

    기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
    3.
    发明授权
    기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
    基板处理装置基板处理方法和计算机可读存储介质

    公开(公告)号:KR101596076B1

    公开(公告)日:2016-02-19

    申请号:KR1020120032157

    申请日:2012-03-29

    Inventor: 고시겐타로

    Abstract: 본발명은처리유체에의한액체의제거능력의저하를억제하면서, 기판의표면에부착된액체를제거하는것이가능한기판처리장치등을제공하는것을과제로한다. 처리용기(1)에서는기판(W) 표면의건조방지용액체에, 초임계상태또는아임계상태인고압상태의처리유체를접촉시켜, 상기건조방지용액체를제거하는처리를행하는데있어서, 승압펌프(2)는공급라인(51)을통해처리용기(1)에처리유체를공급하여고압상태의처리유체분위기로하고, 계속해서, 이승압펌프(2)보다토출유량이큰 순환펌프(3)로, 처리용기(1) 내의유체를순환라인(53)에순환시킨후, 처리용기(1) 내의유체를배출라인(52)으로부터배출한다.

    기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
    4.
    发明公开
    기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
    基板处理装置,基板处理方法和计算机可读存储介质

    公开(公告)号:KR1020120127203A

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:KR1020120032157

    申请日:2012-03-29

    Inventor: 고시겐타로

    CPC classification number: H01L21/67017

    Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a computer readable storage medium are provided to liquid attached on a surface of a substrate for a short time by controlling a liquid eliminating ability from being degraded by a processing liquid. CONSTITUTION: A processing container(1) includes a container body, a holding board, and a cover member which shuts an opening part tightly. The holding board maintains a processed wafer in a transverse direction. A booster pump(2) is installed at a supply line for supplying a processing liquid to the processing container. A circulation pump(3) is installed at a circulation line(53) for circulating a fluid within the processing container. A control part(6) outputs a control signal in order to exhaust the fluid in the processing container from an exhaust line(52). [Reference numerals] (1) Processing container; (2) Booster pump; (3) Circulation pump; (6) Control part; (AA,BB) CO2 collection

    Abstract translation: 目的:通过控制液体排除能力被处理液降解,将短时间内附着在基板表面上的液体,提供基板处理装置,基板处理方法和计算机可读取存储介质。 构成:处理容器(1)包括容器主体,保持板和密封开口部的盖构件。 保持板在横向维持处理的晶片。 增压泵(2)安装在用于向处理容器供应处理液体的供给管线。 循环泵(3)安装在用于使处理容器内的流体循环的循环管线(53)上。 控制部(6)输出控制信号,以从排气管(52)排出处理容器内的流体。 (附图标记)(1)加工容器; (2)增压泵; (3)循环泵; (6)控制部分; (AA,BB)CO2收集

    기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 유체의 공급 방법 및 기억 매체

    公开(公告)号:KR101920941B1

    公开(公告)日:2018-11-21

    申请号:KR1020130064214

    申请日:2013-06-04

    CPC classification number: B08B3/10 H01L21/67034 H01L21/67051 H01L21/67109

    Abstract: 본발명의제1 과제는, 초임계상태또는아임계상태에서기판의건조처리를할 때에기판의표면이오염되어버리는것을방지하여기판처리장치의수율을향상시키는데에있다. 또한, 본발명의제2 과제는, 상태변화를동반하면서유체공급로를흐르는유체속의이물을제거하여, 기판의처리가행해지는처리용기에공급할수 있는기판처리장치등을제공하는데에있다. 본발명의제1 과제의해결수단에서는, 기판을처리하는처리용기와, 기판의처리에사용하는기판처리유체를소정의압력으로공급하는유체공급원과, 유체공급원으로부터기판처리유체를승압시키지않고서일정한압력으로처리용기에공급하는정압공급유로와, 유체공급원으로부터기판처리유체를승압기구로소정의압력으로승압하여처리용기에공급하는승압공급유로와, 정압공급유로와승압공급유로를전환하는제어수단을포함하고, 제어수단은, 정압공급유로로부터일정한압력의기판처리유체를처리용기에공급하며, 처리용기의내부압력이소정의압력으로된 경우에, 승압공급유로로부터승압한기판처리유체를처리용기에공급하여, 처리용기의내부압력을상승시키도록제어하는것으로했다. 또한, 본발명의제2 과제의해결수단에서는, 유체공급부는, 기판(W)을초임계유체또는아임계유체에의해처리하기위해서마련된처리용기(1031)에, 유체공급로(1351)를통류하는유체가, 기체상태의원료유체에서초임계상태또는아임계상태로변하여통류하도록유체를공급한다. 이유체공급로(1351)에있어서, 제1 필터(1041)는상기유체속의이물을제거하기위해서설치되고, 제2 필터(1042)는기체상태의원료유체를통류시켰을때에상기제1 필터(1041)에흡착된후, 상기원료유체가액 상태, 초임계상태또는아임계상태로변하여얻어진유체로유출된이물의응집체를제거하기위해서설치되어있다.

    기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
    6.
    发明公开
    기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 审中-实审
    基板处理装置,基板处理方法及存储介质

    公开(公告)号:KR1020170103653A

    公开(公告)日:2017-09-13

    申请号:KR1020170024175

    申请日:2017-02-23

    Abstract: 본발명은, 비교적짧은시간에, 기판의표면에부착된액체를처리유체에의해제거함과더불어, 처리유체를장시간에걸쳐사용하는것을목적으로한다. 기판처리장치(10)는웨이퍼(W)에대하여초임계처리를행하는처리용기(1)와, 유체공급라인(51)과, 유체배출라인(52)과, 제1 순환라인(53)과, 제2 순환라인(60)을구비한다. 제1 순환라인(53) 및제2 순환라인(60)에, 처리유체를받는처리용기(1)의용량보다큰 제1 저류탱크(20) 및제2 저류탱크(62)가설치되어있다.

    Abstract translation: 本发明的目的在于通过处理液在较短的时间内除去附着在基板表面上的液体,并且长时间使用处理液。 基板处理装置10具备:对晶圆W进行超临界处理的处理容器1,流体供给管路51,流体排出管路52,第一循环管路53, 和第二循环线(60)。 第一循环管线53和第二循环管线60设置有比处理容器1的容纳容积大的第​​一储存罐20和第二储存罐62。

    화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법

    公开(公告)号:KR102255939B1

    公开(公告)日:2021-05-24

    申请号:KR1020140095793

    申请日:2014-07-28

    Abstract: 본원에는, 기판표면전체에걸쳐실질적으로일정한온도가유지되도록복수의화학유체로기판을처리하는화학유체처리장치및 화학유체처리방법이기재되어있다. 상기화학유체처리장치는, 기판의앞면에제1 온도의제1 화학유체를공급하는기판상의토출노즐과, 기판의앞면또는뒷면에상기제1 온도보다높은제2 온도의제2 화학유체를공급하는기판의반경방향으로배향된바아노즐을포함하고, 상기바아노즐은기판의앞면또는뒷면에있어서기판의중앙으로부터서로다른거리를두고위치해있는복수의접촉장소에제2 화학유체를토출하는복수의출구를포함한다.

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기록 매체
    8.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 그리고 기록 매체 审中-实审
    基板处理装置,基板处理方法和记录介质

    公开(公告)号:KR1020170102815A

    公开(公告)日:2017-09-12

    申请号:KR1020170026263

    申请日:2017-02-28

    Abstract: [과제] 본발명은, 초임계유체또는아임계유체의공급원이되는액체로서하이드로플루오로올레핀을포함하는초임계처리용액을사용하여, 기판을건조시킬수 있는기판처리장치를제공하는것을목적으로한다. [해결수단] 기판처리장치(1)에있어서, 기판(W2)을챔버(510) 내에수용하기전 또는수용한후에, 초임계처리용액 공급부(57a, 57b)에의해기판(W2)에대하여하이드로플루오로올레핀을포함하는초임계처리용액(G)을공급하고, 이어서, 기판(W2)을챔버(510) 내에수용한상태에서가열부(52)에의해챔버(510) 내부를가열함으로써기판(W2)에대하여공급된초임계처리용액(G)을초임계유체또는아임계유체로변화시키고, 이어서, 배출부(54)에의해초임계유체또는아임계유체를챔버(510)로부터배출한다.

    Abstract translation: [问题]本发明中,第二作为液体是一个临界流体或通过使用含有烯烃的氢 - 氟的超临界处理溶液的超临界流体的子源,本发明是提供一种sikilsu干燥基板为目的的基板处理装置 。 在基板处理装置1中,在将基板W2收容于腔室510内之前或收纳基板W2之后,超临界处理液供给部57a, 在将基板W2收纳在腔室510内的状态下,利用加热部52对腔室510内进行加热,从而对基板W2进行加热。接着, (G)输送到超临界流体或浸没流体,然后将海藻临界流体或亚临界流体从腔室(510)排放到排放端口(54)。

    화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법
    9.
    发明公开
    화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법 审中-实审
    化学流体加工装置和化学流体处理方法

    公开(公告)号:KR1020150013089A

    公开(公告)日:2015-02-04

    申请号:KR1020140095793

    申请日:2014-07-28

    CPC classification number: H01L21/6708 H01L21/30604 H01L21/32134

    Abstract: 본원에는, 기판 표면 전체에 걸쳐 실질적으로 일정한 온도가 유지되도록 복수의 화학 유체로 기판을 처리하는 화학 유체 처리 장치 및 화학 유체 처리 방법이 기재되어 있다. 상기 화학 유체 처리 장치는, 기판의 앞면에 제1 온도의 제1 화학 유체를 공급하는 기판 상의 토출 노즐과, 기판의 앞면 또는 뒷면에 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 제2 화학 유체를 공급하는 기판의 반경방향으로 배향된 바아 노즐을 포함하고, 상기 바아 노즐은 기판의 앞면 또는 뒷면에 있어서 기판의 중앙으로부터 서로 다른 거리를 두고 위치해 있는 복수의 접촉 장소에 제2 화학 유체를 토출하는 복수의 출구를 포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种化学流体处理装置和化学流体处理方法,用于利用多种化学流体处理基板,使得跨越基板表面保持基本上恒定的温度。 该设备包括:设置在基板上方的排出喷嘴,以将第一温度下的第一化学流体提供到基板的前表面; 在所述基板的径向方向上定向的棒状喷嘴,以将第二温度下的第二化学流体提供给所述基板的前表面或背面,所述第二温度高于所述第一温度。 棒状喷嘴包括多个出口,用于将第二化学流体排放到基板的前表面或背表面上的与基板中心不同的距离处的多个接触位置。

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