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公开(公告)号:KR100467916B1
公开(公告)日:2005-01-24
申请号:KR1019990024254
申请日:1999-06-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 사다테쯔야
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/67109 , H01L21/6838 , H01L21/6875
Abstract: Pins that are small protrusions are disposed on the upper surface of a heat process board. Through-holes are formed between the pins so as to deaerate from a space thereof. In a predetermined time period in the initial stage of the heat process, a deaerating process is performed using the through-holes. Thus, a negative pressure is applied to the space between the lower surface of the substrate and the upper surface of the heat process board so as to contact the substrate and the heat process board. Thereafter, the vacuum degree is lowered. Due to the rigidity of the substrate, the substrate and the heat process board are separated. In the initial stage of the heat process, since the substrate and the heat process board directly contact, the temperature of the substrate quickly and equally rises. In addition, when the heat shrinkage is large, since the substrate and the heat process board are separated, static electricity due to friction hardly takes place. Thus, a static breakdown can be prevented. Consequently, a heat process apparatus and a heat process method that allow the entire substrate to be heat-processed are provided.
Abstract translation: 作为小突起的销布置在热处理板的上表面上。 在销之间形成通孔以从其空间脱气。 在热处理的初始阶段的预定时间段中,使用通孔执行脱气处理。 因此,在基板的下表面和热处理板的上表面之间的空间施加负压,以便接触基板和热处理板。 之后,真空度降低。 由于基板的刚性,基板和热处理板分离。 在热处理的初始阶段,由于基板和热处理板直接接触,所以基板的温度快速且均匀地上升。 另外,当热收缩较大时,由于基板和热处理板分离,因摩擦引起的静电几乎不发生。 因此,可以防止静电击穿。 因此,提供了允许整个基板进行热处理的热处理设备和热处理方法。
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公开(公告)号:KR1019980079954A
公开(公告)日:1998-11-25
申请号:KR1019980007398
申请日:1998-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 처리장치에 관한 것으로서, 특히 기판에 발생되는 대전량을 제어하여 대전으로 인한 정전기 장해 및 반송수단과의 사이에서 발생되는 방전노이즈 장해를 방지함으로써, LCD기판의 현상장치, 레지스트 도포장치, 상기 LCD기판이외의 반도체 웨이퍼 및 CD 등의 처리장치에도 응용할 수 있는 처리장치에 관한 것이다. 본 발명은 반송수단에 의해 반송되는 기판을 진공흡착에 의해 밀착지지하는 보지수단을 구성하는 재치부의 재질을 합성수지재 부재로 하고, 상기의 기판과 보지수단에 전하제거용 유체로써 이온화한 기체, 순수, 또는 이소프로필알코올 등의 휘발성유체를 공급하여 상기 기판의 대전을 제어함으로써, 상기의 기판이 대전되어 그 표면에 형성되는 디바이스가 정전파괴되는 등의 정전기 방해를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기의 기판과 반송수단사이에서 발생되는 방전현상에 의한 노이즈가 반송수단의 제어계에 끼치는 장해를 방지할 수 있으며, 상기 보지수단에 대전한 전하를 제거할 수 있기 때문에, 연속사용시에도 상기와 같은 동일한 효과를 얻을 수 있는 처리장치를 제시하고 있다.
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公开(公告)号:KR1020000006469A
公开(公告)日:2000-01-25
申请号:KR1019990024254
申请日:1999-06-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 사다테쯔야
IPC: H01L21/30
CPC classification number: H01L21/68742 , H01L21/67109 , H01L21/6838 , H01L21/6875
Abstract: PURPOSE: A heat processing device and a heat processing method are installed in LCD manufacturing system by using a photolithography, do not occur electrostatic breakdown, and perform uniform heat processing on the entire glass substrate. CONSTITUTION: A heat processing device includes a heat processing board (58) for heating a subject processing substrate(G); a support body which is displaced to the subject processing substrate of the hear processing board, and supports the subject processing substrate by keeping away from the heat processing board by a predetermined distance. The heat processing device includes a suction part in an area excepting a support area supported by the support body of the subject processing substrate. The suction part makes the subject processing substrate to be freely contacted with the heat processing board. Thereby, the heat processing device prevents electrostatic breakdown, and perform uniform heat processing on the entire glass substrate.
Abstract translation: 目的:通过使用光刻法在LCD制造系统中安装热处理装置和热处理方法,不会发生静电破坏,并且在整个玻璃基板上进行均匀的热处理。 构成:热处理装置包括用于加热被处理基板(G)的热处理板(58)。 支撑体,其移动到听力处理板的主体处理基板,并且通过远离热处理板远离预定距离来支撑对象处理基板。 热处理装置包括除了由被处理基板的支撑体支撑的支撑区域之外的区域中的吸引部。 抽吸部件使被处理基板与热处理板自由接触。 因此,热处理装置防止静电击穿,并且在整个玻璃基板上进行均匀的热处理。
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公开(公告)号:KR1019990023877A
公开(公告)日:1999-03-25
申请号:KR1019980034574
申请日:1998-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333
Abstract: 본 발명은 액정표시디스플레이(LCD)용 기판의 표면 또는 기판에 형성된 층(반도체층, 절연체층, 전극층 등)의 위에 도포된 포토레지스트막이나 반사방지막(Anti-Reflective Coating)과 같은 도막을 기판의 주변부로부터 제거하기 위한 기판처리방법 및 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 기판처리방법으로서 (a) 기판의 표면측 및 뒷면측의 각각의 주변부에 독립적으로 용제를 각각 공급하는 공정과, (b) 상기기판의 뒷면측의 주변부에 대해서는 상기공정(a)에서 뒷면측의 주변부에 공급한 양보다 적은 양의 용제를 공급하거나, 또는 이 공정(b)에서 표면측의 주변부에 공급하는 양보다 적은 양의 용제를 공급하거나, 또는 이 공정(b)에서는 용제의 공급을 정지하는 공정을 포함하는 것을 제시한다.
본 발명에 관계하는 기판처리방법 및 기판처리장치에서는 용해능력이 낮은 용제(안전용제)를 이용하는 경우라도 기판의 주변부로부터 도막을 신속하고 확실하게 제거할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号:KR1019980080626A
公开(公告)日:1998-11-25
申请号:KR1019980010231
申请日:1998-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 처리장치 및 처리방법에 관한 것으로서, 예를들면 LCD기판이나 반도체 웨이퍼같은 기판의 건조처리 등을 하는 처리장치와 처리방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판을 재치시키는 재치대와, 상기 재치대 상에 기판을 승강시키는 핀을 구비하는 처리장치에 있어서, 상기 재치대의 측방에 이온나이저를 배치하고 있고, LCD기판으로 대표되는 절연성 기판을 재치대의 상방에 돌출하는 핀의 상단으로 수취하며, 상기 핀의 하강에 의해 기판을 재치대 상에 재치시키게 된다. 그리고, 상기 재치대에 있어 가열 등의 처리를 기판에 대해 행하고, 상기 처리 후 핀을 상승시켜 재치대 상으로부터 기판을 들어올리며, 이때 기판의 측방에 배치된 이온나이저로부터 이온을 내뿜게 하여 기판 상하면의 대전을 제거함으로써, 기판의 튀어오름이나 위치의 어긋남을 방지할 수 있는 효과가 있는 처리장치 및 처리방법을 제시하고 있다.
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公开(公告)号:KR100411368B1
公开(公告)日:2004-10-12
申请号:KR1019980034574
申请日:1998-08-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: B32B38/10 , B05D3/007 , B05D3/107 , G03F7/422 , H01L21/31133 , Y10S156/922 , Y10T156/11 , Y10T156/1116
Abstract: A method of processing a substrate for removing a coating film from a substrate by dissolving the coating film with a solvent, comprising the steps of (a) supplying a solvent independently to each of peripheral portions of an upper surface side and a lower surface side of the substrate, and (b) supplying the solvent to the peripheral portion of the lower surface side of the substrate in an amount lower than the solvent supplied to the peripheral portion of the lower surface side in the step (a) or lower than that supplied to the peripheral portion of the upper surface side in this step (b), or terminating a supply of the solvent.
Abstract translation: 其特征在于,包括以下工序:(a)将溶剂分别独立地供给到所述涂布膜的上表面侧和下表面侧的周缘部的工序 (b)在步骤(a)中供应溶剂至基板下表面侧的周边部分的量低于供应至下表面侧周边部分的溶剂量或低于供应量 在该步骤(b)中到达上表面侧的周边部分,或者终止溶剂的供应。
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公开(公告)号:KR100296827B1
公开(公告)日:2001-10-25
申请号:KR1019980007398
申请日:1998-03-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 처리장치에 관한 것으로서, 특히 기판에 발생되는 대전량을 제어하여 대전으로 인한 정전기 장해 및 반송수단과의 사이에서 발생되는 방전노이즈 장해를 방지함으로써, LCD기판의 현상장치, 레지스트 도포장치, 상기 LCD기판이외의 반도체 웨이퍼 및 CD 등의 처리장치에도 응용할 수 있는 처리장리에 관한 것이다. 본 발명은 반송수단에 의해 반송되는 기판을 진공흡착에 의해 밀착지지하는 보지수단을 구성하는 재치부의 재질을 합성수지재 부재로 하고, 상기의 기판과 보지수단에 전하제거용 유체로써 이온화한 기체, 순수, 또는 이소프로필알코올 등의 휘발성유체를 공급하여 상기 기판의 대전을 제어함으로써 , 상기의 기판이 대전되어 그 표면에 형성되는 디바이스가 정전파괴되는 등의 정전기 방해를 방지할 수 있는 효과가 있다. 또한, 상기의 기판과 반송수단사이에서 발생되는 방전현상에 의한 노이즈가 반송수단의 제어계에 끼치는 장해를 방지할 수 있으며, 상기 보지수단에 대전한 전하를 제거할 수 있기 때문에, 연속사용시에도 상기와 같은 동일한 효과를 얻을 수 있는 처리장치를 제시하고 있다.
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公开(公告)号:KR100292321B1
公开(公告)日:2001-07-12
申请号:KR1019980010231
申请日:1998-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 처리장치 및 처리장법에 관한 것으로서, 예를들면 LCD기판이나 반 도체 웨이퍼같은 기판의 건조처리 등을 하는 처리장치와 처리방법에 관한 것이다. 본 발명은 기판을 재치시키는 재치대와, 상기 재치대 상에 기판을 승강시키는 핀을 구비하는 처리장치에 있어서, 상기 재치대의 측방에 이온화장치를 배치하고 있고, LCD기판으로 대표되는 절연성 기판을 재치대의 상방에 돌출하는 핀의 상단으로 건네받고, 상기 핀의 하강에 의해 기판을 재치대 상에 재치시키게 된다. 그리고, 상기 재치대 상에 있어 가열 등의 처리를 기판에 대해 행하고, 상기 처리 후 핀을 상승시켜 재치대 상으로부터 기판을 들어올리며, 이때 기판의 측방에 배치된 이온화장치로부터 이온을 내뿜게 하여 기판 상하면의 대전을 제거함으로써, 기판의 튀어오름이나 위치의 어긋남을 방지할 수 있는 효과가 있는 처리장치 및 처리방법을 제시하고 있다.
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