公开(公告)号：KR1020170028856A

公开(公告)日：2017-03-14

申请号：KR1020160112706

申请日：2016-09-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사이토야스히코 ,  네모토다케나오

IPC: H01L43/12 ,  H01L43/02 ,  H01L43/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32899 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/3178 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32743 ,  H01J2237/3321 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 자성터널접합을구성하는자성층및 절연층을덮는절연막의성막처리가상기자성층및 상기절연층에대하여끼치는영향을충분히억제한다. 방법(MT)은, 프로세스모듈(PM1)에있어서에칭처리를행하는공정 ST1과, 에칭처리에의해형성된피처리체(W1)를프로세스모듈(PM1)로부터프로세스모듈(PM2)로이동시키는공정 ST2와, 프로세스모듈(PM2)에있어서피처리체(W1)에대하여성막처리를행하는공정 ST3을포함한다. 공정 ST3은수소를포함하는처리가스의플라즈마에의해제1 표면(SF1)과적층부(145)의제2 표면(SF2)과절연막을성막하고, 공정 ST3에있어서프로세스모듈(PM2)의내압은 200 mTorr 이상으로서프로세스모듈(PM2)의수소분압은 15 mTorr 이하이며, 공정 ST1∼ST3은일관하여산소가배기된상태에서행해진다.

Abstract translation: 一种方法包括在第一处理模块中执行蚀刻处理，将通过蚀刻工艺形成的工件从第一处理模块移动到第二处理模块，以及在第二处理模块中对工件执行成膜处理。 在进行成膜工艺中，通过含有氢的处理气体的等离子体，在层压部分的第一表面和第二表面上形成绝缘膜。 在进行成膜处理时，第二处理组件的内部压力为200mTorr以上，第二处理模块的氢分压为15mTorr以下。 执行蚀刻工艺，移动工件和执行成膜工艺在氧气排出的状态下始终如一地执行。