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公开(公告)号：KR1020140038564A
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020147004747
申请日：2012-09-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도호쿠 다이가쿠
IPC: H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은, 다마신 구조의 Cu 배선을 갖는 반도체 장치의 제조에 있어서 열처리 공정이 행해진 경우에 있어서의 층간 절연막인 CF막으로부터의 불소의 확산을 방지하고, 누설 전류의 증가를 억제하는 것을 목적으로 한다. 본원 발명의 다마신 배선 구조를 갖는 반도체 장치는, 예컨대 불소 첨가 카본막을 포함하는 층간 절연막(2)과, 층간 절연막에 메워진 구리 배선(4)을 구비하고, 층간 절연막과 구리 배선 사이에는, 구리 배선에 근접하는 배리어 메탈층(6)과, 층간 절연막에 근접하는 불소 배리어막(5)이 형성된다.
Abstract translation: 本发明的目的在于，在制造具有镶嵌结构的Cu布线的半导体装置时进行热处理工序的情况下，防止来自作为层间绝缘膜的CF膜的氟的扩散，抑制漏电流的增加 的。 具有本发明的镶嵌布线结构的半导体器件中，例如，设置有层间绝缘膜2和包括氟添加碳膜和层间绝缘膜和铜布线，铜布线之间的层间绝缘膜的铜布线4 mewojin 并且形成靠近层间绝缘膜的氟阻挡膜5。
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公开(公告)号：KR1020150048754A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：KR1020157005309
申请日：2013-06-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , C23C16/511 , C23C16/458
CPC classification number: H01J37/32779 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32513 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J37/32724 , H01J37/32743 , H01J37/32752 , H01J37/32788 , H01J37/32834 , H05H1/46 , H05H2001/463
Abstract: 회전배치대를회전시키면서복수의기판을동시에처리할때에, 회전배치대의반경방향의기판표면의처리균일성을향상시킨다. 처리실(102) 내에회전가능하게배치된회전축(114)에지지되고, 웨이퍼(W)를배치하는웨이퍼배치부(113)를원주방향으로복수개 나란하게설치한회전배치대(110)와, 처리실내에처리가스를공급하는처리가스공급부(170)와, 회전배치대에대향하여처리실의천장에설치되며, 처리가스의플라즈마를생성하기위한복수의마이크로파도입기구(224)를원주방향을따라서환상으로나란하게일렬로하고, 이것을회전배치대가회전했을때의웨이퍼궤적의내측으로부터외측에걸쳐복수열 이격하여배열한플라즈마생성부(200)와, 처리실내부를배기하는배기부(164)를설치했다.
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公开(公告)号：KR102217492B1
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：KR1020167022025
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L43/12 , C23C16/455
Abstract: 전자파방전방식의플라즈마처리장치에있어서, 유전체창가스유로내의이상방전을방지하면서, 유전체창가스유로내의가스의전환을단시간에행하여, 상이한종류의플라즈마처리공정을교대로일정한사이클로반복하는프로세스의고속화를실현한다. 이플라즈마처리장치는처리가스공급부(80)로부터제공되는처리가스를챔버(12) 내에도입하기위한가스도입기구로서, 3계통의가스라인, 즉유전체창(18)에가스유로(96) 및가스분출구(94)를마련하는천장가스라인(82)과, 상이한높이위치로챔버(12)의측벽(12a)에가스유로(100, 108) 및가스분출구(102, 110)를각각마련하는하부측벽가스라인(84) 및상부측벽가스라인(86)을구비하고있다. 그리고, 천장가스라인(82)의제1 가스공급관(90)과배기부(55, 56)를잇는바이패스배기라인(116)을구비하고있다.
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公开(公告)号：KR101815746B1
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：KR1020157031579
申请日：2014-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L29/66 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.
Abstract translation: 本发明涉及用掺杂剂掺杂衬底表面的方法和设备，其中掺杂剂例如是膦或胂。 用低浓度的掺杂剂掺杂惰性气体，如氦气或氩气。 为了提供共形掺杂，优选形成掺杂剂的单层，在掺杂过程期间切换气流入口位置，并且气体混合物主要在第一时间段期间流过处理室中的中央顶端口 在引入之后的第二时间段内，气体混合物主要通过外围或边缘注入口引入，并且开关作为等离子体工艺以交替方式继续。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170028856A
公开(公告)日：2017-03-14
申请号：KR1020160112706
申请日：2016-09-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/10 , H01L21/02 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32899 , C23C16/0245 , C23C16/345 , C23C16/4408 , C23C16/4558 , C23C16/5096 , H01J37/3178 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32743 , H01J2237/3321 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12
Abstract: 자성터널접합을구성하는자성층및 절연층을덮는절연막의성막처리가상기자성층및 상기절연층에대하여끼치는영향을충분히억제한다. 방법(MT)은, 프로세스모듈(PM1)에있어서에칭처리를행하는공정 ST1과, 에칭처리에의해형성된피처리체(W1)를프로세스모듈(PM1)로부터프로세스모듈(PM2)로이동시키는공정 ST2와, 프로세스모듈(PM2)에있어서피처리체(W1)에대하여성막처리를행하는공정 ST3을포함한다. 공정 ST3은수소를포함하는처리가스의플라즈마에의해제1 표면(SF1)과적층부(145)의제2 표면(SF2)과절연막을성막하고, 공정 ST3에있어서프로세스모듈(PM2)의내압은 200 mTorr 이상으로서프로세스모듈(PM2)의수소분압은 15 mTorr 이하이며, 공정 ST1∼ST3은일관하여산소가배기된상태에서행해진다.
Abstract translation: 一种方法包括在第一处理模块中执行蚀刻处理，将通过蚀刻工艺形成的工件从第一处理模块移动到第二处理模块，以及在第二处理模块中对工件执行成膜处理。 在进行成膜工艺中，通过含有氢的处理气体的等离子体，在层压部分的第一表面和第二表面上形成绝缘膜。 在进行成膜处理时，第二处理组件的内部压力为200mTorr以上，第二处理模块的氢分压为15mTorr以下。 执行蚀刻工艺，移动工件和执行成膜工艺在氧气排出的状态下始终如一地执行。
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公开(公告)号：KR1020160130994A
公开(公告)日：2016-11-15
申请号：KR1020167022025
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L43/12 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45529 , C23C16/45536 , C23C16/45548 , C23C16/45561 , C23C16/511 , H01J37/32119 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/3321 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L43/12
Abstract: 전자파방전방식의플라즈마처리장치에있어서, 유전체창가스유로내의이상방전을방지하면서, 유전체창가스유로내의가스의전환을단시간에행하여, 상이한종류의플라즈마처리공정을교대로일정한사이클로반복하는프로세스의고속화를실현한다. 이플라즈마처리장치는처리가스공급부(80)로부터제공되는처리가스를챔버(12) 내에도입하기위한가스도입기구로서, 3계통의가스라인, 즉유전체창(18)에가스유로(96) 및가스분출구(94)를마련하는천장가스라인(82)과, 상이한높이위치로챔버(12)의측벽(12a)에가스유로(100, 108) 및가스분출구(102, 110)를각각마련하는하부측벽가스라인(84) 및상부측벽가스라인(86)을구비하고있다. 그리고, 천장가스라인(82)의제1 가스공급관(90)과배기부(55, 56)를잇는바이패스배기라인(116)을구비하고있다.
Abstract translation: 一种用于交替地执行使用第一和第二处理气体的第一等离子体处理步骤的等离子体处理装置和使用第三和第四处理气体的第二等离子体处理步骤 该装置包括：处理容器，其在天花板中具有介电窗口并可移除地容纳工件; 排气单元，其排出处理容器; 处理气体供应单元，其将第一，第二，第三和第四处理气体供应到处理容器中; 第一气体导入单元，包括顶板气体注入口，电介质窗口气体流路和第一外部气体流路; 第二气体引入单元，包括侧壁气体注入口，侧壁气体流路和第二外部气体流路; 向所述等离子体产生空间供给电磁波的电磁波供给部; 旁路排气通道; 和开闭阀。
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公开(公告)号：KR1020150138369A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020157031579
申请日：2014-04-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/223 , H01L29/66 , H01J37/32
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L29/66803
Abstract: 본발명은도펀트로기판의표면을도핑하기위한방법및 장치에관한것으로, 도펀트는예를들어, 포스핀또는아르신이다. 도핑은낮은농도의도펀트로주로헬륨또는아르곤과같은불활성가스로수행된다. 등각의도핑을제공하기위해, 바람직하게도펀트의모노층(monolayer)을형성하기위해, 가스흐름유입위치는도핑프로세스동안스위칭되고, 가스혼합물은주로제 1 시간주기동안프로세스챔버에서중심최상부포트를통해유입된다음에제 2 시간주기동안주로주변또는에지분사포트를통해가스혼합물이유입되고, 스위칭은플라즈마프로세스로서교번방식으로계속한다.
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公开(公告)号：KR1020150046736A
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：KR1020140140744
申请日：2014-10-17
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/4408 , C23C16/45502 , C23C16/45519 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은, 플라즈마처리장치내의처리가스를정류하고, 플라즈마처리를적절히행하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치(1)는, 웨이퍼(W)를수용하는처리용기(10)와, 처리용기(10)의바닥면에설치되고, 웨이퍼(W)를배치하는배치대(20)와, 처리용기(10)의천장면중앙부에설치되고, 이처리용기(10)의내부에제1 처리가스(T1)를공급하는제1 처리가스공급관(60)과, 처리용기(10)의측면에설치되고, 이처리용기(10)의내부에제2 처리가스(T2)를공급하는제2 처리가스공급관(70)과, 처리용기(10)의측면으로서, 제2 처리가스공급관(70)의위쪽에설치되고, 처리용기(10)의내부에아래쪽을향하는정류가스(R)를공급하는정류가스공급관(80)과, 처리용기(10)의내부에마이크로파를방사하는레이디얼라인슬롯안테나(40)를갖는다.
Abstract translation: 本发明的目的是纠正等离子体处理装置中的工艺气体并适当地预处理等离子体处理。 等离子体处理装置（1）包括：接收晶片（W）的处理室（10），安装在处理室（10）的底面上并排列晶片（W）的对准单元（20） ，第一工艺气体供给管（60），其安装在处理室（10）的顶面的中心部分，并且将第一处理气体（T1）供应到处理室（10）中;第二处理气体 供给管（70），其安装在处理室（10）的侧表面，并将第二处理气体（T2）供应到处理室（10）中;整流气体供给管（80），安装到 作为处理室（10）的侧面的第二工艺气体供给管（70）的上部，并且将向下流入处理室（10）的整流气体（R）和径向线槽天线 40），其将微波辐射到处理室（10）中。
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公开(公告)号：KR101417723B1
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020147004747
申请日：2012-09-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 도호쿠 다이가쿠
IPC: H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC classification number: H01L23/53238 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/76831 , H01L21/76846 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은, 다마신 구조의 Cu 배선을 갖는 반도체 장치의 제조에 있어서 열처리 공정이 행해진 경우에 있어서의 층간 절연막인 CF막으로부터의 불소의 확산을 방지하고, 누설 전류의 증가를 억제하는 것을 목적으로 한다. 본원 발명의 다마신 배선 구조를 갖는 반도체 장치는, 예컨대 불소 첨가 카본막을 포함하는 층간 절연막(2)과, 층간 절연막에 메워진 구리 배선(4)을 구비하고, 층간 절연막과 구리 배선 사이에는, 구리 배선에 근접하는 배리어 메탈층(6)과, 층간 절연막에 근접하는 불소 배리어막(5)이 형성된다.
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