公开(公告)号：KR1020150017705A

公开(公告)日：2015-02-17

申请号：KR1020147031272

申请日：2013-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라노타이치 ,  사토켄지

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3299 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32183 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4682

Abstract: 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하여, 상부 전극 및 하부 전극 중 1 전극에 공급한다. 정합 회로 및 급전 라인이, 고주파 전원과 1 전극의 사이에 설치되어 있다. 프로브 검출기가, 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하고, 프로브 장치의 처리부가, 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성한다. 처리부는, 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환에 대응한 펄스 신호를 받아, 펄스 신호의 펄스의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 당해 1 이상의 샘플링값 중 하락 타이밍에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용한다.

公开(公告)号：KR102068735B1

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：KR1020147031272

申请日：2013-05-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히라노타이치 ,  사토켄지

IPC: H05H1/46