플라즈마 처리 장치 및 프로브 장치
    1.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 프로브 장치 审中-实审
    等离子体处理装置和探针装置

    公开(公告)号:KR1020150017705A

    公开(公告)日:2015-02-17

    申请号:KR1020147031272

    申请日:2013-05-27

    Abstract: 일실시예에 따른 플라즈마 처리 장치에서는, 고주파 전원이, 고주파 전력의 ON과 OFF를 전환하여, 상부 전극 및 하부 전극 중 1 전극에 공급한다. 정합 회로 및 급전 라인이, 고주파 전원과 1 전극의 사이에 설치되어 있다. 프로브 검출기가, 급전 라인에서의 전기적 특성을 계측하여 계측 신호를 생성하고, 프로브 장치의 처리부가, 계측 신호를 샘플링하여 샘플값을 생성한다. 처리부는, 고주파 전력의 ON과 OFF의 전환에 대응한 펄스 신호를 받아, 펄스 신호의 펄스의 상승 타이밍으로부터 소정의 마스크 기간 경과 후, 상기 펄스의 하락 타이밍까지의 동안, 소정의 샘플링 간격으로 계측 신호의 샘플링을 행하여 1 이상의 샘플값을 생성하고, 당해 1 이상의 샘플링값 중 하락 타이밍에 대하여 최종의 1 회 이상의 샘플링에 의해 얻은 1 이상의 샘플값을 검출값으로서 채용한다.

    챔버 내 클리닝 방법
    3.
    发明授权
    챔버 내 클리닝 방법 有权
    室清洁方法

    公开(公告)号:KR101697285B1

    公开(公告)日:2017-01-17

    申请号:KR1020100085685

    申请日:2010-09-01

    CPC classification number: C23C16/4405 H01J37/32862

    Abstract: ESC의외주부에퇴적된 CF 베이스며 Si 및 Al를함유하는숄더퇴적물을효율적으로제거하는챔버내 클리닝방법을제공한다. O가스와 F 함유가스와의혼합가스를 ESC(24)의외주부(24a)를향하여압력 400 ~ 800 mTorr로공급하고, 상기혼합가스로부터생성된플라즈마를 ESC(24)의외주부(24a)에선택적으로조사하고또한, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면에마스킹가스로서 O단가스를공급하고, ESC(24)의외주부(24a) 이외의상부표면의 F 래디컬에의한피폭을방지하면서상기외주부(24a)에부착된숄더퇴적물(50)을분해, 제거한다.

    Abstract translation: 提供一种能够有效地除去沉积在ESC外周上的含有Si和Al的CF系肩层沉积物的室清洗方法。 在约400mTorr至约800mTorr的压力下,向ESC24的外周边24a供应O 2气体和F气体的混合气体; 从混合气体产生的等离子体照射到ESC24的外周24a上; 作为掩模气体的O 2单体气体除外周边24a供给到ESC24的上表面; 并且附着在外周24a上的肩部沉积物50被分解除去,同时防止除了外周边24a之外的ESC 24的顶面暴露于F基。

    플라즈마 처리 장치
    4.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子体加工设备

    公开(公告)号:KR1020160033034A

    公开(公告)日:2016-03-25

    申请号:KR1020150126297

    申请日:2015-09-07

    Abstract: 플라즈마처리에이용되는고주파의파워를변조펄스의듀티비에따라하이레벨과로우레벨의사이에서교호로전환하는펄스변조방식을개선한다. 이플라즈마처리장치에서는, 예를들면플라즈마생성용의고주파에하이/로우의펄스변조를거는경우, 정합기내에서가중평균의가중치변수(K)를 0.5

    Abstract translation: 改进了用于根据调制脉冲的占空比来在高电平和较低电平之间切换等离子体处理中使用的高频功率的脉冲调制方法。 根据等离子体处理装置,例如,在将高/低的脉冲调制应用于产生等离子体的高频的情况下,如果将匹配单位的加权平均值的权重变量(K)设定为满足0.5 < 即使在等离子体发生系统的高频馈电线路上的脉冲开启期间(T_(on)),也产生恒定功率(PR_H)的反射波,另一方面,功率(PR_L) 在脉冲关闭期间(T_(关闭))减小反射波。 通过调整K的值,可以随机地控制脉冲开启期间(T_(on))的反射波功率与脉冲关闭期间的反射波功率(T_(off))之间的平衡。

    챔버 내 클리닝 방법
    5.
    发明公开
    챔버 내 클리닝 방법 有权
    室清洁方法

    公开(公告)号:KR1020110025142A

    公开(公告)日:2011-03-09

    申请号:KR1020100085685

    申请日:2010-09-01

    Abstract: PURPOSE: A chamber cleaning method is provided to efficiently remove deposits attached to the outer surface of an electrostatic chuck by selectively radiating plasma generated from mixed gas to the outer surface of the electrostatic chuck. CONSTITUTION: Mixed gas of O2 gas and F containing gas is supplied to an outer surface(24a) of an ESC(24) with 400 to 800 mTorr. Plasma generated from the mixed gas is selectively radiated to the outer surface of the ESC. O2 gas is supplied to the upper surface except for the outer surface of the ESC as masking gas. A shoulder deposit(50) is decomposed and removed from the outer surface while preventing the upper surface except for the outer surface of the ESC from being exposed to F radical.

    Abstract translation: 目的:提供一种室内清洁方法,通过从静电卡盘的外表面选择性地辐射从混合气体产生的等离子体,有效地除去附着在静电吸盘外表面的沉积物。 构成:将含有O 2气体和F气体的混合气体供给到具有400至800mTorr的ESC(24)的外表面(24a)。 从混合气体产生的等离子体选择性地辐射到ESC的外表面。 向作为掩蔽气体的ESC的外表面以外的上表面供给氧气。 肩部沉积物(50)从外表面分解除去,同时防止ESC的外表面以外的上表面暴露于F基团。

    전원 시스템, 플라즈마 처리 장치 및 전원 제어 방법
    8.
    发明公开
    전원 시스템, 플라즈마 처리 장치 및 전원 제어 방법 审中-实审
    电源系统等离子体加工设备和电源控制方法

    公开(公告)号:KR1020160113983A

    公开(公告)日:2016-10-04

    申请号:KR1020160033474

    申请日:2016-03-21

    Abstract: 하부전극에의고주파전력의공급에수반하여피처리체상에서발생하는플라즈마시스에대한전자의튕김에기인하는, 상부전극측에서의방전을억제하는것이다. 전원시스템은, 피처리체를배치하기위한하부전극에플라즈마생성용의고주파전력을공급하는고주파전원과, 하부전극에대향하도록배치된상부전극에음의제 1 직류전압또는제 1 직류전압보다절대값이큰 음의제 2 직류전압을공급하는직류전원과, 고주파전력의공급과이 공급의정지를교호로반복하고, 고주파전력이공급되고있는기간중, 고주파전력의공급의개시시부터의제 1 기간에, 제 1 직류전압및 제 2 직류전압의공급을정지하고, 당해기간중, 제 1 기간을제외한제 2 기간에, 제 1 직류전압을공급하고, 고주파전력의공급이정지되어있는기간에, 제 2 직류전압을공급하는전원제어처리를실행하는제어부를구비한다.

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