公开(公告)号：KR100786399B1

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020037008430

申请日：2001-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 샤린 ,  리이쳉 ,  샤오쇼우-퀴안

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115 ,  Y10T29/41

Abstract: The single substrate thermal processing apparatus ( 2 ) includes a process chamber ( 5 ) arranged to accommodate a target substrate (W) and provided with a showerhead ( 10 ) disposed on its ceiling. A support member ( 28 ) is disposed to support the target substrate (W) so as for it to face the showerhead ( 10 ), when the target substrate (W) is subjected to a semiconductor process. A heating lamp ( 30 ) is disposed below the support member ( 28 ), for radiating light to heat the target substrate (W). The support member ( 28 ) and heating lamp ( 30 ) are moved up and down together relative to the showerhead ( 10 ) by an elevator mechanism ( 20 ). The elevator mechanism ( 20 ) sets different distances between the showerhead ( 30 ) and heating lamp ( 10 ), in accordance with the different process temperatures, thereby causing temperature change of the bottom surface of the showerhead ( 10 ) to fall in a predetermined range.

公开(公告)号：KR1020030074671A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037008430

申请日：2001-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 샤린 ,  리이쳉 ,  샤오쇼우-퀴안

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115 ,  Y10T29/41

Abstract: 매엽식 열처리 장치(2)는 피처리 기판(W)을 수납하는 처리실(5)을 구비하고, 그 천정에 샤워헤드(10)가 설치된다. 반도체 처리를 피처리 기판(W)에 대하여 실시할 때 샤워헤드(10)에 대향하도록 피처리 기판(W)을 지지하는 지지 부재(28)가 설치된다. 지지 부재(28)의 하방에 가열 램프(30)가 설치되고, 빛을 조사함으로써 피처리 기판(W)을 가열한다. 지지 부재(28)와 가열 램프(30)는 승강 기구(20)에 의해 샤워헤드(10)에 대하여 일체적으로 승강된다. 승강 기구(20)는 상이한 처리 온도에 대응하여, 샤워헤드(10)의 하면의 온도 변화가 소정의 범위내로 되도록, 샤워헤드(10)와 가열 램프(30) 사이를 상이한 거리로 설정한다.