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    진공 처리 장치
    1.
    发明公开
    진공 처리 장치 有权
    真空加工设备

    公开(公告)号：KR1020100031679A

    公开(公告)日：2010-03-24

    申请号：KR1020097026338

    申请日：2008-06-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 리이쳉

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

    CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4409

    Abstract: On a cover (3) of a vacuum processing chamber (2), a groove (150) is annularly formed along the periphery of an opening section to be a gas channel. In the groove (150), a metal seal (140), which has an annular shape (O-ring shape) as a whole and a double structure, is arranged. On the cover (3), an annular recessed section (160) is formed to surround the periphery of the groove (150), on the outer portion of the groove (150). On the side of a flange section (130), an annular protruding section (170) which corresponds to the recessed section (160) is formed. In the recessed section (160), a fitting mechanism (180) for fitting the protruding section (170) is constituted.

    Abstract translation: 在真空处理室（2）的盖（3）上，沿着作为气体通道的开口部的周边环状地形成有槽（150）。 在槽（150）中，布置有作为整体具有环形（O形环形状）和双重结构的金属密封件（140）。 在盖（3）上，在凹槽（150）的外侧部分上形成环形凹部（160）以包围凹槽（150）的周边。 在凸缘部（130）的一侧形成有与凹部（160）对应的环状的突出部（170）。 在凹部（160）中，构成用于安装突出部（170）的嵌合机构（180）。

    반도체 처리용 매엽식 열처리 장치 및 방법
    2.
    发明公开
    반도체 처리용 매엽식 열처리 장치 및 방법 失效
    单晶片热处理装置和半导体加工方法

    公开(公告)号：KR1020030074671A

    公开(公告)日：2003-09-19

    申请号：KR1020037008430

    申请日：2001-11-27

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 샤린 ,  리이쳉 ,  샤오쇼우-퀴안

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115 ,  Y10T29/41

    Abstract: 매엽식 열처리 장치(2)는 피처리 기판(W)을 수납하는 처리실(5)을 구비하고, 그 천정에 샤워헤드(10)가 설치된다. 반도체 처리를 피처리 기판(W)에 대하여 실시할 때 샤워헤드(10)에 대향하도록 피처리 기판(W)을 지지하는 지지 부재(28)가 설치된다. 지지 부재(28)의 하방에 가열 램프(30)가 설치되고, 빛을 조사함으로써 피처리 기판(W)을 가열한다. 지지 부재(28)와 가열 램프(30)는 승강 기구(20)에 의해 샤워헤드(10)에 대하여 일체적으로 승강된다. 승강 기구(20)는 상이한 처리 온도에 대응하여, 샤워헤드(10)의 하면의 온도 변화가 소정의 범위내로 되도록, 샤워헤드(10)와 가열 램프(30) 사이를 상이한 거리로 설정한다.

    증착 시스템
    3.
    发明授权
    증착 시스템 有权
    沉积系统

    公开(公告)号：KR101281863B1

    公开(公告)日：2013-07-08

    申请号：KR1020060124784

    申请日：2006-12-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

    IPC: H01L21/02

    Abstract: 기판상에서의 기상 증착을 위한 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 및 시스템은 기판을 전달 공간으로부터 진공 격리된 공정 공간 내에 배치하고, 전달 공간으로부터의 진공 격리를 유지하면서 공정 공간 내의 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판을 처리하고, 상기 제1 위치 또는 제2 위치에서 상기 기판상에 재료를 증착한다. 따라서 기상 증착 시스템은 재료 증착을 실행하도록 구성된 공정 공간을 구비하는 제1 어셈블리, 제1 어셈블리에 결합되어, 기판을 상기 증착 시스템의 내외로 운반하도록 되어 있는 전달 공간을 구비하는 제2 어셈블리, 제2 어셈블리에 접속되며, 상기 기판을 지지하고 상기 공정 공간 내의 제1 위치로부터 상기 공정 공간 내의 제2 위치로 병진 이동시키도록 구성된 기판 스테이지를 포함한다. 이러한 시스템은 공정 공간 내에서 기판의 병진 이동 중에 공정 공간과 전달 공간 사이의 가스 유동을 억제하도록 구성된 시일을 갖는 실링 어셈블리를 포함한다.

    진공 처리 장치
    4.
    发明授权
    진공 처리 장치 有权
    真空加工设备

    公开(公告)号：KR101204160B1

    公开(公告)日：2012-11-22

    申请号：KR1020097026338

    申请日：2008-06-13

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 리이쳉

    IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

    CPC classification number: H01L21/67126 ,  C23C16/4409

    Abstract: 진공 처리 챔버(2)의 덮개(3)에는, 가스 유로가 되는 개구부의 주연을 따라 환형상으로 홈(150)이 형성되어 있고, 이 홈(150) 내에, 전체 형상이 환형상(O링상)으로 이중 구조로 된 금속 시일(140)이 마련되어 있다. 덮개(3)에는 홈(150)의 외측 부분에 홈(150)의 주위를 둘러싸도록 환형상의 오목부(160)가 형성되어 있다. 한편, 플랜지부(130) 측에는 오목부(160)에 대응한 환형상의 볼록부(170)가 형성되어 있고, 오목부(160)에, 볼록부(170)를 끼워 맞추는 끼워맞춤 기구(180)가 구성되어 있다.

    열 처리 시스템
    8.
    发明公开
    열 처리 시스템 失效

    公开(公告)号：KR1020020089504A

    公开(公告)日：2002-11-29

    申请号：KR1020027014011

    申请日：2001-04-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 사쿠마다케시 ,  시게오카다카시 ,  리이쳉

    IPC: H01L21/324

    Abstract: 열 처리 시스템은 가열 램프 시스템에 의해 피처리체에 복사열을 가함으로써 대략 원형의 피처리체상에서 소정의 열 처리를 실행한다. 가열 램프 시스템은 피처리체에 대응하도록 동심으로 배치된 다수의 램프를 포함한다. 다수의 램프는 피처리체의 각 영역에 대해 개별적으로 제어된다.

    증착 시스템
    10.
    发明公开
    증착 시스템 有权
    用于热和等离子体增强蒸气沉积的装置和操作方法

    公开(公告)号：KR1020080052956A

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：KR1020060124784

    申请日：2006-12-08

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 리이쳉 ,  이시자카다다히로 ,  야마모토가오루 ,  고미아츠시 ,  하라마사미치 ,  후지사토도시아코 ,  파게쟈끄 ,  미즈사와야스시

    IPC: H01L21/02

    Abstract: An apparatus for thermal and plasma enhanced vapor deposition and a method for operating the same are provided to reduce pollution between interfaces of deposited layers and to realize a structure suitable for a vapor deposition and a sample delivery in the same system. A deposition system(101) forms a deposition material on a substrate(125). The deposition system includes a first assembly, a second assembly, a substrate stage(120), and a sealing assembly. The first assembly has a process space(180) where materials are deposited. A second assembly is coupled to the first assembly. The second assembly has a transfer space(182) where the substrate is carried in and out of the deposition system. The substrate stage is connected to the second assembly. The substrate stage supports the substrate to change a size of the process space. The substrate is moved in parallel from a first position in the process space to a second position in the process space by the substrate stage. A sealing assembly has a seal, which controls a gas flow between the process space and the transfer space while the substrate is moved in parallel within the process space.

    Abstract translation: 提供一种用于热和等离子体增强气相沉积的装置及其操作方法，以减少沉积层界面之间的污染，并实现适用于同一系统中气相沉积和样品输送的结构。 沉积系统（101）在衬底（125）上形成沉积材料。 沉积系统包括第一组件，第二组件，衬底台（120）和密封组件。 第一组件具有沉积材料的工艺空间（180）。 第二组件联接到第一组件。 第二组件具有传送空间（182），其中衬底被载入和离开沉积系统。 衬底台连接到第二组件。 衬底台支撑衬底以改变工艺空间的尺寸。 基板从处理空间中的第一位置平行移动到处理空间中的第二位置。 密封组件具有密封件，其在基板在处理空间内平行移动时控制处理空间与传送空间之间的气流。

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