公开(公告)号：KR100786399B1

公开(公告)日：2007-12-17

申请号：KR1020037008430

申请日：2001-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 샤린 ,  리이쳉 ,  샤오쇼우-퀴안

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115 ,  Y10T29/41

Abstract: The single substrate thermal processing apparatus ( 2 ) includes a process chamber ( 5 ) arranged to accommodate a target substrate (W) and provided with a showerhead ( 10 ) disposed on its ceiling. A support member ( 28 ) is disposed to support the target substrate (W) so as for it to face the showerhead ( 10 ), when the target substrate (W) is subjected to a semiconductor process. A heating lamp ( 30 ) is disposed below the support member ( 28 ), for radiating light to heat the target substrate (W). The support member ( 28 ) and heating lamp ( 30 ) are moved up and down together relative to the showerhead ( 10 ) by an elevator mechanism ( 20 ). The elevator mechanism ( 20 ) sets different distances between the showerhead ( 30 ) and heating lamp ( 10 ), in accordance with the different process temperatures, thereby causing temperature change of the bottom surface of the showerhead ( 10 ) to fall in a predetermined range.

公开(公告)号：KR1020030074671A

公开(公告)日：2003-09-19

申请号：KR1020037008430

申请日：2001-11-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 샤린 ,  리이쳉 ,  샤오쇼우-퀴안

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115 ,  Y10T29/41

Abstract: 매엽식 열처리 장치(2)는 피처리 기판(W)을 수납하는 처리실(5)을 구비하고, 그 천정에 샤워헤드(10)가 설치된다. 반도체 처리를 피처리 기판(W)에 대하여 실시할 때 샤워헤드(10)에 대향하도록 피처리 기판(W)을 지지하는 지지 부재(28)가 설치된다. 지지 부재(28)의 하방에 가열 램프(30)가 설치되고, 빛을 조사함으로써 피처리 기판(W)을 가열한다. 지지 부재(28)와 가열 램프(30)는 승강 기구(20)에 의해 샤워헤드(10)에 대하여 일체적으로 승강된다. 승강 기구(20)는 상이한 처리 온도에 대응하여, 샤워헤드(10)의 하면의 온도 변화가 소정의 범위내로 되도록, 샤워헤드(10)와 가열 램프(30) 사이를 상이한 거리로 설정한다.

公开(公告)号：KR100876992B1

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：KR1020037010268

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 샤오쇼우-퀴안 ,  리이쳉

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/482 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 처리용 자외선 어시스트 처리 장치(10)는 탑재대(11)와 대향하도록 처리실(12)을 규정하는 벽에 설치된 자외선을 투과하는 창(20)을 갖는다. 창(20)에 대향하도록 처리실(12) 밖으로 자외선을 발하는 광원(15)이 설치된다. 처리실(12)내에 처리 가스를 공급하기 위한 공급계는 창(20)의 내부에 형성된 처리 가스가 통과하는 헤드 스페이스(21)와, 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(22)을 갖는다.

公开(公告)号：KR1020010007193A

公开(公告)日：2001-01-26

申请号：KR1020000030293

申请日：2000-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세이마사아키 ,  이시카와겐지 ,  샤오쇼우-퀴안 ,  나카노데츠야

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C01B13/10 ,  C30B33/005

Abstract: PURPOSE: To enable easy measurement of a light quantity of an ultraviolet lamp without exposing the interior of a processing container to atmosphere. CONSTITUTION: The oxidizing apparatus includes a processing container 1, a gas inlet pipe 6 for introducing an ozone gas into the container 1, an ultraviolet transmission window 10 provided to the container 1, a lamp house 20 provided outside the window 10, and an ultraviolet lamp 21 disposed within the lamp house 20. A space for sensor insertion is secured between the lamp 21 within the house 20 and the window 10, and a light quantity sensor 30 is externally inserted into the space 31 to measure a light quantity of the ultraviolet lamp.

Abstract translation: 目的：使紫外灯的光量易于测量，而不会使处理容器的内部暴露在大气中。 构成：氧化装置包括处理容器1，用于将臭氧气体引入容器1中的气体导入管6，设置在容器1上的紫外线透射窗10，设置在窗户10外部的灯室20和紫外线 灯21设置在灯室20内。用于传感器插入的空间被固定在房屋20内的灯21和窗户10之间，光量传感器30被外部插入空间31中以测量紫外线的光量 灯。

公开(公告)号：KR100657113B1

公开(公告)日：2006-12-15

申请号：KR1020000030293

申请日：2000-06-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세이마사아키 ,  이시카와겐지 ,  샤오쇼우-퀴안 ,  나카노데츠야

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C01B13/10 ,  C30B33/005

Abstract: 반도체 처리 시스템의 오존 처리 장치는 기밀 처리실(1)과, 자외선 투과 창문(10)을 거쳐서 처리실과 구획된 램프실(20)을 갖는다. 램프실(20)내에는, 창문(10)을 따라 배열된 복수의 자외선 램프(21)가 배치된다. 램프실(20)내에 있어서 창문(10)과 램프(21) 사이에 측정 공간(31)이 규정된다. 램프실(20)에는 측정 유닛(50)을 장착하기 위한 장착부(29)가 형성된다. 측정 유닛(50)은 측정 공간(31)에 대하여 삽입되는 램프(21)의 광량을 측정하기 위한 센서(30)를 구비한다. 센서(30)는 램프(21)의 배열 방향을 따라서 이동 가능하다.

公开(公告)号：KR1020030083708A

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：KR1020037010268

申请日：2002-03-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 샤오쇼우-퀴안 ,  리이쳉

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67115 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/482 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/31683

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 처리용 자외선 어시스트 처리 장치(10)는 탑재대(11)와 대향하도록 처리실(12)을 규정하는 벽에 설치된 자외선을 투과하는 창(20)을 갖는다. 창(20)에 대향하도록 처리실(12) 밖으로 자외선을 발하는 광원(15)이 설치된다. 처리실(12)내에 처리 가스를 공급하기 위한 공급계는 창(20)의 내부에 형성된 처리 가스가 통과하는 헤드 스페이스(21)와, 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(22)을 갖는다.