公开(公告)号：KR100855279B1

公开(公告)日：2008-08-29

申请号：KR1020067027905

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세기구치겐지 ,  우치다노리타카 ,  타나카사토루 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/024 ,  B08B3/04 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 기판(W)을 순수한 물 등의 처리액에 의해 처리하는 것을 특징으로 한다. 다음에, 유체 노즐(12)로부터 기판(W)의 상면에 처리액보다도 휘발성이 높은 제1 유체를 공급하여 액막을 형성한다. 다음에, 기판(W)을 회전시키면서 유체노즐(12)로부터 기판(W)의 상면에 처리액보다도 휘발성이 높은 제2 유체를 공급한다. 그 때, 기판(W)에 대한 제2 유체의 공급 위치(Sf)를, 기판(W)의 회전 중심(Po)으로부터 반경 방향 외측으로 이동시킨다. 이에 따라, 제1 및 제2 유체를 이용하여 건조시킨 후의 기판(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
기판 처리 장치

Abstract translation: 本发明的特征在于，用纯水等处理液处理基板W. 接着，从流体喷嘴12向基板W的上表面供给挥发性比处理液高的第一流体而形成液膜。 接着，一边使基板W旋转，一边从流体喷嘴12向基板W的上表面供给挥发性比处理液高的第二流体。 此时，第二流体对基板W的供给位置Sf从基板W的旋转中心Po向径向外侧移动。 因此，可以防止在使用第一流体和第二流体进行干燥之后在衬底W上产生颗粒。

公开(公告)号：KR1020070062457A

公开(公告)日：2007-06-15

申请号：KR1020067027905

申请日：2006-03-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세기구치겐지 ,  우치다노리타카 ,  타나카사토루 ,  오노히로키

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67051 ,  B08B3/02 ,  B08B3/024 ,  B08B3/04 ,  H01L21/6708 ,  Y10S134/902

Abstract: A substrate (W) is processed with a process liquid such as purified water. Then, a first fluid which is more volatile than the process liquid is supplied onto the upper surface of the substrate (W) from a fluid nozzle (12), thereby forming a liquid film on the upper surface of the substrate (W). Following that, a second fluid which is more volatile than the process liquid is supplied onto the upper surface of the substrate (W) from the fluid nozzle (12) while rotating the substrate (W). At this time, the supply position (Sf) of the second fluid relative to the substrate (W) is moved radially outwardly from the center of rotation (Po). Consequently, there can be prevented formation of particles on the substrate (W) after drying of the substrate using the first and second fluids.

Abstract translation: 基板（W）用诸如净化水的处理液进行处理。 然后，将比处理液更易挥发的第一流体从流体喷嘴（12）供给到基板（W）的上表面，从而在基板（W）的上表面上形成液膜。 此后，在旋转基板（W）的同时，从流体喷嘴（12）向基板（W）的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。 此时，第二流体相对于基板（W）的供给位置（Sf）从旋转中心（Po）径向向外移动。 因此，可以防止在使用第一和第二流体干燥基板之后在基板（W）上形成颗粒。