-
公开(公告)号：KR1020060008952A
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1020057020693
申请日：2005-04-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: A board cleaning apparatus and a board processing method are provided. A brush (3) is brought into contact with a board W while the board W is being rotated, and a cleaning position Sb of the brush (3) is shifted relatively to the board W, directing to a circumference part from a center part of the board W. A process fluid composed of a liquid droplet and a gas is jetted from a two fluid nozzle (5) to the board W. A cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is shifted relatively to the board W, directing to the circumference part from the center part of the board W, and while the cleaning position Sb of the brush (3) is being shifted to the circumference part from the center part, the cleaning position Sn of the two fluid nozzle (5) is arranged on a side closer to a center Po than the cleaning position Sb of the brush (3). Thus, contaminants are prevented from transferring from the brush to contaminate the wafer.
Abstract translation: 提供了一种板清洁装置和板处理方法。 在板W旋转的同时，电刷（3）与电路板W接触，并且电刷（3）的清洁位置Sb相对于电路板W移动，从电路板W的中心部分引导到周边部分 由液体液滴和气体组成的工艺流体从两个流体喷嘴（5）喷射到板W.两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn相对于板W移动， 从电路板W的中心部分引导到圆周部分，并且当刷子（3）的清洁位置Sb从中心部分移动到周边部分时，两个流体喷嘴（5）的清洁位置Sn， 布置在比刷子（3）的清洁位置Sb更靠近中心Po的一侧。 因此，防止污染物从刷子转移以污染晶片。
-
公开(公告)号：KR100855279B1
公开(公告)日：2008-08-29
申请号：KR1020067027905
申请日：2006-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: 본 발명은 기판(W)을 순수한 물 등의 처리액에 의해 처리하는 것을 특징으로 한다. 다음에, 유체 노즐(12)로부터 기판(W)의 상면에 처리액보다도 휘발성이 높은 제1 유체를 공급하여 액막을 형성한다. 다음에, 기판(W)을 회전시키면서 유체노즐(12)로부터 기판(W)의 상면에 처리액보다도 휘발성이 높은 제2 유체를 공급한다. 그 때, 기판(W)에 대한 제2 유체의 공급 위치(Sf)를, 기판(W)의 회전 중심(Po)으로부터 반경 방향 외측으로 이동시킨다. 이에 따라, 제1 및 제2 유체를 이용하여 건조시킨 후의 기판(W)에 파티클이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
기판 처리 장치Abstract translation: 本发明的特征在于，用纯水等处理液处理基板W. 接着，从流体喷嘴12向基板W的上表面供给挥发性比处理液高的第一流体而形成液膜。 接着，一边使基板W旋转，一边从流体喷嘴12向基板W的上表面供给挥发性比处理液高的第二流体。 此时，第二流体对基板W的供给位置Sf从基板W的旋转中心Po向径向外侧移动。 因此，可以防止在使用第一流体和第二流体进行干燥之后在衬底W上产生颗粒。
-
公开(公告)号：KR100648165B1
公开(公告)日：2006-11-28
申请号：KR1020057020693
申请日：2005-04-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B1/04 , H01L21/67046
Abstract: 기판 세정 장치 및 기판 처리 방법은 기판(W)을 회전시키면서 브러시(3)를 기판(W)에 접촉시키고, 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 이류체 노즐(5)로부터 액적과 가스로 이루어지는 처리 유체를 기판(W)에 분사시키고, 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 기판(W)에 대해 상대적으로 이동시키며, 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)를 기판(W)의 중심부로부터 주연부를 향해 이동시키는 동안, 상기 이류체 노즐(5)에 의한 세정 위치(Sn)를 상기 브러시(3)에 의한 세정 위치(Sb)보다 중심(P0) 측에 배치함으로써 브러시로부터 오염물이 전사되어 웨이퍼가 더러워지는 것을 방지할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020070062457A
公开(公告)日：2007-06-15
申请号：KR1020067027905
申请日：2006-03-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , B08B3/024 , B08B3/04 , H01L21/6708 , Y10S134/902
Abstract: A substrate (W) is processed with a process liquid such as purified water. Then, a first fluid which is more volatile than the process liquid is supplied onto the upper surface of the substrate (W) from a fluid nozzle (12), thereby forming a liquid film on the upper surface of the substrate (W). Following that, a second fluid which is more volatile than the process liquid is supplied onto the upper surface of the substrate (W) from the fluid nozzle (12) while rotating the substrate (W). At this time, the supply position (Sf) of the second fluid relative to the substrate (W) is moved radially outwardly from the center of rotation (Po). Consequently, there can be prevented formation of particles on the substrate (W) after drying of the substrate using the first and second fluids.
Abstract translation: 基板（W）用诸如净化水的处理液进行处理。 然后，将比处理液更易挥发的第一流体从流体喷嘴（12）供给到基板（W）的上表面，从而在基板（W）的上表面上形成液膜。 此后，在旋转基板（W）的同时，从流体喷嘴（12）向基板（W）的上表面供给比处理液更易挥发的第二流体。 此时，第二流体相对于基板（W）的供给位置（Sf）从旋转中心（Po）径向向外移动。 因此，可以防止在使用第一和第二流体干燥基板之后在基板（W）上形成颗粒。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.018 seconds)
