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公开(公告)号：KR1020170007122A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：KR1020160082257
申请日：2016-06-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/6708 , H01L21/67248
Abstract: 본발명은초임계처리중에사용해야할 불소함유유기용제의종류를낮게억제하는것을목적으로한다. 기판처리방법은, 액처리유닛(2)의외측챔버(21) 내에있어서, 웨이퍼(W) 에대해불소를함유하지않는유기용제를공급하는공정과, 유기용제와상온에서용해되지않으나용해온도이상에서용해되는건조방지용의불소함유유기용제를공급하는공정을포함한다. 유기용제와불소함유유기용제는가열되어용해되고, 유기용제가불소함유유기용제로치환된다.
Abstract translation: 公开了一种基板处理方法，包括：向工件供给包含无氟有机溶剂的第一溶剂; 在常温下供给含有与第一溶剂不溶解的含氟有机溶剂的第二溶剂，并在高于常温的温度下与第一溶剂溶解; 并用第二溶剂代替第一溶剂，同时通过将第一溶剂和第二溶剂加热至第一溶剂和第二溶剂至溶解温度或更高。
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公开(公告)号：KR1020130007418A
公开(公告)日：2013-01-18
申请号：KR1020120056619
申请日：2012-05-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67028
Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium are provided to prevent the inside a processing container from becoming contaminated by exhausting fluid remaining in a fluid supply passage to the outside. CONSTITUTION: A substrate processing apparatus comprises a processing container(31), a fluid supply source, a fluid supply passage(351), a flow rate control unit(354), an opening and closing valve(352), a cutoff unit, an exhaust passage(341), and a control unit. When high-pressure fluid is supplied to the processing container to process a substrate, the cutoff unit installed in the fluid supply passage is opened, and the opening and closing valve is opened. The pressure of the fluid supply passage and the processing container is simultaneously reduced through the exhaust passage connected to the processing container. The processed substrate is drawn out of the processing container. [Reference numerals] (4) Controller; (W) Wafer
Abstract translation: 目的：提供基板处理装置，基板处理方法和存储介质，以防止处理容器内部被剩余在流体供给通道中的流体排出到外部而被污染。 构成：基板处理装置包括处理容器（31），流体供给源，流体供给通路（351），流量控制单元（354），开闭阀（352），切断单元 排气通道（341）和控制单元。 当将高压流体供应到处理容器以处理基板时，安装在流体供应通道中的切断单元打开，打开和关闭阀。 通过连接到处理容器的排气通道同时减少流体供给通道和处理容器的压力。 处理后的基板被从处理容器中拉出。 （附图标记）（4）控制器; （W）晶圆
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公开(公告)号：KR1020120086272A
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：KR1020120007269
申请日：2012-01-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01L21/31111 , H01L21/6708
Abstract: PURPOSE: A liquid processing method, a liquid processing apparatus and a recording medium are provided to maintain an etching speed ration of silicon nitride to silicon oxide by maintaining etchants over 140 degrees centigrade. CONSTITUTION: A controller(5) includes a computer with a CPU and a memory unit. A heating unit(3A,3B) heats etchants in a heating tank(31) by operating a circulation pump(32) and a heating device(33). The heating unit constantly maintains the temperature of the etchant at a preset temperature by controlling the output of the heating device. A liquid processing unit(2) rotates a wafer on a spin chuck by operating a rotation shaft. A liquid processing unit supplies the etchants to the center of the surface of the wafer by operating a nozzle unit(28).
Abstract translation: 目的：提供液体处理方法，液体处理装置和记录介质，以通过保持超过140摄氏度的蚀刻剂来保持氮化硅与氧化硅的蚀刻速度比。 构成：控制器（5）包括具有CPU和存储器单元的计算机。 加热单元（3A，3B）通过操作循环泵（32）和加热装置（33）来加热加热罐（31）中的蚀刻剂。 加热单元通过控制加热装置的输出将蚀刻剂的温度恒定地保持在预设温度。 液体处理单元（2）通过操作旋转轴来旋转旋转卡盘上的晶片。 液体处理单元通过操作喷嘴单元（28）将蚀刻剂提供给晶片表面的中心。
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公开(公告)号：KR100846690B1
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：KR1020067019763
申请日：2005-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼(W)를 대략 수평 자세로 회전시키면서 2 유체 또는 고압 제트수 또는 메가 소닉수를 공급하여 웨이퍼(W)를 처리하고, 이들 세정 유체의 공급을 정지한 후에 순수에 의한 린스 처리를 경유하지 않으며, 웨이퍼(W)를 이들 세정 유체의 공급시보다 고속으로 회전시켜서 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
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公开(公告)号：KR1020060037276A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020057024864
申请日：2005-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , H01L21/67028 , Y10S134/902
Abstract: A cleaning process using a cleaning liquid nozzle and a rinse process using a side rinse nozzle are performed to a wafer, and then a drying process is performed. In the drying process, the wafer is rotated, pure water starts to be supplied to a center point of the wafer from the pure water nozzle, and substantially at the same time, nitrogen gas starts to jet from a gas nozzle, at the wafer center part, to a point at a suitable distance from the wafer center. Then, while permitting the pure water nozzle to scan the wafer toward the wafer circumference, the gas nozzle is permitted to scan the wafer toward the wafer circumference in an area inner than the pure water nozzle position, after passing the wafer center.
Abstract translation: 对晶片进行使用清洗液喷嘴的清洗处理和使用侧面冲洗喷嘴的冲洗处理，然后进行干燥处理。 在干燥过程中，晶片旋转，纯水开始从纯水喷嘴供应到晶片的中心点，并且基本上同时，氮气开始从气体喷嘴喷射，在晶片中心 部分，到与晶片中心合适距离的点。 然后，在允许纯水喷嘴朝向晶片周边扫描晶片的同时，允许气体喷嘴在通过晶片中心之后沿着纯水喷嘴位置内的区域向晶片圆周扫描。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101920941B1
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：KR1020130064214
申请日：2013-06-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/10 , H01L21/67034 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 본발명의제1 과제는, 초임계상태또는아임계상태에서기판의건조처리를할 때에기판의표면이오염되어버리는것을방지하여기판처리장치의수율을향상시키는데에있다. 또한, 본발명의제2 과제는, 상태변화를동반하면서유체공급로를흐르는유체속의이물을제거하여, 기판의처리가행해지는처리용기에공급할수 있는기판처리장치등을제공하는데에있다. 본발명의제1 과제의해결수단에서는, 기판을처리하는처리용기와, 기판의처리에사용하는기판처리유체를소정의압력으로공급하는유체공급원과, 유체공급원으로부터기판처리유체를승압시키지않고서일정한압력으로처리용기에공급하는정압공급유로와, 유체공급원으로부터기판처리유체를승압기구로소정의압력으로승압하여처리용기에공급하는승압공급유로와, 정압공급유로와승압공급유로를전환하는제어수단을포함하고, 제어수단은, 정압공급유로로부터일정한압력의기판처리유체를처리용기에공급하며, 처리용기의내부압력이소정의압력으로된 경우에, 승압공급유로로부터승압한기판처리유체를처리용기에공급하여, 처리용기의내부압력을상승시키도록제어하는것으로했다. 또한, 본발명의제2 과제의해결수단에서는, 유체공급부는, 기판(W)을초임계유체또는아임계유체에의해처리하기위해서마련된처리용기(1031)에, 유체공급로(1351)를통류하는유체가, 기체상태의원료유체에서초임계상태또는아임계상태로변하여통류하도록유체를공급한다. 이유체공급로(1351)에있어서, 제1 필터(1041)는상기유체속의이물을제거하기위해서설치되고, 제2 필터(1042)는기체상태의원료유체를통류시켰을때에상기제1 필터(1041)에흡착된후, 상기원료유체가액 상태, 초임계상태또는아임계상태로변하여얻어진유체로유출된이물의응집체를제거하기위해서설치되어있다.
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公开(公告)号：KR1020100094360A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020100011525
申请日：2010-02-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , B24C7/0046 , H01L21/02057 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning substrates, an apparatus for cleaning the substrates, and a computer-readable storage media are provided to clean the substrates by colliding cleaning particles in dry air or flowing inert gas to the substrates. CONSTITUTION: An external chamber(2) receives substrates. A cleaning nozzle-arm housing houses a cleaning nozzle-arm(31). A rinse liquid nozzle-arm housing houses a rinse liquid nozzle-arm(32) for supplying rinse liquid. A spin chuck(12) is loaded in an inner cup(11) for supporting substrates. An under plate(13) upwardly and downwardly moves in order to correspond to the substrates which are supported by the spin chuck.
Abstract translation: 目的：提供一种清洁基板的方法，用于清洁基板的装置和计算机可读存储介质，以通过将干燥空气中的清洁颗粒碰撞或将惰性气体流到基板来清洁基板。 构成：外部室（2）接收衬底。 清洁喷嘴臂壳体容纳清洁喷嘴臂（31）。 冲洗液体喷嘴臂壳体容纳用于供应冲洗液体的冲洗液体喷嘴臂（32）。 旋转卡盘（12）装载在用于支撑基底的内杯（11）中。 向下和向下移动底板（13）以对应于由旋转卡盘支撑的基板。
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公开(公告)号：KR100753463B1
公开(公告)日：2007-08-31
申请号：KR1020057024864
申请日：2005-04-19
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B3/02 , G02F2001/1316 , H01L21/67028 , Y10S134/902
Abstract: 웨이퍼(W)에 세정액 노즐을 이용한 세정 처리와 사이트 린스 노즐을 이용한 린스 처리를 실시한 후의 건조 처리에 있어서, 웨이퍼(W)를 회전시키고, 순수 노즐로부터 웨이퍼(W)의 중심점에 순수의 공급을 시작하며, 이것과 실질적으로 동시에 웨이퍼(W)의 중심부에서 웨이퍼(W)의 중심으로부터 적당한 거리로 이격된 점에 가스 노즐로부터 질소 가스의 분사를 시작한다. 계속해서, 순수 노즐을 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 스캔시키면서, 가스 노즐을 웨이퍼(W)의 중심을 통과한 후에 순수 노즐의 위치보다 직경 방향 내측의 영역에서 웨이퍼(W)의 주연부를 향해 스캔시킨다.
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公开(公告)号：KR100681807B1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：KR1020057012886
申请日：2004-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C01B13/11 , C01B13/10 , H01L21/302 , B01D47/05
CPC classification number: H01L21/68721 , B01D53/002 , B01D2257/106 , C01B13/10 , H01L21/6715 , H01L21/68742 , H01L21/68785
Abstract: 방전식 오존 발생기에 의해 생성된 O
3 가스에 수증기가 혼합된다. 혼합 유체는 냉각 수단에 의해 냉각되며, 이것에 의해 O
3 가스에 함유되어 있던 금속 및 질소 산화물 등의 불순물이 응축수 속에 융해된다. 계속해서, 기액 분리기에 의해 O
3 가스가 응축수로부터 분리된다. O
3 가스에 수증기가 재차 혼합된다. 혼합 유체는 금속 흡착재로서, 다수의 실리콘 칩을 수용한 용기로 이루어지는 금속 칩을 통과함으로써, 잔존 금속이 제거된다.-
公开(公告)号：KR1020070018894A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：KR1020067019763
申请日：2005-06-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명은 웨이퍼(W)를 대략 수평 자세로 회전시키면서 2 유체 또는 고압 제트수 또는 메가 소닉수를 공급하여 웨이퍼(W)를 처리하고, 이들 세정 유체의 공급을 정지한 후에 순수에 의한 린스 처리를 경유하지 않으며, 웨이퍼(W)를 이들 세정 유체의 공급시보다 고속으로 회전시켜서 웨이퍼(W)를 건조시킨다.
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