公开(公告)号：KR1020130065647A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：KR1020127028322

申请日：2011-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도노에가즈히토 ,  세리오프랭크엠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76829

Abstract: 본 발명은 금속-함유 캡층을 반도체 소자의 구리(Cu) 금속피복에 통합시키는 방법을 제공한다. 일 실시양태에서, 본 발명의 방법은 잔류물이 형성된 금속 표면 및 유전체층 표면을 포함하는 평면 패턴화 기판을 제공하는 단계, 평면 패턴화 기판으로부터 잔류물을 제거하는 단계, 및 유전체층 표면 및 금속 표면을 금속-함유 전구체 증기를 함유하는 증착 가스에 노출시켜 금속 표면 상에 선택적으로 금속-함유 캡층을 증착시키는 단계를 포함한다. 제거 단계는 잔류물을 포함하는 평면 패턴화 기판을 소수성 작용기를 함유하는 반응 가스로 처리하고, 처리된 평면 패턴화 기판을 환원 가스에 노출시키는 것을 포함한다.

公开(公告)号：KR101532814B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020117006624

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  세리오프랭크엠 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864

Abstract: 구리(Cu) 금속에서의일렉트로마이그레이션및 스트레스마이그레이션을개선하기위하여, 반도체디바이스에루테늄(Ru) 금속을증착시키기위한방법이제공된다. 본발명의실시예는, NH(x≤3) 라디칼과 H 라디칼에의해금속층과로우-k 유전체재료를갖는패턴형성기판을처리하는처리단계를포함하여, 로우-k 유전체재료에대하여금속층상에 Ru 금속캡층을선택적으로형성하는것을개선시킨다.

公开(公告)号：KR101862419B1

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：KR1020127028322

申请日：2011-03-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 도노에가즈히토 ,  세리오프랭크엠

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67207 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883

Abstract: 본발명은금속-함유캡층을반도체소자의구리(Cu) 금속피복에통합시키는방법을제공한다. 일실시양태에서, 본발명의방법은잔류물이형성된금속표면및 유전체층표면을포함하는평면패턴화기판을제공하는단계, 평면패턴화기판으로부터잔류물을제거하는단계, 및유전체층표면및 금속표면을금속-함유전구체증기를함유하는증착가스에노출시켜금속표면상에선택적으로금속-함유캡층을증착시키는단계를포함한다. 제거단계는잔류물을포함하는평면패턴화기판을소수성작용기를함유하는반응가스로처리하고, 처리된평면패턴화기판을환원가스에노출시키는것을포함한다.

公开(公告)号：KR1020110081155A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：KR1020117006624

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  세리오프랭크엠 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864

Abstract: 구리(Cu) 금속에서의일렉트로마이그레이션및 스트레스마이그레이션을개선하기위하여, 반도체디바이스에루테늄(Ru) 금속을증착시키기위한방법이제공된다. 본발명의실시예는, NH(x≤3) 라디칼과 H 라디칼에의해금속층과로우-k 유전체재료를갖는패턴형성기판을처리하는처리단계를포함하여, 로우-k 유전체재료에대하여금속층상에 Ru 금속캡층을선택적으로형성하는것을개선시킨다.