公开(公告)号：KR101532814B1

公开(公告)日：2015-06-30

申请号：KR1020117006624

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  세리오프랭크엠 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864

Abstract: 구리(Cu) 금속에서의일렉트로마이그레이션및 스트레스마이그레이션을개선하기위하여, 반도체디바이스에루테늄(Ru) 금속을증착시키기위한방법이제공된다. 본발명의실시예는, NH(x≤3) 라디칼과 H 라디칼에의해금속층과로우-k 유전체재료를갖는패턴형성기판을처리하는처리단계를포함하여, 로우-k 유전체재료에대하여금속층상에 Ru 금속캡층을선택적으로형성하는것을개선시킨다.

公开(公告)号：KR101434033B1

公开(公告)日：2014-08-25

申请号：KR1020120107787

申请日：2012-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키 ,  고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: 본 발명의 과제는 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시키고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것이다. 본 발명의 마그네트론 스퍼터 장치는 진공용기(2)내에 탑재된 웨이퍼(10)에 대향하도록 타겟(31)을 배치하고, 이 타겟(31)의 배면측에 마그네트 배열체(5)를 마련한다. 이 마그네트 배열체(5)는 마그네트(61, 62)가 매트릭스형상으로 배열된 내측 마그네트군(54)과, 이 내측 마그네트군(54)의 주위에 마련되고, 전자의 튀어나감을 저지하는 리턴용의 마그네트(53)를 구비하고 있다. 이에 따라 타겟(31)의 바로 아래에 커스프 자계에 의한 전자의 드리프트에 의거하여 고밀도의 플라즈마가 발생하고, 또 이로전의 면내 균일성이 높아진다. 이 때문에 타겟(31)과 웨이퍼(10)를 접근시켜 스퍼터를 실행할 수 있고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막 효율을 향상시킬 수 있는 동시에, 타겟의 사용 효율이 높아진다.

公开(公告)号：KR101356918B1

公开(公告)日：2014-01-28

申请号：KR1020120116441

申请日：2012-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345

Abstract: 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 성막속도를 높이고, 타겟의 사용 효율을 향상시키는 것에 대한 것이다. 타겟(31)의 배면측에 마련된 마그네트 배열체(5)는 양단이 서로 이극인 봉형상 마그네트(6)가 그물코형상으로 배치되며, 그물코의 교점에서, 봉형상 마그네트(6)의 단면에 둘러싸이는 영역에는 투자성의 코어 부재(7)를 마련하도록 구성되어 있다. 봉형상 마그네트(6)의 양단의 극으로부터의 자속이 코어 부재(7)를 통해 나가기 때문에, 인접하는 봉형상 마그네트(6)끼리의 자속의 반발이 억제되어 자속선의 왜곡이 억제되고, 수평 자장이 넓은 범위에서 형성된다. 이 때문에, 고밀도의 플라즈마가 광범위하게 균일하게 형성되고, 성막속도의 면내 균일성을 확보하면서, 빠른 성막속도가 얻어진다. 또한, 타겟(31)의 이로전의 면내 균일성이 양호하며, 이로전이 균일성을 갖고 진행하기 때문에, 타겟(31)의 사용 효율이 높아진다.

公开(公告)号：KR1020130046360A

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：KR1020120116441

申请日：2012-10-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/345

Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering device is provided to improve film formation speed by forming a magnet alignment structure in a basic body. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target(31). A basic body is formed in the rear part of the target. A magnet alignment structure(5) includes a group(52) of magnets in the basic body. The magnets are arranged with a network. A core member is formed in the region surrounded by a magnet cross section.

Abstract translation: 目的：提供磁控溅射装置，通过在基体中形成磁体对准结构来提高成膜速度。 构成：电源单元向目标电压施加电压（31）。 在目标的后部形成一个基本体。 磁体对准结构（5）包括基体中的一组磁体（52）。 磁铁配有网络。 在由磁体横截面包围的区域中形成芯构件。

公开(公告)号：KR1020130035924A

公开(公告)日：2013-04-09

申请号：KR1020120107787

申请日：2012-09-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  도시마히로유키 ,  고미아츠시 ,  미야시타데츠야 ,  하타노다츠오 ,  미즈사와야스시

IPC: H01L21/203

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/32688 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3452 ,  H01J37/3455

Abstract: PURPOSE: A magnetron sputtering system and a method thereof are provided to uniformly form high density plasma by linearly arranging magnets formed in the outermost part. CONSTITUTION: A power supply unit applies voltage to a target. A magnet arrangement body(5) arranges a magnet group(52) in a basic body. A rotation tool rotates the arrangement body around a substrate. A magnet positioned in the outermost part of the magnet group is linearly arranged. The distance between the substrate and the target is 30 mm or less.

Abstract translation: 目的：提供磁控溅射系统及其方法，通过直线排列形成在最外部的磁体来均匀地形成高密度等离子体。 构成：电源单元向目标电压施加电压。 磁体排列体（5）将磁体组（52）布置在基体内。 旋转工具使布置体围绕衬底旋转。 位于磁体组的最外部的磁体线性排列。 基板与靶之间的距离为30mm以下。

公开(公告)号：KR1020110081155A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：KR1020117006624

申请日：2009-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 미즈노시게루 ,  세리오프랭크엠 ,  이시자카다다히로

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76814 ,  C23C16/0236 ,  C23C16/16 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864

Abstract: 구리(Cu) 금속에서의일렉트로마이그레이션및 스트레스마이그레이션을개선하기위하여, 반도체디바이스에루테늄(Ru) 금속을증착시키기위한방법이제공된다. 본발명의실시예는, NH(x≤3) 라디칼과 H 라디칼에의해금속층과로우-k 유전체재료를갖는패턴형성기판을처리하는처리단계를포함하여, 로우-k 유전체재료에대하여금속층상에 Ru 금속캡층을선택적으로형성하는것을개선시킨다.