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公开(公告)号：KR1020210006499A
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020210003399
申请日：2021-01-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324 , C23C16/455
Abstract: 본발명은 ALD를베이스로한 성막방법을이용하여양호한막질의질화막을보다저온에서성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것을과제로한다. 챔버내에서기판상에질화막을성막하는성막방법은, 기판상에질화막을구성하는금속원소를포함하는원료가스를공급하는단계및 잔류가스를퍼지하는단계를포함하는원료가스흡착공정과, 기판상에질화가스를공급하는단계및 잔류가스를퍼지하는단계를포함하는질화공정을반복해서행하고, 질화가스의일부또는전부로서히드라진계화합물가스를공급한다.
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