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公开(公告)号：KR1020120029350A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020110092878
申请日：2011-09-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192
Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and method are provided to stabilize plasma formed in a treatment basin by forming a spreading projection part leaving an interval between dielectric plates. CONSTITUTION: A spreading projection part(60B) is projected from a treatment basin(1) or a contract support part(60A) toward a plasma generation space while leaving an interval between dielectric plates. The spreading projection part constitutes at least a part of a second electrode. The second electrode and a first electrode make a pair leaving the plasma generation space in interval. A space is formed between an upper side of the spreading projection part and a lower side of the dielectric plate.
Abstract translation: 目的：提供一种等离子体处理装置和方法，用于通过形成在电介质板之间留下间隔的扩展突出部来稳定处理池中形成的等离子体。 构成：在处理池（1）或收缩支撑部分（60A）之间朝向等离子体产生空间投射扩展投影部分（60B），同时留下介质板之间的间隔。 扩展突起部分构成第二电极的至少一部分。 第二电极和第一电极在间隔中留下等离子体产生空间。 在扩展突起部的上侧和电介质板的下侧之间形成有空间。
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公开(公告)号：KR1020100127803A
公开(公告)日：2010-12-06
申请号：KR1020107021754
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32633
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 산화 처리 장치(100)에서는 탑재대(5)에 대해서 대향 전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 내주의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막으로서의 실리콘막(48)이 코팅되어 있다. 실리콘막(48)에 인접해서 제 2 용기(3) 및 제 1 용기(2)의 내면에는 상부 라이너(49a) 및 이것보다 두껍게 형성된 하부 라이너(49b)가 마련되고, 이들 부위로의 단락이나 이상 방전이 방지되고, 적정한 고주파 전류 경로가 형성되어서 전력 소비 효율이 향상된다.
Abstract translation: 等离子体氧化装置100用于向埋设在载置台5上的电极7供给偏压用的高频电力，并且具有作为相对于载置台5的对置电极发挥功能的铝盖部27 在暴露于内周等离子体的表面上涂覆作为保护膜的硅膜48。 在第二容器3和第一容器2的与硅膜48相邻的内表面上设置有形成得比上衬里49a更厚的上衬里49a和下衬里49b， 防止放电并形成适当的高频电流路径，由此提高功耗效率。
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公开(公告)号：KR1020120069755A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020127011264
申请日：2010-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/318 , H01L29/788
CPC classification number: C23C8/36 , C23C8/04 , H01J37/32082 , H01J2237/3387 , H01L21/0217 , H01L21/02247 , H01L21/28273 , H01L21/3211 , H01L21/76224 , H01L21/76232 , H01L27/11521 , H01L29/513 , H01L29/7881
Abstract: 실리콘 표면과 실리콘 화합물층이 노출된 피처리체에 대해, 선택적으로 실리콘을 높은 질화 레이트와 높은 질소 도즈량으로 플라즈마 질화 처리하는 방법이 제공된다. 선택적 플라즈마 질화 처리는 처리 압력을 66.7Pa이상 667Pa이하의 범위내로 설정하고, 탑재대(2)의 전극(42)에 고주파 전원(44)으로부터 피처리체의 면적당 0.1W/㎠ 이상 1.2W/㎠ 이하의 고주파 전력을 공급하여 실행한다. 이 고주파 전력에 의해서 웨이퍼(W)에 바이어스 전압이 인가되고, 높은 Si/SiO
2 선택비가 얻어진다.-
公开(公告)号：KR1020210006499A
公开(公告)日：2021-01-18
申请号：KR1020210003399
申请日：2021-01-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/324 , C23C16/455
Abstract: 본발명은 ALD를베이스로한 성막방법을이용하여양호한막질의질화막을보다저온에서성막할수 있는성막방법및 성막장치를제공하는것을과제로한다. 챔버내에서기판상에질화막을성막하는성막방법은, 기판상에질화막을구성하는금속원소를포함하는원료가스를공급하는단계및 잔류가스를퍼지하는단계를포함하는원료가스흡착공정과, 기판상에질화가스를공급하는단계및 잔류가스를퍼지하는단계를포함하는질화공정을반복해서행하고, 질화가스의일부또는전부로서히드라진계화합물가스를공급한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101317018B1
公开(公告)日：2013-10-11
申请号：KR1020107021754
申请日：2009-03-31
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32623 , H01J37/32091 , H01J37/32559 , H01J37/32633
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 산화 처리 장치(100)에서는 탑재대(5)에 대해서 대향 전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 내주의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막으로서의 실리콘막(48)이 코팅되어 있다. 실리콘막(48)에 인접해서 제 2 용기(3) 및 제 1 용기(2)의 내면에는 상부 라이너(49a) 및 이것보다 두껍게 형성된 하부 라이너(49b)가 마련되고, 이들 부위로의 단락이나 이상 방전이 방지되고, 적정한 고주파 전류 경로가 형성되어서 전력 소비 효율이 향상된다.
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公开(公告)号：KR101256120B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110092878
申请日：2011-09-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192
Abstract: 피처리체를 재치(載置)하는 재치대의 전극으로 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 방식의 플라즈마 처리 장치에서, 플라즈마 전위의 진동을 억제하고, 안정적인 플라즈마를 생성시키고, 또한 금속제의 대향 전극의 스퍼터링에 의한 콘태미네이션의 발생을 방지한다. 덮개 부재(27)의 내주측에는 확장 돌출부(60)가 형성되어 있다. 확장 돌출부(60)는 플라즈마 생성 공간(S)을 향하여 형성되어 있고, 재치대(5)의 전극(7)에 대하여 플라즈마 생성 공간(S)을 사이에 두고 쌍을 이루는 대향 전극으로서 기능하는 주요 부분이다. 바이어스용 전극 면적에 대한 대향 전극 표면적의 비(대향 전극 표면적/바이어스용 전극 면적)는 1 이상 5 이하의 범위 내가 바람직하다.
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公开(公告)号：KR101258005B1
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020117007322
申请日：2009-09-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/31 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32559 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32192
Abstract: 탑재대(5)에 매설된 전극(7)에 바이어스용의 고주파 전력을 공급하는 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 전극으로서의 탑재대(5)에 대해 대향전극으로서 기능하는 알루미늄제의 덮개부(27)의 플라즈마에 노출되는 표면에, 보호막(48), 바람직하게는 Y2O3막(48)이 코팅되어 있다. 처리용기(1)의 하측 부분을 이루는 제 1 부분(2)과 처리 용기(1)의 상측 부분을 이루는 제 2 부분(3)에는 절연성의 상부 라이너(49a)와, 더욱 두툼하게 형성된 절연성의 하부 라이너(49b)가 마련되어 있다. 바람직하지 않은 단락 및 이상 방전이 방지되고, 안정된 고주파 전류 경로가 형성된다.
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公开(公告)号：KR101249611B1
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：KR1020107017810
申请日：2009-01-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/316 , H01L21/76
CPC classification number: H01L27/11521 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01L21/02238 , H01L21/28211 , H01L21/31662 , H01L21/32105 , H01L21/76235 , H01L21/823468 , H01L29/42372 , H01L29/7881
Abstract: 본 발명은 요철 형상을 갖는 실리콘의 산화 처리에 있어서, 측벽에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께를 바닥부에 비해서 매우 얇게 형성하는 것을 과제로 한다.
복수의 마이크로파 방사 구멍(32)을 갖는 평면 안테나판(31)에 의해 챔버(1) 내에 마이크로파를 도입하는 플라즈마 처리 장치(100)를 이용하고, 배치대(2)에 고주파 전력을 인가하면서, 처리 가스 내의 산소 비율이 0.1％ 이상 50％ 이하의 범위 내이며, 또한 처리 압력이 1.3 ㎩ 이상 667 ㎩ 이하의 범위 내인 조건에서 플라즈마를 생성시킨다. 이 플라즈마에 의해, 웨이퍼(W) 상에 형성된 요철 형상의 실리콘의 측벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와, 오목부의 바닥벽면에 형성되는 실리콘 산화막의 막 두께와의 비[측벽면의 막 두께/바닥벽면의 막 두께]가 0.6 이하의 범위 내가 되도록 한다.
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