公开(公告)号：KR1020140068118A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147008422

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키네다카유키 ,  사사키마사루 ,  마츠모토나오키 ,  신푸쿠에이이치로우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 산화실리콘막의 질화실리콘막에 대한 선택비를 높게 할 수 있는 에칭 방법 및 장치를 제공한다. 처리 용기(10)에, 플라즈마 여기용 가스 및 CHF계 가스를 포함하는 처리 가스를, CHF계 가스의 플라즈마 여기용 가스에 대한 유량비가 1/15 이상이 되도록 도입한다. 처리 용기(10)내에 플라즈마를 발생시키는 것에 의해, 처리 용기(10)내의 기판 W에 형성된 산화실리콘막(5)을 상기 질화실리콘막(1)에 대해서 선택적으로 에칭한다.

公开(公告)号：KR101982366B1

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：KR1020147008422

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키네다카유키 ,  사사키마사루 ,  마츠모토나오키 ,  신푸쿠에이이치로우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768