公开(公告)号：KR101430093B1

公开(公告)日：2014-09-22

申请号：KR1020127023123

申请日：2011-03-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  모야마카즈키 ,  이노우에마사키 ,  노토요코

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7833

Abstract: 하지(base)가 되는 실리콘이나 실리콘 산화막에 대한 실리콘 질화막의 선택비를 높일 수 있는 플라즈마 에칭 방법을 제공한다. 처리 용기(1) 내에 처리 가스를 공급하면서 처리 가스를 배기하여 처리 용기(1) 내의 압력을 소정값으로 설정하고, 처리 가스에 외부 에너지를 공급하여 플라즈마를 생성하며, 처리 용기(1) 내의 기판이 올려놓여지는 재치대(10)에 인가하는 바이어스를 소정값으로 설정함으로써, 실리콘 질화막을 실리콘 및/또는 실리콘 질화막에 대하여 선택적으로 에칭하는 플라즈마 에칭 방법에 있어서, 처리 가스는, 플라즈마 여기용 가스, CHxFy 가스, 그리고 O
2 , CO
2 , CO의 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 산화성 가스를 포함하고, CHxFy 가스에 대한 산화성 가스의 유량비를 4/9 이상으로 설정한다.

公开(公告)号：KR1020140068118A

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：KR1020147008422

申请日：2012-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 세키네다카유키 ,  사사키마사루 ,  마츠모토나오키 ,  신푸쿠에이이치로우

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069

Abstract: 산화실리콘막의 질화실리콘막에 대한 선택비를 높게 할 수 있는 에칭 방법 및 장치를 제공한다. 처리 용기(10)에, 플라즈마 여기용 가스 및 CHF계 가스를 포함하는 처리 가스를, CHF계 가스의 플라즈마 여기용 가스에 대한 유량비가 1/15 이상이 되도록 도입한다. 처리 용기(10)내에 플라즈마를 발생시키는 것에 의해, 처리 용기(10)내의 기판 W에 형성된 산화실리콘막(5)을 상기 질화실리콘막(1)에 대해서 선택적으로 에칭한다.

公开(公告)号：KR1020140016433A

公开(公告)日：2014-02-07

申请号：KR1020147001310

申请日：2010-10-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

Abstract: 반도체 디바이스를 제조하는 방법은, 게이트 절연막을 개재하여 기판의 표면에 게이트 전극을 형성하는 게이트 전극 형성 단계; 게이트 전극의 측면에 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계; 및 기판의 표면에 산소 플라즈마를 노출하는 플라즈마 노출 단계를 포함한다. 절연막 형성 단계에서, 플루오르 탄소를 포함하는 증착물이 발생하고, 플라즈마 노출 단계에서 기판의 표면에 산소 플라즈마를 노출함으로써 증착물이 제거된다. 기판의 표면의 근방의 산소 플라즈마의 전자 온도(electron temperature)는 1.5eV 이하이고, 산소 플라즈마는 100mtorr 이상 200mtorr 이하의 압력으로 조사(flash)된다.

Abstract translation: 一种制造半导体器件的方法包括：经由栅极绝缘膜在衬底的表面上形成栅电极; 在栅电极的侧表面上形成绝缘膜; 以及使氧等离子体暴露于衬底表面的等离子体暴露步骤。 在绝缘膜形成步骤中，生成包含碳氟化合物的沉积物，并且在等离子体暴露步骤中通过将氧等离子体暴露于基板的表面来去除沉积材料。 在所述衬底的所述表面附近的氧的等离子体电子温度（电子温度）是具有小于100毫托200mtorr的压力小于或等于1.5电子伏特至氧等离子体照射（闪烁）。

公开(公告)号：KR101163816B1

公开(公告)日：2012-07-09

申请号：KR1020087006948

申请日：2006-09-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185

Abstract: 선택적 플라즈마 처리 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리실 내에서, 표면에 실리콘과 질화실리콘층을 가지는 피 처리체에 대하여 산소함유 플라즈마를 작용시켜 실리콘을 선택적으로 산화 처리하여, 형성되는 실리콘 산화막의 막두께에 대하여, 질화실리콘층 안에 형성되는 실리콘산질화막의 막두께의 비율이, 20% 이하가 되도록 한다.

公开(公告)号：KR101094980B1

公开(公告)日：2011-12-20

申请号：KR1020090016156

申请日：2009-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  니시즈카테츠야 ,  사사키마사루

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/3343 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 플라즈마 발화성을 향상시키고, 또한 적절히 플라즈마 처리를 행할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 플라즈마 처리 장치(11)는, 처리 용기(12) 내에 배치되고, 그 위에 피처리 기판(W)을 유지하는 유지대(14)와, 유지대(14)와 대향하는 위치에 배치되어, 마이크로파를 처리 용기(12) 내로 도입하는 유전판(16)과, 도입된 마이크로파에 의하여 처리 용기(12) 내에 전계를 발생시킨 상태에서 플라즈마 발화하고, 처리 용기(12) 내에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발화 수단과, 유지대(14)와 유전판(16)과의 간격을 제 1 간격으로 변경하고, 플라즈마 발화 수단을 작동시켜, 유지대(14)와 유전판(16)과의 간격을 제 1 간격과는 다른 제 2 간격으로 변경하고, 반도체 기판(W)으로의 플라즈마 처리를 행하도록 제어하는 승강 기구(18)을 포함하는 제어부(20)를 구비한다.

公开(公告)号：KR100914542B1

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：KR1020077004453

申请日：2006-01-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/28247 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/32105

Abstract: 반도체 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 이 게이트 절연막상에 적어도 폴리실리콘층 및 고융점 금속을 포함하는 금속층을 포함하는 적층체를 형성하는 공정과, 이 적층체를 에칭 처리하여 게이트 전극을 형성하는 공정과, 복수의 슬롯을 갖는 평면 안테나로 처리실 내에 마이크로파를 도입하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 처리 장치에 의해, 처리 압력 133.3 내지 1333 Pa, 처리 온도 250 내지 800℃에서, 적어도 수소 가스와 산소 가스를 포함하는 처리 가스를 이용하여 플라즈마 처리를 행하여, 상기 게이트 전극중의 폴리실리콘층을 선택적으로 산화하는 공정을 행한다.

公开(公告)号：KR1020090086356A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：KR1020090009977

申请日：2009-02-06

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠모토나오키 ,  요시카와쥰 ,  사사키마사루 ,  카토카즈유키 ,  시카타마사후미 ,  타카하시신고

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/30 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/332 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: A plasma processing apparatus is provided to improve plasma ignition and ignition stability by arranging a slot to a vertical top direction of a tilted surface. A plasma processing apparatus(11) includes a processing vessel(12) having a top opening, a dielectric(15), and an antenna(24). The dielectric has a tilted surface, and is arranged in order to close the top opening of the processing vessel. The tilted surface is tilted in order to consecutively change a thickness size of a bottom surface. The antenna is arranged on a top surface of the dielectric. The antenna generates plasma on the bottom surface of the dielectric by supplying a microwave to the dielectric. The antenna has a plurality of slots positioned in a vertical top direction of the tilted surface.

Abstract translation: 提供了一种等离子体处理装置，用于通过将倾斜表面的垂直顶部方向布置成槽来改善等离子体点火和点火稳定性。 等离子体处理装置（11）包括具有顶部开口的处理容器（12），电介质（15）和天线（24）。 电介质具有倾斜表面，并且被布置成封闭处理容器的顶部开口。 倾斜的表面倾斜以连续地改变底面的厚度尺寸。 天线布置在电介质的顶表面上。 天线通过向电介质提供微波在电介质的底表面上产生等离子体。 天线具有位于倾斜表面的垂直顶部方向上的多个狭槽。

公开(公告)号：KR100906516B1

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：KR1020077006120

申请日：2005-09-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이데신지 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31633 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3127 ,  H01L21/31695

Abstract: 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 서셉터(2)의 윗쪽에는 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)가 마련되어 있다. 상측 플레이트(60) 및 하측 플레이트(61)는 석영 등의 내열성 절연체로 구성되고, 소정 간격, 예컨대 5mm의 간격을 두고 서로 이격되어 평행하게 배치되어 있고, 복수의 관통 구멍(60a 또는 61a)을 갖고 있다. 2장의 플레이트를 중첩한 상태로, 하측 플레이트(61)의 관통 구멍(61a)과 상측 플레이트(60)의 관통 구멍(60a)이 겹치지 않도록 위치를 어긋나게 해서 형성되어 있다.

Abstract translation: 在等离子体处理装置100中，在基座2的上方设置有上板60和下板61。 上板60和下板61由诸如石英的耐热绝缘体制成，并且彼此平行且间隔开预定间隔（例如5mm），并且具有多个通孔60a或61a 有。 下板61的通孔61a和上板60的通孔60a在两个板重叠的状态下彼此偏移以不相互重叠。

公开(公告)号：KR1020060061843A

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：KR1020067003433

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。

公开(公告)号：KR1020060006096A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：KR1020057022905

申请日：2004-05-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  다다요시히데 ,  나카무라겐지 ,  오자키시게노리 ,  나카니시도시오 ,  사사키마사루 ,  마츠야마세이지 ,  하세베가즈히데 ,  나카지마시게루 ,  후지와라도모노리

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02112 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: Disclosed is a method for overcoming deterioration in characteristics of insulating films due to carbon, a suboxide, a dangling bond or the like contained in a gate insulating film of a MOSFET or an interelectrode insulating film of a capacitor in a memory device, thereby improving the characteristics of the insulating film. An insulating film is subjected to a modification treatment wherein a plasma treatment using a plasma produced from a process gas containing a noble gas and a thermal annealing treatment are combined.

Abstract translation: 公开了一种克服由于存储器件中的MOSFET或电容器的栅极绝缘膜中包含的碳，低氧化物，悬空键等引起的绝缘膜的特性劣化的方法，从而改善了 绝缘膜的特性。 对绝缘膜进行改性处理，其中使用由含有惰性气体和热退火处理的工艺气体产生的等离子体处理组合。