公开(公告)号：KR100538863B1

公开(公告)日：2005-12-23

申请号：KR1020010021912

申请日：2001-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이와도시후미 ,  세키자와슈에이 ,  이마후쿠고스케 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 에칭 장치는 기밀한 처리실 내에 배치된 재치대를 포함한다. 재치대는 웨이퍼를 재치하는 주재치면과, 포커스 링을 재치하는 부재치면을 갖는다. 재치대 내에는 주재치면 및 부재치면에 냉열을 부여하기 위한 냉각 기구가 배치된다. 부재치면과 포커스 링 사이에 도전성 실리콘 고무로 구성되는 열전달 매체가 개재된다. 가압 기구에 의해 포커스 링이 부재치면을 향하여 가압된다. 열전달 매체는 열전달 매체가 없는 경우보다도 부재치면과 포커스 링 사이의 열전도성을 높인다.

公开(公告)号：KR1020010098814A

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：KR1020010021912

申请日：2001-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이와도시후미 ,  세키자와슈에이 ,  이마후쿠고스케 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 에칭 장치는 기밀한 처리실 내에 배치된 재치대를 포함한다. 재치대는 웨이퍼를 재치하는 주재치면과, 포커스 링을 재치하는 부재치면을 갖는다. 재치대 내에는 주재치면 및 부재치면에 냉열을 부여하기 위한 냉열 기구가 배치된다. 부재치면과 포커스 링 사이에 도전성 실리콘 고무로 구성되는 열전달 매체가 개재된다. 가압 기구에 의해 포커스 링이 부재치면을 향하여 가압된다. 열전달 매체는 열전달 매체가 없는 경우보다도 부재치면과 포커스 링 사이의 열전도성을 높인다.