公开(公告)号：KR100491945B1

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：KR1020000047118

申请日：2000-08-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오야부준

IPC: H01L21/30

CPC classification number: H01L21/67017 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 미립자의 발생량이 적고, 플라즈마를 피처리체에 균일하게 도입할 수 있는 플라즈마 처리 장치를 제공한다.
에칭 장치(100)의 처리실(102) 내에는 한 쌍의 상부 및 하부 전극(118, 106)이 배치되어 있다. 상부 전극(118)의 주연부는 제 1 환상체(122)에 의해 피복되고, 그 주위에 원통형상체(124)가 설치된다. 하부 전극(106)의 주위에는 제 2 환상체(116)가 설치된다. 하부 전극(106)을 처리 위치에 배치하면, 제 2 환상체(116)가 원통형상체(124)의 내측에 배치되고, 플라즈마 공간(102a)이 형성된다. 원통형상체(124)와 제 2 환상체(116) 사이에는 배기 경로(142)가 형성된다. 원통형상체(124)와 제 2 환상체(116) 사이의 간격은, 플라즈마 공간(102a)내의 컨덕턴스 값보다도 배기 경로(142)내의 가스의 컨덕턴스 값이 크게 되도록 설정된다. 원통형상체(124), 제 1 및 제 2 환상체(122, 116)는 플라즈마에 의해 가열된다.

公开(公告)号：KR1020010039877A

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：KR1020000053675

申请日：2000-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  오야부준 ,  다케우치히데키 ,  고시이시아키라

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32165

Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for processing a plasma are provided to reduce the charge-up damage in the plasma processing method. CONSTITUTION: In a parallel flat plate plasma processing apparatus, before ignition of a plasma, such a bias at a frequency at which the plasma is not ignited is applied to an electrode which holds a substrate to be processed. At the time of plasma quenching, the plasma is quenched in the condition of the bias applied to the electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的方法和装置，以减少等离子体处理方法中的充电损伤。 构成：在平行平板等离子体处理装置中，在点火等离子体之前，将等离子体未点燃的频率的偏压施加到保持待处理基板的电极。 在等离子体淬火时，等离子体在施加于电极的偏压条件下淬火。

公开(公告)号：KR1020110140102A

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：KR1020110061214

申请日：2011-06-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와다노부히로 ,  고바야시마코토 ,  츠지모토히로시 ,  다무라준 ,  나오이마모루 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32 ,  H01J37/04 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01J37/04 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/32136

Abstract: PURPOSE: A substrate processing method and an apparatus thereof are provided to uniformly distribute plasma with uniform density in a processing space, thereby performing a uniform plasma processing process on a substrate. CONSTITUTION: A susceptor(12) is arranged within a chamber. A wafer is placed on the susceptor. An upper electrode is arranged in the susceptor by facing the susceptor. A second high frequency power source is connected to the susceptor. The upper electrode is electrically connected to a ground(36). The upper electrode is able to move with respect to the susceptor. A dielectric material(26) is buried in the upper electrode. The voltage difference between the ground and plasma generated in a processing space is separated into the voltage difference between the plasma and dielectric material and the voltage difference between the dielectric material and ground.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理方法及其装置，用于在处理空间中均匀分布均匀分布的等离子体，从而对基板进行均匀的等离子体处理。 构成：一个基座（12）设置在一个室内。 将晶片放置在基座上。 上部电极通过面对基座设置在基座中。 第二高频电源连接到基座。 上电极电连接到地（36）。 上电极能够相对于基座移动。 电介质材料（26）被埋在上电极中。 在处理空间中产生的接地和等离子体之间的电压差被分离成等离子体和电介质材料之间的电压差以及介电材料和地面之间的电压差。

公开(公告)号：KR101060774B1

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：KR1020090018609

申请日：2009-03-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히다츠요시 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32724

Abstract: 본 발명은 전극층의 전역을 적절하게 온도 제어할 수 있는 전극 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 에칭을 기판에 실시하는 처리실(17)을 구비하는 기판 처리 장치(10)는 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하고 또한 처리실(17)내에 고주파 전압을 인가하는 서셉터(12)와 대향하도록 배치되어 있는 상부 전극 유닛으로서의 샤워헤드(29)를 구비하고, 해당 샤워헤드(29)는 처리실(17)측으로부터 차례로 배치된, 처리실(17)내에 노출되는 전극층(32), 가열층(33) 및 냉각층(34)을 갖고, 가열층(33)은 전극층(32)을 전면적으로 덮는 동시에, 냉각층(34)은 가열층(33)을 거쳐서 전극층(32)을 전면적으로 덮고, 가열층(33) 및 냉각층(34)의 사이에는 전열 가스가 충전되는 전열층(36)이 배치된다.

公开(公告)号：KR100842452B1

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：KR1020070023815

申请日：2007-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 이상 방전의 발생이나, 조립 및 유지 보수의 번잡함을 초래하는 일 없이, 플라즈마 밀도의 균일화를 도모할 수 있어, 면내균일성이 양호한 플라즈마 처리를 할 수 있는 플라즈마 처리 장치용 전극 어셈블리 및 플라즈마 처리 장치를 제공한다. 전극 표면부재(32), 스페이서(37), 쿨링 플레이트(34) 및 전극지지체(33)에 의해서, 플라즈마 처리 장치용 전극 어셈블리가 구성되어 있다. 이들 전극 표면부재(32), 스페이서(37), 쿨링 플레이트(34) 중 적어도 하나가, 금속기복합재로 이루어지고, 중앙부가 주변부보다 높은 전기 저항치를 가지는 전기 저항치의 분포를 가지는 판형상부재로 되어 있다.

公开(公告)号：KR1020010098814A

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：KR1020010021912

申请日：2001-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이와도시후미 ,  세키자와슈에이 ,  이마후쿠고스케 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 에칭 장치는 기밀한 처리실 내에 배치된 재치대를 포함한다. 재치대는 웨이퍼를 재치하는 주재치면과, 포커스 링을 재치하는 부재치면을 갖는다. 재치대 내에는 주재치면 및 부재치면에 냉열을 부여하기 위한 냉열 기구가 배치된다. 부재치면과 포커스 링 사이에 도전성 실리콘 고무로 구성되는 열전달 매체가 개재된다. 가압 기구에 의해 포커스 링이 부재치면을 향하여 가압된다. 열전달 매체는 열전달 매체가 없는 경우보다도 부재치면과 포커스 링 사이의 열전도성을 높인다.

公开(公告)号：KR100823808B1

公开(公告)日：2008-04-21

申请号：KR1020000053675

申请日：2000-09-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  오야부준 ,  다케우치히데키 ,  고시이시아키라

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32165

Abstract: 플라즈마 처리 방법은 기판을 지지하는 제 1 전극에 저주파 바이어스를 공급하는 단계, 및 제 1 전극에 대향하는 제 2 전극에 고주파 전력을 공급하는 단계를 포함하며, 상기 저주파 바이어스는 기판 표면 상에 이온 시스(ion-sheath)를 형성하는데 충분한 전력으로 고주파 전력의 에너지에 의해 플라즈마를 시작하기 전에 제 1 전극에 공급된다.

公开(公告)号：KR100624273B1

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：KR1020000050635

申请日：2000-08-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오야부준

IPC: H01L21/18

CPC classification number: H01J37/32477 ,  H01J37/32743

Abstract: 본 발명은 플라즈마를 이용하여 피 처리체에 막 부착이나 에칭 처리를 하기 위한 챔버를 구비하고, 이 챔버에 마련된 피 처리체를 반입 반출하기 위한 챔버 게이트의 개구부 표면을 덮어, 플라즈마에 의해 작용하는 것을 방지하는 게이트 라이너를 장착한 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다. 또한, 챔버 게이트의 개구부의 깊이와, 그 짧은 방향 길이의 비인 게이트 종횡비가 상기 챔버 내에서의 애노드 영역과 캐소드 영역의 면적 비인 애노드/캐소드 비에 따라 게이트 공간에서의 이상 방전을 방지하도록 결정된다.

Abstract translation: 本发明利用等离子体和用于所处理的材料的膜的粘附性和蚀刻工艺的腔室，覆盖在该腔室中提供的腔室门，用于导出导入靶材料的开口表面，通过等离子体的功能 用于装备有栅极衬垫的等离子体处理设备。 此外，它是所述腔室门开口深度的确定的比率栅极纵横比，短边方向的长度，以便防止根据阳极区和在腔室中的阴极区的面积比阳极/阴极比率在栅极区域的异常放电。

公开(公告)号：KR100538863B1

公开(公告)日：2005-12-23

申请号：KR1020010021912

申请日：2001-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이와도시후미 ,  세키자와슈에이 ,  이마후쿠고스케 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 에칭 장치는 기밀한 처리실 내에 배치된 재치대를 포함한다. 재치대는 웨이퍼를 재치하는 주재치면과, 포커스 링을 재치하는 부재치면을 갖는다. 재치대 내에는 주재치면 및 부재치면에 냉열을 부여하기 위한 냉각 기구가 배치된다. 부재치면과 포커스 링 사이에 도전성 실리콘 고무로 구성되는 열전달 매체가 개재된다. 가압 기구에 의해 포커스 링이 부재치면을 향하여 가압된다. 열전달 매체는 열전달 매체가 없는 경우보다도 부재치면과 포커스 링 사이의 열전도성을 높인다.

公开(公告)号：KR100455091B1

公开(公告)日：2005-05-13

申请号：KR1019970066280

申请日：1997-12-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시이시아키라 ,  오야부준

IPC: H01L21/302

Abstract: (과제) 균일한 처리가 가능한 플라즈마 처리장치를 제공한다.
(해결수단) 본 발명에 의하면, 개구부(102b)내에 제1차폐부재(160) 및 유전부재(158)를 매개해서 소정의 주(周: turn)(예컨대, 1주)의 거의 고리모양의 고주파 안테나(156)를 설치했다. 그리고, 이 고주파 안테나(156)의 중점에 있어서 직렬공진이 일어나도록 접지측에 접속되어 있는 가변콘덴서(172)의 캐패시턴스가 조정된다. 이러한 구성에 의해, 플라즈마 생성공간에 소망하는 전계를 발생시켜서 고밀도 플라즈마를 생성시킬 수 있다. 또, 급전부재(126)는 그 거의 수직방향의 단면형상이 지수함수 r=f(L)로 표시되는 윤곽을 갖도록 형성되어 있다. 따라서, 절연파괴나 고주파전력의 감쇠 등이 생기는 일없이 상부전극(24)에 고주파전력을 공급할 수 있다.