公开(公告)号：KR100585436B1

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：KR1020047004313

申请日：2002-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스기야마노리카즈 ,  사에구사히데히토 ,  오카야마노부유키 ,  이무로슌이치 ,  이마후쿠고스케 ,  나가야마노부유키 ,  미츠하시고지 ,  나카야마히로유키 ,  후앙야후이

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: C03C15/02 ,  C03B29/025 ,  C03C19/00 ,  Y02P40/57

Abstract: A member of processing a quartz member for a plasma processing device capable of suppressing the production of particles at the beginning of the use thereof and the production of chips thereafter, the quartz member for the plasma processing device, and the plasma processing device having the quartz member mounted thereon, the method comprising the steps of removing a large number of cracks 155 produced, after a diamond grinding, in the quartz member 151 for the plasma processing device used for a shield ring and a focus ring by performing a surface processing with abrasive grains of, for example, #320 to 400 in grain size, and performing the surface processing by using abrasive grains of smaller grain size to remove ruptured layers 163 while maintaining irregularities capable of adhering and holding deposit thereto.

公开(公告)号：KR100349064B1

公开(公告)日：2003-01-24

申请号：KR1019940040232

申请日：1994-12-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스케 ,  다하라가즈히로 ,  쓰치야히로시 ,  도모야스마사유키 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  노나카료 ,  히로세게이조 ,  후카사와요시오 ,  고시이시아키라 ,  고바야시이사오

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32623

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a chamber, and an upper electrode and a lower electrode, parallelly provided in the chamber to oppose each other at a predetermined interval, for defining a plasma generation region between the electrodes. An object to be processed is mounted on the lower electrode. RF powers are supplied to the electrodes, so that a plasma generates between the electrodes, thereby performing a plasma process with respect to the object to be processed. A cylindrical ground electrode is provided around the plasma generation region in the chamber, for enclosing the plasma in the plasma generation region, and has a plurality of through holes for passing a process gas.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括腔室和平行地设置在腔室中以预定间隔彼此相对的上电极和下电极，用于限定电极之间的等离子体产生区域。 待处理物体安装在下电极上。 将RF功率提供给电极，使得在电极之间产生等离子体，由此对待处理的对象执行等离子体处理。 在腔室内的等离子体产生区域周围提供圆柱形接地电极，用于将等离子体封闭在等离子体产生区域中，并且具有用于使处理气体通过的多个通孔。

公开(公告)号：KR100302167B1

公开(公告)日：2001-11-22

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 전기적으로 접지된 챔버와, 챔버 내부에 위치한 제 1 의 전극과, 챔버 내부에 위치하고, 제 1 의 전극과 대면하며, 플라즈마 처리되는 피처리체가 위치되는 표면을 가지는 제 2 의 전극과, 플라즈마 생성용 가스를 제 1 의 전극이 위치한 영역으로부터 챔버 내로 공급하는 가스공급수단과, 챔버로부터 가스를 배기하며, 상기 가스공급수단과 함께 10 내지 250mTorr 내의 내부 압력이 되도록 챔버를 제어하는 배기수단과, 제 1 과 제 2 의 전극사이의 고주파 전계를 발생하기 위한 플라즈마 생성회로를 포함하여 구성되며,
상기 플라즈마 생성회로는 제 1 의 주파수 f
1 를 가지는 고주파신호를 생성하는 전원과, 제 1의 주파수 f
1 과 제 2의 주파수 f
1 /n와의 차이가 한자리수이내가 되도록 n을 선택하는 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파신호로부터 제 2 의 주파수 f
1 /n(n : 1보다 큰 정수)의 고주파 신호를 유도하기 위한 주파수 분배기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 고주파 신호를 증폭하기 위한 제 1 의 증폭기와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 고주파신호를 증폭하기 위한 제 2 의 증폭기와, 제 1 의 주파수 f
1 의 증폭된 고주파신호를 제 1 의 전극에 인가하기 위한 제 1 의 회로와, 제 2 의 주파수 f
1 /n의 증폭된 고주파신호를 제 2 의 전극에 인가하기 위한 제 2 의 회로를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019950015563A

公开(公告)日：1995-06-17

申请号：KR1019940028969

申请日：1994-11-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토다카오 ,  다하라가즈히로 ,  모모세켄지 ,  이마후쿠고스케 ,  엔도쇼스코 ,  나이토유키오 ,  나가세키가즈야 ,  히로세게이조

IPC: H01L21/263

Abstract: 플라즈마 처리장치는, 접지된 챔버와, 이 챔버내를 배기하는 진공펌프와, 웨이퍼가 얹어놓이는 서셉터와, 이 서셉터와 대면하도록 챔버내에 설치되는 샤워전극과, 이 샤워전극의 쪽으로부터 서셉터상의 웨이퍼체로 향하여 플라즈마 생성용 가스를 공급하는 가스 공급장치와, 서셉터 및 샤워전극의 양자에 대하여 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전압을 각각 인가하는 제1의 고주파 전원과, 서셉터 및 샤워전극의 적어도 한쪽에 대하여 제1의 주과수 f
l 보다 높은 주파수인 제2의 주파수 f
2 를 가지는 고주과 전압을 인가하는 제2의 고주파 전원과, 그의 일차측이 제1의 고주파 전원에 접속되고, 그의 이차측은 제1 및 제2의 전극의 각각에 접속된 트랜스와, 이 트랜스의 이차측의 회로에 설치되고, 플라즈마 생성중에 있어서의 제1의 주파수 f
l 의 고주파 전류는 과시키지만 제2의 주파수 f
2 의 고주파 전류는 차단하는 로우패스 필터를 가진다.

公开(公告)号：KR101685708B1

公开(公告)日：2016-12-12

申请号：KR1020100070312

申请日：2010-07-21

Applicant: 테크노 쿼츠 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호시노가츠토시 ,  가토마사히데 ,  우메츠야스히로 ,  이마후쿠고스케

IPC: C03B23/00 ,  C03B19/14 ,  C03B23/20 ,  C03B29/02

CPC classification number: C03B23/20 ,  C03B29/02 ,  Y02P40/57

Abstract: [과제] 본발명은, 예를들면반도체제조공정에사용되어소모열화된석영유리부재에대해, 세정전에디포지트나, 소모·열화상태를정밀하게체크하여오염상태에따른세정방법을결정하고, 모재로의손상을최대한억제하여세정한후, 디포지트의잔류를정밀하게체크하여재생가공전의석영유리부재를엄선하고, 합리적인재생을행하는동시에, 취성재료인석영유리부재의기계적강도를강화하여, 재생가공에있어서의화염처리의열응력과변형에의한파손을방지하는동시에, 석영유리부재의수율향상과유효이용을도모하여생산성을향상시켜, 품질의안정화와재생의합리화를도모할수 있는석영유리부재의재생방법을제공하는것을과제로한다. [해결수단] 상기과제를해결하기위해본 발명의석영유리부재의재생방법은, 소모또는오염열화된석영유리부재(1)의인수검사후, 상기석영유리부재(1)를세정하여디포지트(5)를제거하고, 오염열화부를수복하여재생하거나, 또는소모또는오염열화상황에따라상기세정후의석영유리부재(1)를화염처리가공하고, 소모또는오염열화부를수복하여재생하는석영유리부재의재생방법에있어서, 상기인수검사후의석영유리부재(1)에형광작용을나타내는소정파장의광선을조사하고, 상기석영유리부재(1)와디포지트(5)의형광색의차에의해오염열화상황을검사하여, 상기석영유리부재(1)의세정방법을결정하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 提供一种翻新由于在用于半导体制造的等离子体处理装置中连续使用而被污染和侵蚀的石英玻璃部件的方法。 在该方法中，通过根据污染状态确定的适当的清洗方法除去石英玻璃成分上的表面沉积物，并且通过用预定波长的光照射仔细检查清洁部件上是否存在残留沉积物 引起荧光效应。 然后通过火焰处理和精密加工将石英玻璃部件的侵蚀部分恢复到原始状态。 结果，翻新方法可以增加石英玻璃组分的机械强度，通过有效利用石英玻璃的剩余材料来提高生产率和产率。

公开(公告)号：KR1020090081446A

公开(公告)日：2009-07-28

申请号：KR1020097014969

申请日：2001-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케

IPC: C23C4/04 ,  C23C16/44 ,  C23C4/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C4/00 ,  C23C4/01 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C16/4404

Abstract: A method for regenerating a container for plasma treatment, characterized in that, to a thermally sprayed coating comprising one of alumina, a rare earth metal oxide, a polyimide and polybenzimidazole, which has been deteriorated by the use in plasma, on the surface of a member inside a container for plasma treatment having a substrate and, applied thereon, the thermally sprayed coating, a material being the same as that for the deteriorated sprayed coating is re-sprayed. The method allows a container for plasma treatment having a surface deteriorated by the use in plasma to be generated into the one as good as new.

Abstract translation: 一种再生用于等离子体处理的容器的方法，其特征在于，对于通过在等离子体中使用而劣化的氧化铝，稀土金属氧化物，聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的一种的喷镀涂层， 用于等离子体处理的容器内的构件具有基底，并在其上施加喷涂的涂层，再次喷涂与劣化喷涂涂层相同的材料。 该方法允许具有通过在等离子体中使用的表面劣化的等离子体处理容器被产生到新的容器中。

公开(公告)号：KR1020010098814A

公开(公告)日：2001-11-08

申请号：KR1020010021912

申请日：2001-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이와도시후미 ,  세키자와슈에이 ,  이마후쿠고스케 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 에칭 장치는 기밀한 처리실 내에 배치된 재치대를 포함한다. 재치대는 웨이퍼를 재치하는 주재치면과, 포커스 링을 재치하는 부재치면을 갖는다. 재치대 내에는 주재치면 및 부재치면에 냉열을 부여하기 위한 냉열 기구가 배치된다. 부재치면과 포커스 링 사이에 도전성 실리콘 고무로 구성되는 열전달 매체가 개재된다. 가압 기구에 의해 포커스 링이 부재치면을 향하여 가압된다. 열전달 매체는 열전달 매체가 없는 경우보다도 부재치면과 포커스 링 사이의 열전도성을 높인다.

公开(公告)号：KR1020110013242A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：KR1020100070312

申请日：2010-07-21

Applicant: 테크노 쿼츠 가부시키가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 호시노가츠토시 ,  가토마사히데 ,  우메츠야스히로 ,  이마후쿠고스케

IPC: C03B23/00 ,  C03B19/14 ,  C03B23/20 ,  C03B29/02

CPC classification number: C03B23/20 ,  C03B29/02 ,  Y02P40/57 ,  C03B23/0086 ,  C03B19/1453 ,  C03B29/025

Abstract: PURPOSE: A method for recycling a quartz glass material is provided to recycle a quartz glass component which has been contaminated and eroded due to continuous use in a plasma process apparatus for semiconductor manufacturing. CONSTITUTION: A method of recycling a quartz glass component comprises: performing a receiving inspection of a contaminated or eroded and deteriorated quartz glass component(1); irradiating the quartz glass component with light of a predetermined wavelength to cause a fluorescence effect; determining a cleaning method of the quartz glass component by inspecting a contamination status from a difference in fluorescent color between the quartz glass component and a surface deposit(5); performing a predetermined cleaning process of the quartz glass component to remove the surface deposit depending on the contamination status; and restoring and recycling an eroded and deteriorated portion of the cleaned quartz glass component by a flame treatment.

Abstract translation: 目的：提供一种回收石英玻璃材料的方法，以循环利用在半导体制造的等离子体处理装置中由于连续使用而被污染和侵蚀的石英玻璃部件。 构成：回收石英玻璃部件的方法包括：对污染或侵蚀和劣化的石英玻璃部件（1）进行接收检查; 用预定波长的光照射石英玻璃组分以产生荧光效果; 通过从石英玻璃组分和表面沉积物（5）之间的荧光颜色差异检查污染状况来确定石英玻璃组分的清洁方法; 执行石英玻璃部件的预定清洁处理以根据污染状况去除表面沉积物; 并且通过火焰处理来恢复和再循环被清理的石英玻璃部件的腐蚀和劣化部分。

公开(公告)号：KR101005983B1

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：KR1020097014969

申请日：2001-12-07

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이마후쿠고스케

IPC: C23C4/04 ,  C23C16/44 ,  C23C4/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32862 ,  C23C4/00 ,  C23C4/01 ,  C23C4/11 ,  C23C4/12 ,  C23C16/4404

Abstract: 기재의 표면이 알루미나, 희토류 산화물, 폴리이미드 또는 폴리벤조이미다졸 중 어느 용사막에 의해 피복된 플라즈마 처리 용기의 내부 부재의, 플라즈마 중에서의 사용에 의해 열화된 용사막에, 상기 용사막과 동일한 재료를 재용사한다. 이로써, 플라즈마 중에서의 사용에 의해 표면이 열화된 플라즈마 처리 용기를 신품과 같이 재생하는 것이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100538863B1

公开(公告)日：2005-12-23

申请号：KR1020010021912

申请日：2001-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나가이와도시후미 ,  세키자와슈에이 ,  이마후쿠고스케 ,  오야부준

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 에칭 장치는 기밀한 처리실 내에 배치된 재치대를 포함한다. 재치대는 웨이퍼를 재치하는 주재치면과, 포커스 링을 재치하는 부재치면을 갖는다. 재치대 내에는 주재치면 및 부재치면에 냉열을 부여하기 위한 냉각 기구가 배치된다. 부재치면과 포커스 링 사이에 도전성 실리콘 고무로 구성되는 열전달 매체가 개재된다. 가압 기구에 의해 포커스 링이 부재치면을 향하여 가압된다. 열전달 매체는 열전달 매체가 없는 경우보다도 부재치면과 포커스 링 사이의 열전도성을 높인다.