公开(公告)号：KR100247532B1

公开(公告)日：2000-05-01

申请号：KR1019940002756

申请日：1994-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와카미사토루 ,  스즈키쓰요시 ,  아라미준이치 ,  데구치요이치

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01L21/6838

Abstract: 플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공를 구비한 2 종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보 할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.

公开(公告)号：KR1019940020495A

公开(公告)日：1994-09-16

申请号：KR1019940002756

申请日：1994-02-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가와카미사토루 ,  스즈키쓰요시 ,  아라미준이치 ,  데구치요이치

IPC: H01L21/302

Abstract: 플라즈마 처리챔버내의 플라즈마 발생용 하부전극상에 정전척으로 유지되어 있는 반도체 웨이퍼의 배면쪽에 He 등의 백사이드가스를 공급하면서 플라즈마 처리를 하는 경우 백사이드 가스 도입관을 통하여 하부전극과 그라운드 부재와의 사이에서 얻은 방전을 방지하기 위하여 하부전극과 그라운드부재와의 사이의 절연체내의 위치에서 가스도입관내에 축방향으로 신장하는 다수의 소직경의 통류공을 구비한 2종류의 전기 절연재로 되는 원추형상 유로부재가 끼워넣어진다. 이것에 의하여 백사이드 가스의 가스유로의 직경이 적기 때문에 방전개시 전압이 높게되어 방전을 방지할 수 있고, 또 통류공은 다수 형성되어 있으므로 커다란 콘덕턴스를 확보할 수가 있다. 백사이드 가스는 플라즈마 처리후는 가스 도입관을 통하여 배출된다.
이것에 의하여 웨이퍼와 정전척과의 사이에 수분이 잔유하거나 처리챔버내에 수분이 잔유하는 것이 방지되고, 웨이퍼의 대전방지와 처리 챔버의 배기시간 단축이 가능하게 된다.